本发明专利技术提供的一种边缘环以及退火装置，涉及半导体技术领域，包括：环体，所述环体的内圈设置有环状的搁置槽，所述搁置槽上设置有沟槽。在上述技术方案中，沟槽开设在搁置槽的槽底，当晶圆放置在搁置槽内以后，由于搁置槽的槽底具有该沟槽，所以晶圆与搁置槽的实际接触面积会相对减少，可以使晶圆在搁置槽内搁置时，有效的降低与边缘环之间的冲击破损，进而减少微粒的产生，有效的提高晶圆的质量。有效的提高晶圆的质量。有效的提高晶圆的质量。
【技术实现步骤摘要】
边缘环以及退火装置
[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种边缘环以及退火装置。
技术介绍
[0002]现有半导体的快速热处理装置(RTP)具有边缘环，该边缘环可以提高晶圆运送的准确性及稳定性，使晶圆能够准确且稳定的置于底盘的正中间。但是，边缘环作为具有边缘导向功能的部件，当晶圆放置在边缘环上以后，晶圆的下方会与边缘环形成接触，进而容易导致晶圆产生颗粒，影响晶圆的质量。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于提供一种边缘环以及退火装置，以解决现有技术中边缘环与晶圆装配是产生颗粒，影响晶圆质量的技术问题。
[0004]本专利技术提供的一种边缘环，包括：
[0005]环体，所述环体的内圈设置有环状的搁置槽，所述搁置槽上设置有沟槽。
[0006]本专利技术还提供了一种退火装置，包括所述边缘环；还包括旋转部件、底盘和烘烤部件；所述烘烤部件与所述旋转部件相对设置，所述边缘环设置在所述底盘上，所述底盘和所述边缘环位于所述旋转部件和所述烘烤部件之间。
[0007]在上述技术方案中，沟槽开设在搁置槽的槽底，当晶圆放置在搁置槽内以后，由于搁置槽的槽底具有该沟槽，所以晶圆与搁置槽的实际接触面积会相对减少，可以使晶圆在搁置槽内搁置时，有效的降低与边缘环之间的冲击破损，进而减少微粒的产生，有效的提高晶圆的质量。
附图说明
[0008]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0009]图1为本专利技术一个实施例提供的晶圆与边缘环的装配结构示意图；
[0010]图2为本专利技术一个实施例提供的沟槽的平面结构示意图；
[0011]图3为本专利技术一个实施例提供的通孔的平面结构示意图；
[0012]图4为本专利技术一个实施例提供的晶圆与边缘环和底盘的装配结构示意图；
[0013]图5为本专利技术一个实施例提供的环体、底盘和晶圆的相对位置关系图。
[0014]附图标记：
[0015]1、环体；2、底盘；3、晶圆；
[0016]11、搁置槽；12、沟槽；13、通孔；
[0017]131、第一孔段；132、第二孔段。
具体实施方式
[0018]下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0020]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0021]如图1至图3所示，本实施例提供的一种边缘环，包括：
[0022]环体1，所述环体1的内圈设置有环状的搁置槽11，所述搁置槽11上设置有沟槽 12。其中，所述沟槽12为环状槽，所述环状槽与所述搁置槽11同轴设置，且所述环状槽位于所述搁置槽11的槽内边缘。
[0023]由此可知，在边缘环加工制造的时候，边缘环的内圈可以开设出用于放置晶圆3的搁置槽11，该搁置槽11为环状的结构，形状和大小与待放置的晶圆3予以匹配，因此晶圆3可以完好的放置在该搁置槽11内形成稳定装配。
[0024]其中，本申请提供的边缘环在加工制造时还可以设置沟槽12，该沟槽12开设在搁置槽11的槽底，当晶圆3放置在搁置槽11内以后，由于搁置槽11的槽底具有该沟槽 12，所以晶圆3与搁置槽11的实际接触面积会相对减少。所以，通过该形成的沟槽12，可以使晶圆3在搁置槽11内搁置时，有效的降低与边缘环之间的冲击破损，进而减少微粒的产生，有效的提高晶圆3的质量。
[0025]如图2所示，所述沟槽12的槽底面可以设置为弧面结构。其中，可以将所述沟槽 12的宽度(图2中a的数值)设置在2mm至4mm之间，例如该沟槽12的宽度可以为 2mm、2.5mm、3mm、3.5mm或4mm等。同时，可以将所述沟槽12的最大深度(图2 中b的数值)设置在0.4mm至0.6mm之间，例如该沟槽12的最大深度可以为0.4mm、 0.45mm、0.5mm、0.55mm或0.6mm等。此时，本领域技术人员可以根据需求选择沟槽 12合适的宽度合深度，并根据需求选择合适的沟槽12截面形状，在此便不再赘述。优选的，该沟槽12的宽度为3mm，该沟槽12的最大深度为0.5。
[0026]进一步的，所述搁置槽11内开设有贯通的通孔13；所述通孔13的数量为多个，多个所述通孔13在所述搁置槽11上沿其环状周向设置。此时，为了同时防止晶圆3在搁置槽11内因沟槽12的形成而减少接触面积，容易发生滑动的问题，本申请提供的边缘环在制造时还开搁置槽11内开设了通孔13，进而利用通孔13的结构，提高晶圆3与搁置槽11的槽底之间的摩擦力，在晶圆3与搁置槽11的槽底因沟槽12而降低接触面积的情况下，提高晶圆3搁置的稳定性，保证晶圆3既能够减少颗粒的产生，保证晶圆3 质量，又能够保证晶圆3搁置的稳定
性。其中，所述通孔的数量可以选择为4至8个。
[0027]其中，所述通孔13的顶端开口直径大于其底端开口直径。此时该通孔13可以自上而下构成文丘里的管路结构。如图3所示，所述通孔13可以包括相互连通的第一孔段 131和第二孔段132，所述第一孔段131位于所述第二孔段132之上，且所述第二孔段 132为锥面孔。此时，由于第二孔段132的锥面孔是下头小上头大的结构，所以可以实现通孔13的顶端开口直径大于其底端开口直径，进而构成自上而下的文丘里管路结构。
[0028]如图3所示，所述第一孔段131的孔径(图3中c的数值)可以设置在1.6mm至 2mm之间，例如该第一孔段131的孔径可以为1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm或2mm 等。同时，所述第二孔段132的最大直径(图3中c的数值)可以设置在1.6mm至2mm 之间，例如该第二孔段132的最大直径可以为1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm或2mm 本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种边缘环，其特征在于，包括：环体，所述环体的内圈设置有环状的搁置槽，所述搁置槽上设置有沟槽。2.根据权利要求1所述的边缘环，其特征在于，所述沟槽为环状槽，所述环状槽与所述搁置槽同轴设置，且所述环状槽位于所述搁置槽的槽内边缘。3.根据权利要求2所述的边缘环，其特征在于，所述沟槽的槽底面为弧面结构。4.根据权利要求3所述的边缘环，其特征在于，所述沟槽的宽度在2mm至4mm之间；和/或，所述沟槽的最大深度在0.4mm至0.6mm之间。5.根据权利要求4所述的边缘环，其特征在于，所述沟槽的宽度为3mm；和/或，所述沟槽的最大深度为0.5。6.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的边缘环，其特征在于，所述搁置槽内开设有贯通的通孔；所述通孔的数量为多个，多个所述通孔在所述搁置槽上沿其环状周向设置。7...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴兴雨，李河圣，朱宁炳，熊文娟，蒋浩杰，崔恒玮，李亭亭，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。