刻蚀设备、刻蚀方法以及膜层图案化系统技术方案

本发明专利技术提供了一种刻蚀设备、刻蚀方法以及膜层图案化系统。所述刻蚀设备包括喷淋装置和控制装置。所述喷淋装置设于一工作台上方，并且所述喷淋装置的喷淋面与水平面之间具有一小于90

【技术实现步骤摘要】
刻蚀设备、刻蚀方法以及膜层图案化系统


[0001]本专利技术涉及半导体制备领域，特别是一种刻蚀设备、刻蚀方法以及膜层图案化系统。

技术介绍

[0002]目前TFT
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LCD(薄膜晶体管
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液晶显示器)正向着超大尺寸、高频率驱动以及高分辨率等方面发展，如何有效降低面板导线电阻与寄生电容日趋重要。TFT
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LCD在制作时，高质量的导线制程技术已经成为主宰薄膜晶体管组件与面板特性的关键。然而，在目前的金属导线刻蚀制程中，针对Gate/SD(栅极/源漏极)金属层刻蚀制程，G8.5/G11制程刻蚀区间为5
°
倾斜喷淋，目的是为了增加基板药液置换速率及减小药液携出量。
[0003]但是在倾斜模式下的刻蚀过程中，基板顶端和底端处刻蚀液的质量不同、对刻蚀液的缓冲作用也不同，造成基板顶端处刻蚀液的置换及刻蚀速度加快，容易有金属断线问题。而基板底端处刻蚀液的置换及刻蚀速度降低，容易有金属残留问题，产生刻蚀不均匀，只能增加修补及报废比例，最终大大增加了良率成本。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种刻蚀设备、刻蚀方法以及膜层图案化系统，以解决现有金属刻蚀技术中由于容易产生金属断线和金属残留而增加了基板的修补率预计报废率，进而增加了生产成本的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供一种刻蚀设备，所述刻蚀设备包括喷淋装置和控制装置。所述喷淋装置设于一工作台上方，并且所述喷淋装置的喷淋面与水平面之间具有一小于90
°
的倾斜角。所述控制装置于所述喷淋装置连接，其用于控制所述喷淋装置与所述工作台之间的距离以及所述喷淋装置的喷淋压力。
[0006]进一步地，所述喷淋装置包括若干喷头，所述喷头排布形成所述喷淋面，所述控制装置与所述喷头连接。
[0007]进一步地，所述喷淋装置具有非调控区和调控区。所述非调控区具有相对的一第一端和一第二端，所述第一端的高度低于所述第二端的高度。所述调控区与所述非调控区的第一端和/或所述第二端连接。所述喷头包括固定喷头和伸缩喷头。所述固定喷头设于所述喷淋装置的非调控区内。所述伸缩喷头设于所述喷淋装置的调控区内。
[0008]进一步地，所述控制装置包括调控阀，所述调控阀设于所述伸缩喷头上。
[0009]进一步地，所述工作台包括一承载面和传送装置。所述承载面朝向所述喷淋装置，并平行于所述喷淋装置的喷淋面。所述传送装置设于所述工作台中。
[0010]进一步地，所述刻蚀设备还包括刻蚀腔室，所述工作台和所述喷淋装置均设于所述刻蚀腔室内。
[0011]本专利技术中还提供一种刻蚀方法，所述刻蚀方法使用如上所述刻蚀设备进行包括以下步骤：在工作台上承载一测试基板；在喷淋装置的原始状态下对所述测试基板喷洒刻蚀
液，并进行刻蚀；获取所述测试基板的刻蚀数据；根据所述刻蚀数据获取调控数据；控制装置依据所述调控数据调整所述喷淋装置；在所述工作台上承载一作业基板，并通过所述喷淋装置对所述作业基板喷洒所述刻蚀液进行刻蚀。
[0012]进一步地，所述控制装置依据所述调控数据调整所述喷淋装置步骤中包括以下步骤：所述喷淋装置具有一非调控区以及与所述非调控区连接的调控区；根据所述调控数据，通过调控阀调整所述调控区中的伸缩喷头。
[0013]进一步地，获取所述测试基板的刻蚀数据步骤中包括以下步骤：所述测试基板包括检测区，所述检测区对应于所述喷淋装置的调控区；设定预期线宽，并测量所述检测区中的走线线宽。
[0014]根据所述刻蚀数据获取所述调控数据步骤中包括以下步骤：将所述检测区中的走线线宽与所述预期线宽作对比，并计算所述检测区中的走线线宽与所述预期线宽之间的差值获取所述伸缩喷头的调控数据。
[0015]本专利技术中还提供一种膜层图案化系统，所述膜层图案化系统中包括如上所述的刻蚀设备。
[0016]本专利技术的优点是：本专利技术中所提供的刻蚀设备以及刻蚀方法，通过调整喷淋装置对应位置与工作台之间的距离以及所述喷淋装置的喷淋压力，以解决现有的倾斜刻蚀技术中由于基板倾斜而导致刻蚀液的置换及刻蚀速度不均匀，进而造成的膜层刻蚀不均的技术问题，从而提高生产时的良品率，降低基板的修补率和报废率，进而减小生产成本。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本专利技术实施例1中刻蚀设备的结构示意图；
[0019]图2为本专利技术实施例1中刻蚀设备中装置的倾斜示意图；
[0020]图3为本专利技术实施例1中步骤A中刻蚀设备的结构示意图；
[0021]图4为本专利技术实施例2中刻蚀设备的结构示意图；
[0022]图5为本专利技术实施例2中刻蚀设备中装置的倾斜示意图；
[0023]图6为本专利技术实施例2中步骤A中刻蚀设备的结构示意图；
[0024]图7为本专利技术实施例3中刻蚀设备的结构示意图；
[0025]图8为本专利技术实施例3中刻蚀设备中装置的倾斜示意图；
[0026]图9为本专利技术实施例3中步骤A中刻蚀设备的结构示意图。
[0027]图中部件表示如下：
[0028]刻蚀设备1；
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刻蚀腔室10；
[0029]工作台20；
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承载面21；
[0030]喷淋装置30；
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非调控区31；
[0031]第一端311；
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第二端312；
[0032]调控区32；
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第一调控区321；
[0033]第二调控区322；
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导流层33；
[0034]喷头34；
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固定碰头341；
[0035]伸缩碰头342；
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控制装置40；
[0036]调控阀41；
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基板50；
[0037]测试基板51；
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检测区52；
[0038]第一检测区521；
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第二检测区522；
[0039]水平面60；
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夹角α；
[0040]倾斜角β。
具体实施方式
[0041]以下参考说明书附图介绍本专利技术的优选实施例，证明本专利技术可以实施，所述专利技术实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本专利技术，使其
技术实现思路
更加清楚和便于理解。本专利技术可以通过许多不同形式的专利技术实施例来得以体现，本专利技术的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀设备，其特征在于，包括喷淋装置，设于一工作台上方，并且所述喷淋装置的喷淋面与水平面之间具有一小于90
°
的倾斜角；控制装置，与所述喷淋装置连接，其用于控制所述喷淋装置与所述工作台之间的距离以及所述喷淋装置的喷淋压力。2.如权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述喷淋装置包括若干喷头，所述喷头排布形成所述喷淋面，所述控制装置与所述喷头连接。3.如权利要求2所述的刻蚀设备，其特征在于，所述喷淋装置具有：一非调控区，其具有相对的一第一端和一第二端，所述第一端的高度低于所述第二端的高度；调控区，设于所述非调控区的第一端和/或所述第二端；所述喷头包括：固定喷头，设于所述喷淋装置的非调控区内；伸缩喷头，设于所述喷淋装置的调控区内。4.如权利要求3所述的刻蚀设备，其特征在于，所述控制装置包括：调控阀，设于所述伸缩喷头上。5.如权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述工作台包括：一承载面，朝向所述喷淋装置，并平行于所述喷淋装置的喷淋面；传送装置，设于所述工作台中。6.如权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，还包括：刻蚀腔室，所述工作台和所述喷淋装置均设于所述刻蚀腔室内。7.一种刻蚀方法，其特征在于，使用如权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴鉴，
申请(专利权)人：苏州华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：