一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备制造方法及图纸

本发明专利技术属于晶圆加工领域，公开了一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备。本发明专利技术在利用清洗组件对晶圆的上表面进行清洗的同时和/或之后，利用去水组件对晶圆下表面的指定区域进行去水处理，实现将晶圆搬运至太鼓环切设备的UV解胶装置之前，对晶圆的下表面进行去水处理，使晶圆的下表面保持干燥状态，实现在晶圆的下表面与UV解胶装置的UV框架接触后，通过微调机械手对晶圆进行对中调整时，实现晶圆下表面与UV框架的接触面之间无水，无需增大微调机械手的力度，避免过大的外力作用于晶圆而对晶圆造成损伤。晶圆而对晶圆造成损伤。晶圆而对晶圆造成损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备


[0001]本专利技术涉及太鼓环切设备领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备。

技术介绍

[0002]采用太鼓环切设备对晶圆进行切割的流程如下：将晶圆搬运至环切工作台上进行环切，再对晶圆进行清洗干燥，之后将晶圆搬运至UV照射台进行UV照射，并配合微调机械手对晶圆进行精准对位，以准确解胶环切外环；再之后将晶圆搬运至取环工作台，配合取环机械手去除解胶后的外环。
[0003]在太鼓环切设备对晶圆进行清洗时，主要是对晶圆的上表面进行吹洗，并通过吹气的方式去除晶圆上表面粘附的水渍。但在对晶圆进行环切以及对晶圆的上表面进行清洗的过程中，不可避免地会有少量的水渍粘附在晶圆的背面。
[0004]在将晶圆搬运至UV照射台之后，由于水滴的吸附性，晶圆背面的水滴将会把晶圆和UV照射台上的UV框架吸附在一起，将会造成通过微调机械手对处于UV照射台上的晶圆进行对中时，不便于通过微调机械手将晶圆调整至对中位置；此外，若需将晶圆调整至对中位置，则需要增大微调机械手的力度，微调机械手的力度过大极易导致晶圆破碎。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备，能够避免晶圆和UV框架吸附在一起，以对晶圆进行保护。
[0006]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0007]一种晶圆清洗装置，用于太鼓环切设备；包括：
[0008]清洗工作台，所述清洗工作台用于放置晶圆且能够对所述晶圆进行固定；
[0009]清洗组件，用于对置于所述清洗工作台上的所述晶圆的上表面进行清洗；
[0010]去水组件，用于在所述清洗组件工作的同时和/或之后对所述晶圆下表面的指定区域进行去水处理；所述指定区域至少包括所述晶圆的下表面上能够与所述太鼓环切设备的UV解胶装置的UV框架接触的区域。
[0011]作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述指定区域还包括所述晶圆下表面的边缘区域；所述去水组件包括：
[0012]第一背面吹气单元，所述第一背面吹气单元位于所述清洗工作台的下方，用于向所述指定区域吹气。
[0013]作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述清洗工作台能够绕其竖直轴线转动，以使所述第一背面吹气单元能够吹扫到整个所述指定区域。
[0014]作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述指定区域还包括所述晶圆下表面的边缘区域。
[0015]作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述晶圆清洗装置还包括：
[0016]搬运单元，用于将所述清洗工作台上的所述晶圆搬离所述清洗工作台，使所述晶圆的下表面全部外露；
[0017]所述去水组件还包括：
[0018]第二背面吹气单元，所述第二背面吹气单元用于在所述晶圆的下表面全部外露时对所述晶圆下表面吹气。
[0019]作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述搬运单元还用于控制所述晶圆水平移动，以使所述第二背面吹气单元能够吹扫到所述晶圆的整个下表面。
[0020]作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述去水组件还包括：
[0021]吸水单元，用于对所述晶圆的下表面进行吸水。
[0022]作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述清洗组件包括：
[0023]喷液单元，所述喷液单元用于向所述晶圆的上表面喷射清洗液，所述喷液单元能够摆动，以使所述喷液单元能够喷射到所述晶圆的整个上表面；
[0024]正面吹气单元，所述正面吹气单元用于对所述晶圆的上表面进行吹气，所述正面吹气单元能够摆动，以使所述正面吹气单元能够吹扫到所述晶圆的整个上表面。
[0025]本专利技术还提供了一种太鼓环切设备，包括UV解胶装置及上述任一方案所述的晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置位于所述UV解胶装置的上游。
[0026]本专利技术还提供了一种晶圆清洗方法，采用上述任一方案所述的晶圆清洗装置，所述晶圆清洗方法包括以下步骤：
[0027]在将晶圆搬运至所述太鼓环切设备的UV解胶装置之前，对所述晶圆的上表面进行清洗；
[0028]并在对所述晶圆的上表面进行清洗的同时和/或之后，对所述晶圆下表面的指定区域进行去水处理。
[0029]作为上述晶圆清洗方法的一种可选技术方案，在对所述晶圆的上表面进行清洗之后，对所述晶圆下表面的指定区域进行去水处理，包括：
[0030]在结束对所述晶圆上表面的清洗之后，对处于清洗工作台上的所述晶圆下表面的指定区域进行吹气；
[0031]将所述清洗工作台上的晶圆搬离所述清洗工作台，使所述晶圆的下表面全部外露；之后对所述晶圆的下表面进行吹气。
[0032]本专利技术的有益效果：本专利技术提供的晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备，在利用清洗组件对晶圆的上表面进行清洗的同时和/或之后，利用去水组件对晶圆下表面的指定区域进行去水处理，实现将晶圆搬运至太鼓环切设备的UV解胶装置之前，对晶圆的下表面进行去水处理，使晶圆的下表面保持干燥状态，实现在晶圆的下表面与UV解胶装置的UV框架接触后，通过微调机械手对晶圆进行对中调整时，实现晶圆下表面与UV框架的接触面之间无水，无需增大微调机械手的力度，避免过大的外力作用于晶圆而对晶圆造成损伤。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对本专利技术实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施
例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本专利技术实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
[0034]图1是本专利技术实施例提供的将晶圆搬运至清洗工作台之前晶圆清洗装置的状态图；
[0035]图2是本专利技术实施例提供的晶圆放置于清洗工作台上且对晶圆进行清洗之前的晶圆清洗装置的状态图；
[0036]图3是本专利技术实施例提供的晶圆清洗装置对晶圆进行清洗过程中的状态图；
[0037]图4是本专利技术实施例提供的将晶圆搬离清洗工作台后的晶圆清洗装置的一状态图；
[0038]图5是本专利技术实施例提供的晶圆清洗方法的详细流程图。
[0039]图中：
[0040]11、清洗工作台；12、清洗桶；13、旋转驱动件；
[0041]21、清洗摆臂；22、喷液单元；23、正面吹气单元；
[0042]31、第一背面吹气单元；32、第二背面吹气单元；33、吸水单元；34、升降驱动件；35、安装支架；
[0043]41、水平搬运驱动；42、竖直搬运驱动；43、安装盘；44、吸嘴；
[0044]5、晶圆。
具体实施方式
[0045]为使本专利技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，用于太鼓环切设备；其特征在于，包括：清洗工作台(11)，所述清洗工作台(11)用于放置晶圆(5)且能够对所述晶圆(5)进行固定；清洗组件，用于对置于所述清洗工作台(11)上的所述晶圆(5)的上表面进行清洗；去水组件，用于在所述清洗组件工作的同时和/或之后对所述晶圆(5)下表面的指定区域进行去水处理；所述指定区域至少包括所述晶圆(5)的下表面上能够与所述太鼓环切设备的UV解胶装置的UV框架接触的区域。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述去水组件包括：第一背面吹气单元(31)，所述第一背面吹气单元(31)位于所述清洗工作台(11)的下方，用于向所述指定区域吹气。3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述清洗工作台(11)能够绕其竖直轴线转动，以使所述第一背面吹气单元(31)能够吹扫到整个所述指定区域。4.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述指定区域还包括所述晶圆(5)下表面的边缘区域。5.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置还包括：搬运单元，用于将所述清洗工作台(11)上的所述晶圆(5)搬离所述清洗工作台，使所述晶圆(5)的下表面全部外露；所述去水组件还包括：第二背面吹气单元(32)，所述第二背面吹气单元(32)用于在所述晶圆(5)的下表面全部外露时对所述晶圆(5)下表面吹气。6.根据权利要求5所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述搬运单元还用于控制所述晶圆(5)水平移动，以使所述第二背面吹气单元(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：高金龙，葛凡，周鑫，张宁宁，蔡国庆，
申请(专利权)人：江苏京创先进电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：