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本发明公开了一种硅电极气孔刻蚀装置，包括带有酸液循环结构的治具组件，所述的治具组件内部设置有卡接装置，所述的卡接装置内部卡接有多层分流板，多层分流板上方的卡接装置上设置有硅电极压槽；所述的分流板上设置有若干连通酸液循环结构的液孔，相邻两层分...
该专利属于杭州盾源聚芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州盾源聚芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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