半导体存储装置制造方法及图纸

本申请公开一种半导体存储装置，能够减小位线栅极的电荷造成半导体存储装置电性毁损的几率。半导体存储装置，包括：衬底；位于所述衬底表面的接触窗，所述接触窗暴露所述衬底内部；位于所述接触窗内，并突出于所述衬底上表面的堆叠结构；位于所述堆叠结构的侧壁表面的侧墙，所述侧墙至少包括：第一子侧墙，位于所述堆叠结构的侧壁表面；第二子侧墙，位于所述第一子侧墙的表面；第三子侧墙，至少部分位于所述第二子侧墙表面，其中所述的第三子侧墙是藉由第二子侧墙通过氮化处理得到；所述第一子侧墙与第三子侧墙部分相连。墙与第三子侧墙部分相连。墙与第三子侧墙部分相连。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置


[0001]本申请涉及半导体存储装置领域，具体涉及半导体存储装置。

技术介绍

[0002]在半导体存储装置中，具有位线结构以及位线栅极，所述位线结构将位于同一行的位线栅极串接起来，从而实现存储功能。现有技术中，在使用所述半导体存储装置时，所述位线栅极内会有电荷的运动，如果电荷流到不期望的地方，将会造成所述半导体存储装置的击穿，对所述半导体存储装置造成不可逆转的电性毁损。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请提供一种半导体存储装置，能够减小位线栅极的电荷造成半导体存储装置电性毁损的几率。
[0004]本申请提供的一种半导体存储装置，包括：
[0005]衬底；
[0006]位于所述衬底表面的接触窗，所述接触窗暴露所述衬底内部；
[0007]位于所述接触窗内，并突出于所述衬底上表面的堆叠结构；
[0008]位于所述堆叠结构的侧壁表面的侧墙，所述侧墙至少包括：
[0009]第一子侧墙，位于所述堆叠结构的侧壁表面；
[0010]第二子侧墙，位于所述第一子侧墙的表面；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的接触窗，所述接触窗暴露所述衬底内部；位于所述接触窗内，并突出于所述衬底上表面的堆叠结构；位于所述堆叠结构的侧壁表面的侧墙，所述侧墙至少包括：第一子侧墙，位于所述堆叠结构的侧壁表面；第二子侧墙，位于所述第一子侧墙的表面；第三子侧墙，至少部分位于所述第二子侧墙表面，其中所述的第三子侧墙是藉由第二子侧墙通过氮化处理得到；所述第一子侧墙与第三子侧墙部分相连。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第一子侧墙与第三子侧墙的组成成分相...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏腾，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：