一种用于栅极分隔线的刻蚀机构制造技术

本申请公开了一种用于栅极分隔线的刻蚀机构，刻蚀机构包括接地件、第一电极件、至少一个绝缘件以及第二电极件。绝缘件位于接地件与第一电极件之间，以使第一电极件与接地件之间具有间隙，避免第一电极件与接地件接触使第一电极件的电势降低，导致第一电极件的等离子体的密度降低。绝缘件与接地件和/或第一电极件连接，且使接地件的中轴线与第一电极件的中轴线共线；第二电极件与第一电极件对应设置，且两者之间形成操作空间。同时第一电极件与接地件之间设置有距离合适的间隙，使第一电极件与接地件感应连通，进而将第一电极件上的静电通过接地件与大地连通，避免第一电极件上带有过多的静电，击穿堆叠结构中的晶片，导致堆叠结构的损坏。构的损坏。构的损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种用于栅极分隔线的刻蚀机构


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种用于栅极分隔线的刻蚀机构。

技术介绍

[0002]3D NAND存储器中，通常采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现堆叠式的3D NAND存储器结构。为了得到堆叠式的3D NAND存储器结构，需要在硅衬底上形成堆叠结构，在堆叠结构上刻蚀形成高深宽比的栅极分割槽，利用刻蚀形成的栅极分割槽将堆叠结构分隔成存储器阵列中的存储区域，并在栅极分割槽内形成导电通道。
[0003]在栅极分割槽的刻蚀工艺中,刻蚀电极刻蚀形成高深宽比的栅极分割槽时，刻蚀电极应带有足够的负电以便增加刻蚀电极上的等离子体的密度，进而加强刻蚀电极的刻蚀高深宽比的栅极分割槽的能力。
[0004]刻蚀机台上的支撑架与刻蚀电极连接且为刻蚀电极提供直流电，这种直流电可增加刻蚀电极上的等离子体的密度，进而加强刻蚀电极的刻蚀能力。支撑架与负电极连通，同时与刻蚀电极连通，进而使得刻蚀电极带有负电，刻蚀电极与接地件接触会导致刻蚀电极的电势降低，所以应避免刻蚀电极与接地件接触。但刻蚀电极上聚集过多的静电会本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于栅极分隔线的刻蚀机构，其特征在于，所述刻蚀机构包括：接地件；第一电极件；至少一个绝缘件，所述绝缘件位于所述接地件与所述第一电极件之间，以使所述第一电极件与所述接地件之间具有间隙；所述绝缘件与所述接地件和/或所述第一电极件连接，且使所述接地件的中轴线与所述第一电极件的中轴线共线；第二电极件，所述第二电极件与所述第一电极件对应设置，且所述第一电极件与所述第二电极件之间形成操作空间。2.如权利要求1所述的刻蚀机构，其特征在于，所述第一电极件上靠近所述接地件的一侧设置有第一安装槽，所述接地件的至少部分位于所述第一安装槽，所述绝缘件位于第一安装槽内，且位于所述接地件的部分的外周面与所述第一安装槽的内壁面之间。3.如权利要求2所述的刻蚀机构，其特征在于，所述绝缘件包括第一部分以及第二部分，所述第一安装槽的内壁面包括第一底壁及连接所述第一底壁的第一内侧壁，所述接地件具有面向所述第一底壁的端面、及面向所述第一内侧壁的第一外周面，所述第一部分位于所述端面与所述第一底壁之间，所述第二部分位于所述第一外周面与所述第一内侧壁之间。4.如权利要求1所述的刻蚀机构，其特征在于，所述接地件具有靠近所述第一电极件的第一表面，所述第一表面设置有第二安装槽，所述第一电极件的至少部分位于所述第二安装槽，所述绝缘件位于所述第二安装槽内，且位于所述第一电极件的部分的外周面与所述第二安装槽的内壁面之间。5.如权利要求4所述的刻蚀机构，其特征在于，所述第一电极件包括第一主体部以及第一凸出部，所述第一主体部位于所述接地件的所述第一表面所在的一侧且具有面向所述接地件的第二表面，所述第二表面包括第一区域和绕设于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：完颜俊雄，单静静，张光轩，高毅，豆海清，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：