一种绝缘窗、反应腔及电感耦合等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种绝缘窗、反应腔及电感耦合等离子体处理装置，涉及半导体技术领域，以解决由于陶瓷窗表面温度不均匀，生成聚合物颗粒，影响刻蚀工艺的良率和性能的问题。所述绝缘窗包括：绝缘窗本体、加热组件和温度控制组件。绝缘窗本体具有腔体结构。加热组件均匀的设置在腔体结构中，用于对绝缘窗本体进行加热。温度控制组件与加热组件相连接，用于调节加热组件的加热温度。所述反应腔包括上述技术方案所提的绝缘窗。所述电感耦合等离子体处理装置包括上述技术方案所提的绝缘窗。本发明专利技术提供的电感耦合等离子体处理装置用于处理晶圆。供的电感耦合等离子体处理装置用于处理晶圆。供的电感耦合等离子体处理装置用于处理晶圆。

【技术实现步骤摘要】
一种绝缘窗、反应腔及电感耦合等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造设备
，尤其涉及一种绝缘窗、反应腔及电感耦合等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]在半导体制造设备领域，作为在半导体晶片的基板上进行成膜处理或者刻蚀处理的装置，一般使用电感耦合型等离子体(inductive coupled plasma,ICP)处理装置。图1示例出现有技术中电感耦合等离子体装置的截面示意图。如图1所示，该电感耦合型等离子体处理装置包括反应腔1，反应腔1包括反应腔侧壁11，反应腔侧壁11上端设置一陶瓷窗2，陶瓷窗2上部设有电感耦合线圈3，该电感耦合线圈3和射频功率源相连接(图中未示出)。陶瓷窗2中部设有气体喷射装置4，用于供应处理气体。在反应腔1内设有基座(图中未示出)，基座上设置有静电卡盘5，用于支撑并固定待处理的晶圆6。晶圆6的上方为等离子体处理区域。在等离子体处理区域中，电感耦合线圈3将处理气体激励成等离子体状态，对反应腔1中的晶圆6进行刻蚀。
[0003]目前，当使用上述电感耦合型等离子体处理装置对晶圆进行处理时，生成的副产物,如碳氟类聚合物容易沉积在陶瓷窗温度较低的区域，从而在陶瓷窗温度较低的区域形成聚合物颗粒，当该聚合物颗粒掉落在晶圆上时，会影响器件性能从而降低晶圆良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种绝缘窗、反应腔及电感耦合等离子体处理装置，用于提高绝缘窗表面温度的均一性，从而避免聚合物颗粒淀积在绝缘窗上，提高器件性能和晶圆良率。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种绝缘窗，应用于电感耦合等离子处理设备的反应腔中。该绝缘窗包括：绝缘窗本体、加热组件和温度控制组件。绝缘窗本体具有腔体结构。加热组件均匀的设置在腔体结构中，用于对绝缘窗本体进行加热。温度控制组件与加热组件相连接，用于调节加热组件的加热温度。
[0007]与现有技术相比，本专利技术提供的绝缘窗包括绝缘窗本体、以及均匀设在该绝缘窗本体的腔体结构内的加热组件。当电感耦合等离子处理设备工作时，利用该加热组件对绝缘窗本体进行加热，可以使绝缘窗本体均匀的受热，从而使该绝缘窗本体不存在温度较低的区域。解决了现有技术中由于聚合物容易沉积在陶瓷窗温度较低的区域，从而在陶瓷窗温度较低的区域形成聚合物颗粒，当该聚合物颗粒发生掉落，会影响器件性能和晶圆良率的技术问题。再者，该绝缘窗还包括温度控制组件。温度控制组件可以根据实际需要调节加热组件的加热温度，避免温度过高造成资源浪费，节约成本的同时使得该绝缘窗的应用更广泛。
[0008]本专利技术还提供一种反应腔，包括上述绝缘窗。
[0009]与现有技术相比，本专利技术提供的反应腔的有益效果与上述或上述任一可能的技术方案所述绝缘窗的有益效果相同，此处不做赘述。
[0010]本专利技术还提供一种电感耦合等离子体处理装置，包括上述反应腔。
[0011]与现有技术相比，本专利技术提供的电感耦合等离子体处理装置的有益效果与上述或上述任一可能的技术方案所述绝缘窗的有益效果相同，此处不做赘述。
附图说明
[0012]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0013]图1为现有技术中电感耦合等离子体装置的截面示意图；
[0014]图2为本专利技术实施例中绝缘窗的截面图；
[0015]图3为本专利技术实施例中绝缘窗的部分结构示意图一；
[0016]图4为本专利技术实施例中绝缘窗的部分结构示意图二；
[0017]图5为本专利技术实施例中绝缘窗的部分结构示意图三。
具体实施方式
[0018]为了使本专利技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0019]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
[0020]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
[0021]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0022]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0023]在半导体制造设备领域，作为在半导体晶片的基板上进行成膜处理或者刻蚀处理的装置，一般使用电感耦合型等离子体(inductive coupled plasma,ICP)处理装置。图1示例出现有技术中电感耦合等离子体装置的截面示意图。如图1所示，该电感耦合型等离子体处理装置包括反应腔1，反应腔1包括反应腔侧壁11，反应腔侧壁11上端设置一陶瓷窗2，陶
瓷窗2上部设有电感耦合线圈3，该电感耦合线圈3和射频功率源相连接(图中未示出)。陶瓷窗2中部设有气体喷射装置4，用于供应处理气体。在反应腔1内设有基座(图中未示出)，基座上设置有静电卡盘5，用于支撑并固定待处理的晶圆6。晶圆6的上方为等离子体处理区域。在等离子体处理区域中，电感耦合线圈3将处理气体激励成等离子体状态，对反应腔1中的晶圆6进行刻蚀。
[0024]目前，当使用上述电感耦合型等离子体处理装置对晶圆进行处理时，生成的副产物容易凝结在陶瓷窗温度较低的区域，从而在陶瓷窗温度较低的区域形成聚合物颗粒，当该聚合物颗粒发生掉落，会影响晶圆的的良率和性能。
[0025]基于此，本专利技术实施例提供一种电感耦合等离子体处理装置，用于在半导体晶片上进行成膜处理或者刻蚀处理。该电感耦合等离子体处理装置包括反应腔，反应腔内设有基座和静电卡盘用于放置待处理的晶圆，反应腔的上部盖设有绝缘窗，用于使反应腔密封。
[0026]图2示例出本专利技术实施例中的绝缘窗的截面图。如图2所示，本专利技术实施例提供的绝缘窗包括：绝缘窗本体1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种绝缘窗，其特征在于，应用于电感耦合等离子处理设备的反应腔中，所述绝缘窗包括：绝缘窗本体、加热组件和温度控制组件；所述绝缘窗本体具有腔体结构；所述加热组件均匀的设置在所述腔体结构中，用于对所述绝缘窗本体进行加热；所述温度控制组件与所述加热组件相连接，用于调节所述加热组件的加热温度。2.根据权利要求1所述的绝缘窗，其特征在于，所述加热组件包括电加热件；温度控制组件包括相连接第一控制器和电压调节器；所述电压调节器串联在所述电加热件的输电线路上，用于在所述控制器的控制下对所述电加热件施加的电压进行调节。3.根据权利要求1或2所述的绝缘窗，其特征在于，所述温度控制组件还包括至少一个温度传感器；所述至少一个温度传感器用于检测所述绝缘窗本体的温度。4.根据权利要求2所述的绝缘窗，其特征在于，所述电加热件为加热线圈，所述加热线...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相龙，周娜，李俊杰，李琳，王佳，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：