下电极组件、等离子体处理装置和更换聚焦环的方法制造方法及图纸

一种下电极组件、等离子体处理装置和更换聚焦环的方法，其中，所述下电极组件包括：基座，用于承载待处理基片；聚焦环，环绕于所述基座的外围；遮盖环，设于所述聚焦环下方，沿其周向设有若干个凹槽；移动块，设于所述凹槽内，其内侧顶角设有台阶，所述台阶用于支撑部分聚焦环；驱动装置，与所述移动块连接，用于驱动所述移动块带动聚焦环上下移动。利用所述下电极组件更换聚焦环时无需打开反应腔就能够实现更换。换。换。

【技术实现步骤摘要】
下电极组件、等离子体处理装置和更换聚焦环的方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种下电极组件、等离子体处理装置和更换聚焦环的方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件制造的各种工序中，等离子体处理是将待处理基片加工成设计图案的关键工艺。在典型的等离子体处理工艺中，工艺气体在射频(Radio Frequency，RF)激励作用下形成等离子体。这些等离子体在经过上电极和下电极之间的电场(电容耦合或者电感耦合)作用后与待处理基片表面发生物理轰击作用及化学反应，从而对待处理基片表面进行处理。
[0003]现有等离子体处理装置通常会在待处理基片的外围设置一个聚焦环，所述聚焦环用于改变待处理基片边缘的气流和电磁场分布，起到提高待处理基片刻蚀性能的作用。由于聚焦环长期处于等离子体刻蚀环境中，聚焦环随着刻蚀时间的增加会被逐渐侵蚀，因此在达到一定的刻蚀时长时，需要更换聚焦环。目前更换聚焦环的方法需要人工打开等离子体处理装置的反应腔，该过程增加了维护人员工作强度同时也会降低等离子体处理装置的实际工作效率。针对这一问题，迫切需要设计一种新的聚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体处理装置的下电极组件，其特征在于，包括：基座，用于承载待处理基片；聚焦环，环绕于所述基座的外围；遮盖环，设于所述聚焦环下方，沿其周向设有若干个凹槽；移动块，设于所述凹槽内，其内侧设有台阶，所述台阶用于支撑部分聚焦环；驱动装置，与所述移动块连接，用于驱动所述移动块带动聚焦环上下移动。2.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述移动块的材料为陶瓷材料。3.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述移动块相对于遮盖环的外侧壁向外凸出，所述驱动装置与所述凸出的移动块连接。4.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述驱动装置为气缸驱动装置或者电驱动装置。5.如权利要求4所述的下电极组件，其特征在于，所述驱动装置为气缸驱动装置时，所述驱动装置包括气缸和驱动杆，所述驱动杆与所述移动块连接。6.如权利要求5所述的下电极组件，其特征在于，还包括：等离子体约束装置，位于所述遮盖环下方，所述驱动杆穿过等离子体约束装置；接地环，位于所述遮盖环的下方，包围所述基座，与所述气缸连接。7.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述凹槽的个数为3个及3个以上。8.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，还包括：承载环，所述承载环包括环部和朝向环部的圆心设置的若干个辐条，所述辐条设于所述移动块下方，所述环部的直径大于遮盖环的直径；所述驱动装置与承载环连接，驱动所述承载环上下运动，带动所述移动块和聚焦环上下移动。9.如权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，所述承载环与移动块之间可拆卸连接。10.如权利要求9所述的下电极组件，其特征在于，所述承载环与移动块之间通过螺丝连接。11.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴江涛，连增迪，左涛涛，吴狄，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：