本发明专利技术公开一种发光元件，包含一半导体结构，包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一环绕部，围绕半导体结构，且露出第一半导体层的一第一表面；一透明导电层形成于第二半导体层的一表面上；一绝缘结构，包含一布拉格反射镜(DBR)结构，形成于第一半导体层的第一表面并覆盖第二半导体层的表面，包含一第一开口以及一第二开口；一第一电极，形成在环绕部上及第二半导体层上；以及一第二电极，形成在第二半导体层上；其中第一电极和第二电极分别包括包括铂(Pt)的一打线层以与焊料相接触，第一电极和第二电极相隔一距离小于50微米。电极和第二电极相隔一距离小于50微米。电极和第二电极相隔一距离小于50微米。
【技术实现步骤摘要】
发光元件
[0001]本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201810077979.0，申请日：2018年01月26日，专利技术名称：发光元件)的分案申请。
[0002]本专利技术涉及一种发光元件的一结构，且特别是涉及一种包含一半导体结构及一焊垫位于半导体结构上的发光元件。
技术介绍
[0003]发光二极管(Light
‑
Emitting Diode,LED)为固态半导体发光元件，其优点为功耗低，产生的热能低，工作寿命长，防震，体积小，反应速度快和具有良好的光电特性，例如稳定的发光波长。因此发光二极管被广泛应用于家用电器，设备指示灯，及光电产品等。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供一种发光元件，包含一半导体结构，包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一环绕部，围绕半导体结构，且露出第一半导体层的一第一表面；一透明导电层形成于第二半导体层的一表面上；一绝缘结构，包含一布拉格反射镜(DBR)结构，形成于第一半导体层的第一表面并覆盖第二半导体层的表面，包含一第一开口以及一第二开口；一第一电极，形成在环绕部上及第二半导体层上；以及一第二电极，形成在第二半导体层上；其中第一电极和第二电极分别包括铂(Pt)的一打线层以与焊料相接触，第一电极和第二电极相隔一距离小于50微米。
[0005]本专利技术还提供一种发光元件包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一通孔，露出第一半导体层；一第一接合垫，形成在第一半导体层上；以及一第二接合垫，形成在第二半导体层上；其中第一接合垫和第二接合垫分别包括铂(Pt)或金(Au)以与一金属凸块相接触，第一接合垫和第二接合垫实质上具有相同的厚度，金属凸块包含至少一种选自由锡、铜、银、铋、铟、锌和锑所组成群组中的材料。
[0006]本专利技术还提供一种发光元件，包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一通孔，露出第一半导体层；一第一接合垫，形成在第一半导体层上；以及一第二接合垫，形成在第二半导体层上；其中第一接合垫和第二接合垫为金属多层结构，分别包括Ni层直接接触一金属凸块，第一接合垫和第二接合垫实质上具有相同的厚度，金属凸块包含至少一种选自由锡、铜、银、铋、铟、锌和锑所组成群组中的材料。
[0007]本专利技术另提供一种发光元件，包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一环绕部，围绕半导体结构，且露出第一半导体层的一第一表面；一透明导电层形成于第二半导体层的表面上；一第一电极，形成在环绕部上且接触该第一半导体层；一第二电极，形成在第二半导体层上，第
一电极及/或第二电极包含一最靠近第一半导体层或第二半导体的一粘接层，粘接层的材料包括铬(Cr)，钛(Ti)或铑(Rh)；一绝缘结构，覆盖第一电极及第二电极，包含一第一开口以露出第一电极及一第二开口以露出第二电极，且包含具有不同折射率的两种以上的材料交替堆叠以形成一布拉格反射镜(DBR)结构；一第一薄焊垫，形成在绝缘结构的第一开口和第一电极上，且包含一厚度小于绝缘结构的一厚度；以及一第二薄焊垫，形成在绝缘结构的第二开口和第二电极上，且包含一厚度小于绝缘结构的一厚度，其中第一薄焊垫和第二薄焊垫分别包含一上表面低于绝缘结构的一上表面，第一薄焊垫和第二薄焊垫形成于第一开口和第二开口之内，并延伸覆盖于绝缘结构的上表面上，其中第一电极和第二电极分别包括铂(Pt)的一打线层以与绝缘结构相接触。
[0008]本专利技术再提供一种发光元件，包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一通孔，穿过第二半导体层和活性层以露出第一半导体层的一表面；一第一绝缘结构，形成于半导体结构上，包含一第一绝缘第二开口以露出第二半导体层；一透明导电层，形成在第一绝缘第二开口内且向上延伸覆盖第一绝缘结构；一反射层，形成在透明导电层上；一第二绝缘结构，形成于第一绝缘结构上，包含一第二绝缘第二开口于反射层上，其中，第二绝缘结构包含一部分形成于第二绝缘第二开口中，第二绝缘第二开口包含一沟槽以围绕第二绝缘结构的一部分；一第一电极，形成在通孔中；一第二电极，形成在第二绝缘结构的部分上且延伸至第二绝缘第二开口中以接触反射层；以及一第三绝缘结构，覆盖第一电极、第二电极和半导体结构，其中第一电极和第二电极分别包括一金属层以与第三绝缘结构相接触，金属层包括一材料具有大于1500达因/厘米(dyne/cm)的表面张力值和大于0.3伏(V)的标准还原电位。
附图说明
[0009]图1为本专利技术的一实施例中所揭示的发光元件1，1a的上视图；
[0010]图2为本专利技术的一实施例中所揭示的发光元件1的剖视图；
[0011]图3为本专利技术的一实施例中所揭示的发光元件1a的剖视图；
[0012]图4A为本专利技术的一实施例中所揭示的一发光元件2的上视图；
[0013]图4B为本专利技术的一实施例中的一发光封装体1P的立体示意图；
[0014]图4C为本专利技术的一实施例中的一发光封装体1P的下视图；
[0015]图4D为图4CX
‑
X线段的剖视图；
[0016]图5为本专利技术的一实施例的一发光装置3的示意图；
[0017]图6为本专利技术的一实施例的一发光装置4的示意图。
[0018]符号说明：
[0019]1，1a，2 发光元件
[0020]1P 发光封装体
[0021]3 发光装置
[0022]4 发光装置
[0023]10a 半导体叠层
[0024]11a 基板
[0025]11s 裸露面
[0026]20a 第一绝缘结构
[0027]30a 透明导电层
[0028]40a 反射层
[0029]41a 阻障层
[0030]50a 第二绝缘结构
[0031]51 封装基板
[0032]53 绝缘部
[0033]54 反射结构
[0034]60a 接触层
[0035]70a 第三绝缘结构
[0036]80a 第一薄焊垫
[0037]90a 第二薄焊垫
[0038]100a 通孔
[0039]101a 第一半导体层
[0040]102a 第二半导体层
[0041]102s 表面
[0042]103a 活性层
[0043]111a 环绕部
[0044]201a第一绝缘第一开口
[0045]202a第一绝缘第二开口
[0046]301a 外侧
[0047]401a 外侧
[0048]500a 第二绝缘结构的部分
[0049]501a 第二绝缘第一开口
[0050]502a 第二绝缘第二开本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，包含：半导体结构，包含第一半导体层，第二半导体层，及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；环绕部，围绕该半导体结构，且露出该第一半导体层的第一表面；透明导电层形成于该第二半导体层的表面上；绝缘结构，包含布拉格反射镜(DBR)结构，形成于该第一半导体层的该第一表面并覆盖该第二半导体层的该表面，包含第一开口以及第二开口；第一电极，形成在该环绕部上及该第二半导体层上；以及第二电极，形成在该第二半导体层上；其中该第一电极和该第二电极分别包括铂(Pt)的打线层以与焊料相接触，该第一电极和该第二电极相隔一距离小于50微米。2.一种发光元件，其特征在于，包含：半导体结构，包含第一半导体层，第二半导体层，及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；通孔，露出该第一半导体层；第一接合垫，形成在该第一半导体层上；以及第二接合垫，形成在该第二半导体层上；其中该第一接合垫和该第二接合垫分别包括铂(Pt)或金(Au)以与金属凸块相接触，该第一接合垫和该第二接合垫实质上具有相同的厚度，该金属凸块包含至少一种选自由锡、铜、银、铋、铟、锌和锑所组成群组中的材料。3.一种发光元件，其特征在于，包含：半导体结构，包含第一半导体层，第二半导体层，及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；通孔，露出该第一半导体层；第一接合垫，形成在该第一半导体层上；以及第二接合垫，形成在该第二半导体层上；其中该第一接合垫和该第二接合垫为金属多层结构，分别包括镍(Ni)层直接接触金属凸块，该第一接合垫和该第二接合垫实质上具有相同的厚度，该金属凸块包含至少一种选自由锡、铜、银、铋、铟、锌和锑所组成群组中的材料。4.一种发光元件，其特征在于，包含：半导体结构，包含第一半导体层，第二半导体层，及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；环绕部，围绕该半导体结构，且露出该第一半导体层的第一表面；透明导电层形成于该第二半导体层的表面上；第一电极，形成在该环绕部上且接触该第一半导体层；第二电极，形成在该第二半导体层上，该第一电极及/或该第二电极包含一最靠近该第一半导体层或该第二半导体的粘接层，该粘接层的材料包括铬(Cr)，钛(Ti)或铑(Rh)；绝缘结构，覆盖该第一电极及该第二电极，包含第一开口以露出该第一电极及第二开口以露出该第二电极，且包含具有不同折射率的两种以上的材料交替堆叠以形成一布拉格
反射镜(DBR)结构；第一薄...
【专利技术属性】
技术研发人员：林羿宏，陈昭兴，王佳琨，曾咨耀，余仁杰，陈冠吾，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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