半导体器件的电极制作方法及半导体器件技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的电极制作方法及半导体器件。所述方法包括：对半导体器件的基础结构的表面进行平坦化处理后，在该基础结构表面形成硬质化合物层，之后对硬质化合物层进行刻蚀，从而使基础结构表面的局部区域暴露，再对暴露出的局部区域粗糙化处理，其后在该暴露出的局部区域上形成金属叠层，而后通过退火使金属叠层中的至少一个金属层热膨胀并抵推硬质化合物层，其后使金属叠层降温，从而在金属叠层与硬质化合物层之间形成间隙，最后利用该间隙在金属叠层的顶端面和侧壁上覆盖连续惰性金属层，形成金属堆叠结构，该惰性金属层能很好的保护金属叠层不被腐蚀。利用本发明专利技术方法制作形成的电极耐腐蚀性好，能有效保障半导体器件的性能。障半导体器件的性能。障半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的电极制作方法及半导体器件


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种半导体器件的电极制作方法及半导体器件。

技术介绍

[0002]通常情况下，半导体器件的电极或者导电焊盘结构外围保护层均为SiO2材质，但由于LED芯片或者其他的半导体器件产品应用市场的需求不断提高，芯片尺寸不断地减小，使得传统的氧化硅材质的包覆材料已经无法很好地去保护金属电极层或者金属焊盘结构了，尤其在容易暴露在外的半导体器件(例如户外显示屏)产品上面，通用的市场环境可能需要长时间的暴露在空气和水的环境下，在长期变化的温度、水汽的侵蚀下，这将导致SiO2材质的半导体器件的外围保护层从金属电极或金属焊盘结构上脱落掉，二氧化硅层脱落之后，电极会受到外界空气和湿气的影响，会对电极产生氧化腐蚀，从而严重影响半导体芯片的使用性能。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的电极制作方法及半导体器件。
[0004]为实现前述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案包括：/>[0005]第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的电极制作方法，其特征在于，包括：S1、提供半导体器件的基础结构，并对所述基础结构的表面进行平坦化处理，以使所述基础结构的表面平滑；S2、在所述基础结构的表面形成硬质化合物层；S3、在所述硬质化合物层上设置图案化的光阻层，并利用所述光阻层对所述硬质化合物层进行刻蚀，以在所述硬质化合物层中形成开口，从而使所述基础结构表面的局部区域暴露出；S4、对所述基础结构表面从所述开口中暴露出的局部区域进行粗糙化处理；S5、在所述基础结构表面从所述开口中暴露出的局部区域上依次沉积多个金属层，形成金属叠层；S6、对所述金属叠层进行退火处理，以使其中的至少一个金属层热膨胀并驱使所述硬质化合物层向远离所述金属叠层的方向平移或压缩，之后对所述金属叠层进行降温处理，从而在所述金属叠层的侧壁与所述开口的内壁之间形成间隙；S7、在所述金属叠层的顶端面和侧壁上覆盖连续的惰性金属层，形成金属堆叠结构。2.根据权利要求1所述的电极制作方法，其特征在于，步骤S3中所述开口的顶部口径小于底部口径。3.根据权利要求2所述的电极制作方法，其特征在于，所述开口的侧壁与底端面形成的夹角为60
‑
80
°
。4.根据权利要求1所述的电极制作方法，其特征在于，步骤S4包括：去除所述光阻层后，再对所述基础结构表面从所述开...

【专利技术属性】
技术研发人员：李增林，王国斌，李利哲，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：