温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体器件的电极制作方法及半导体器件。所述方法包括：对半导体器件的基础结构的表面进行平坦化处理后，在该基础结构表面形成硬质化合物层，之后对硬质化合物层进行刻蚀，从而使基础结构表面的局部区域暴露，再对暴露出的局部区域粗糙化处理...
该专利属于江苏第三代半导体研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏第三代半导体研究院有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。