一种具有全方位反射电极的GaN基LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有全方位反射电极的GaN基LED芯片，所述芯片从下至上依次包括基板、键合金属层、全方位反射电极、量子阱有源层、P型GaN层、上电极，所述全方位反射电极由依次接触的N型GaN层、低折射率介质层、高光反射金属层组成，所述低折射率介质层经腐蚀处理后，和高光反射金属层二者复合形成导电结构，本发明专利技术还公开了该GaN基LED芯片的制备方法。本发明专利技术有效减少了上电极正下方无效的电流注入，减小了上电极对正下方发光区域的遮挡，可以同时兼顾芯片的电流扩展性能和高光反射性能，最终提升GaN基LED芯片的光提取效率。终提升GaN基LED芯片的光提取效率。终提升GaN基LED芯片的光提取效率。

【技术实现步骤摘要】
一种具有全方位反射电极的GaN基LED芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及发光二极管领域，尤其是涉及一种具有全方位反射电极的GaN基LED芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]20世纪90年代，高亮度氮化镓基蓝光发光二极管(Light
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Emitting Diode，LED)的诞生开启了半导体照明时代。LED是一种可将电能高效转化为光能的新型固态光源，具有发光效率高、节能、环保、寿命长、体积小等优点。半导体照明广泛应用的关键是提高氮化镓LED芯片的发光效率。影响LED芯片发光效率的因素主要有两个，一个是电子转化为光子的效率，也称内量子效率，一个是光子从LED芯片内部出射的效率，也称为光提取效率，两者共同决定了LED芯片的发光效率。
[0003]全方位反射镜（ODR）是针对传统的LED存在的光提取效率不够的问题而提出的新的结构设计，业界通常制作的P面全方位反射镜（ODR），可使得AlGaInP LED芯片光效提升17%左右。常见的ODR结构是通过在SiO2介质层上制作导电小孔结构，在此基础上蒸镀例如AuBe或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有全方位反射电极的GaN基LED芯片，其特征在于：从下至上依次包括：基板、键合金属层、全方位反射电极、量子阱有源层、P型GaN层、上电极，所述全方位反射电极由从上至下依次接触的N型GaN层、低折射率介质层、高光反射金属层组成，所述P型GaN层、量子阱有源层、N型GaN层依次生长形成外延层。2.根据权利要求1所述的具有全方位反射电极的GaN基LED芯片，其特征在于：所述低折射率介质层经腐蚀处理后，与高光反射金属层二者复合形成导电结构，所述上电极正下方对应的低折射率介质层区域不形成所述导电结构。3.根据权利要求1所述的具有全方位反射电极的GaN基LED芯片，其特征在于：所述低折射率介质层的折射率n=1～2.45，厚度d为λ/2n的整数倍，其中λ为GaN基LED的出射光波长。4.根据权利要求1所述的具有全方位反射电极的GaN基LED芯片，其特征在于：所述低折射率介质层的材料为SiO2、Si3N4或SiON。5.根据权利要求1所述的具有全方位反射电极的GaN基LED芯片，其特征在于：所述高光反射金属层为Al金属单层，厚度为100 nm～500nm。6.根据权利要求1所述的具有全方位反射电极的GaN基LED芯片，其特征在于：所述上电极为Ag、Au、Pt、Rh、Ru金属单层中的任意一种，或者为NiAg、NiAu、合金、ITO透明导电氧化物层中的任意一种，所述上电极的厚度为100 nm～1000nm。7.根据权利要求2所述的具有全方位反射电极的GaN基LED芯片，其特征在于：所述导电结...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈芳，吴小明，莫春兰，郑畅达，蒋恺，王立，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：发明
国别省市：