一种发光二极管芯片及显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种发光二极管芯片及显示装置，涉及显示设备技术领域，本申请所提供的发光二极管芯片，主要对连接层的结构的进行了改进，选用了熔点更低并且结构性能更为优秀的锑镍合金层来作为连接层，其中，锑镍合金层相较于传统方式当中的连接层，熔点更低，进而有效降低了工艺损耗，同时，锑镍合金层还具有着硬度更高的特性，降低了连接层形变的风险，有效提升了发光二极管芯片的性能。效提升了发光二极管芯片的性能。效提升了发光二极管芯片的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管芯片及显示装置


[0001]本申请涉及显示元件及显示设备
，尤其涉及一种发光二极管芯片及显示装置。

技术介绍

[0002]随着半导体发光技术的不断发展，发光二极管芯片已经被广泛地应用于显示装置和固定照明设备。
[0003]目前，发光二极管芯片的电极上一般设置有连接层，用于供后期封装打线，或者用于实现与例如延伸电极等其他电极之间的电性连接。而现有的连接层主要采用单质金制成，电极的器件成本较高，同时金还具有着熔点高、硬度低的特性。其中，金的高熔点特性会提升金属蒸镀机台的损耗，而金的低硬度特性容易导致连接层出现意外形变，进而影响产品的良率。

技术实现思路

[0004]综上，本申请所要解决的技术问题是提供一种发光二极管芯片，相较于现有技术，其工艺损耗低、结构性能更为优秀。
[0005]而本申请为解决上述技术问题所采用的技术方案为：
[0006]第一方面，本申请提供了一种发光二极管芯片，包括：
[0007]衬底；
[0008]发光结构，所述发光结构连接在所述衬底上；
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：衬底；发光结构，所述发光结构连接在所述衬底上；电极体，所述电极体为连接在所述发光结构上的层叠结构，所述电极体包括构成所述电极体最远离所述发光结构一层的连接层，所述连接层为锑镍合金层。2.如权利要求1所述发光二极管芯片，其特征在于，所述连接层的厚度尺寸为0.5至3.5μm。3.如权利要求1所述发光二极管芯片，其特征在于，所述电极体还包括保护层和反射层，所述反射层、所述保护层和所述连接层依次层叠设置。4.如权利要求3所述发光二极管芯片，其特征在于，所述保护层包括沿层叠方向依次层叠设置的多层保护金属层，其中，相邻两层所述保护金属层采用不同金属材料制成。5.如权利要求3所述发光二极管芯片，其特征在于，所述电极体还包括层叠在所述反射层背向于所述保护层一侧的黏附层，所述黏附层与所述发光结构相连接。6.如权利要求1所述发光二极管芯片，其特征在于，所述连接层背离于所述发光结构的表面为第一表面，所述第一表面上形成有凹陷结构，所述凹陷结构在垂直于所述第一表面方向上的投影形状为方型、圆型以及弧型中的任意一种或者几种的组合。7.如权利要求1至6...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亚，简弘安，张星星，胡加辉，金从龙，顾伟，李文涛，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：