基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构及其制作方法，该封装结构包括滤波器芯片和塑封层，在滤波器芯片的芯片焊盘上方设置有凸点和围挡层，围挡层和凸点上远离滤波器芯片的表面平齐并设置有重布线层和钝化层，钝化层设有容纳重布线层的第一通孔，围挡层上设有与第一通孔对应的第二通孔，凸点嵌入在第二通孔内，凸点的一端与芯片焊盘连接，凸点的另一端与重布线层连接，塑封层覆盖在滤波器芯片和围挡层的侧面和背面并使塑封层的表面与围挡层的表面平齐，并在重布线层在远离滤波器芯片的表面设有外接部。通过在围挡层上的第二通孔可以实现对位，可有效改善芯片偏移、晶圆翘曲以及空腔的局限性，且可省去基板，实现超薄封装，具备更优异的性能。具备更优异的性能。具备更优异的性能。

【技术实现步骤摘要】
基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]滤波器具有面积小、重量轻、损耗低和频率选择性好等优点，滤波器市场随着无线通信频段的增加而快速增长。滤波器在射频前端芯片中的应用范围十分广泛，双工器(Duplexer)和多工器(Multiplexer)内部的核心器件也是声表面波滤波器(SAW)。声表面波滤器目前主要的封装技术还是用引线键合陶瓷、金属、塑料封装、表面贴装和倒装焊等形式，现有的这类滤波器封装形式和结构存在以下缺点：
[0003]1、现有封装对基板及密封盖平整度要求严苛，容易引起产品可靠性失效。
[0004]2、器件安装准确性、信号导线的影响焊接角度等这一系列不定便造成了器件性能的不一致，甚至对滤波器造成破坏。
[0005]3、现有的封装基板尺寸较大，不满足当前尺寸小型化的要求。
[0006]4、现有部分封装形式厚度较厚，不满足当前射频模块的要求。
>[0007]特别是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构，其特征在于：包括滤波器芯片和塑封层，所述滤波器芯片包括谐振区以及所述谐振区以外的非谐振区，所述非谐振区上设有芯片焊盘，所述滤波器芯片的所述芯片焊盘上方设置有凸点和围挡层，所述围挡层和凸点上远离所述滤波器芯片的表面平齐并设置有重布线层和钝化层，所述钝化层设有容纳所述重布线层的第一通孔，所述围挡层上设有与所述第一通孔对应的第二通孔，所述凸点嵌入在所述第二通孔内，所述凸点的一端与所述芯片焊盘连接，所述凸点的另一端与所述重布线层连接，所述滤波器芯片的谐振区与所述钝化层之间设置有空腔，所述塑封层覆盖在所述滤波器芯片和所述围挡层的侧面和背面并使所述塑封层的表面与所述围挡层的表面平齐，在所述重布线层在远离所述滤波器芯片的表面设有外接部。2.根据权利要求1所述的基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构，其特征在于：所述围挡层上设有第三通孔，所述第三通孔的侧壁、所述钝化层和所述滤波器芯片的表面构成所述空腔。3.根据权利要求1所述的基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构，其特征在于：所述外接部为引出焊盘或焊球，所述钝化层上方还设有覆盖在所述焊球周围的强化层。4.根据权利要求1所述的基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构，其特征在于：所述钝化层的材料为干膜、玻璃或胶，所述钝化层和重布线层的表面平齐并且厚度均为5
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50um。5.根据权利要求1所述的基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构，其特征在于：所述重布线层的材料为光刻胶、干膜和塑封材料，所述围挡层的材料为光刻胶或干膜，所述围挡层的厚度范围为10
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40um。6.根据权利要求1所述的基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构，其特征在于：所述凸点的材料为金属柱或者锡球，所述凸点的厚度为10
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60um。7.根据权利要求1所述的基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构，其特征在于：所述滤波器芯片的表面与所述围挡层的表面之间的距离为10
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20um。8.一种基于权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄剑洪，姜峰，于大全，
申请(专利权)人：厦门云天半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：