一种体声波滤波器芯片的封装结构和方法技术

本发明专利技术提出了一种体声波滤波器芯片的封装结构和方法。所述封装结构包括基板、多个体声波滤波器芯片；所述多个体声波滤波器芯片设置在所述基板上；所述基板边沿设有第二基板PAD；所述每相邻两个体声波滤波器芯片之间设置有第一基板PAD；所述多个体声波滤波器芯片、第一基板PAD和第二基板PAD上布设有有机干膜并且，所述第一基板PAD和第二基板PAD上设有干膜开窗；所述有机干膜和干膜开窗上布设EMI屏蔽层；在所述EMI屏蔽层上设置有盖板；所述盖板与所述基板键合形成封装结构。与所述基板键合形成封装结构。与所述基板键合形成封装结构。

【技术实现步骤摘要】
30
°
+0.12α2≤α3≤0.75α1其中，α1、α2和α3分别对应表示第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽的倾斜槽壁的倾斜角度。
[0009]进一步地，所述第一基板PAD3和第二基板PAD4上分别设置有第一干膜开窗6和第二干膜开窗7；所述第一干膜开窗6和第二干膜开窗7之间的尺寸比例为：0.52L
p
≤L
a
≤0.7L
p
，0.50D
p
≤D
a
≤0.68D
p
L
b
≤(1
‑
H0/D)
×
L
a
D
b
≤D
a
其中，L
a
和D
a
分别表示第一干膜开窗的长边尺寸和短边尺寸；L
b
和D
b
分别表示第二干膜开窗的长边尺寸和短边尺寸；H0表示尺寸调节参数，H0的取值范围为0.23D≤H0≤0.85D；D表示体声波滤波器芯片2的短边对应的长度尺寸；L
p
和D
p
分别表示所述第一基板PAD3的长边长度和短边长度。
[0010]进一步地，所述EMI屏蔽层8采用导电环氧树脂材料制成。
[0011]一种体声波滤波器芯片的封装方法，所述封装方法包括：步骤1、在所述基板1上利用激光刻蚀方式形成第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；其中，所述第三凹槽与所述第二凹槽之间设有基板间隔距离；步骤2、在所述第二凹槽和第三凹槽内分别设置所述体声波滤波器芯片2；步骤3、在所述基板间隔距离上设置第一基板PAD3，并，在所述第一凹槽内设置与所述第一凹槽形状结构相契合的第二基板PAD4；步骤4、在所述体声波滤波器芯片2、裸露处的基板、第一基板PAD3和第二基板PAD4的上表面均附着有机干膜5；步骤5、利用激光打孔方式在所述第一基板PAD3上进行打孔开窗形成第一干膜开窗6；利用激光打孔方式在所述第二基板PAD4上进行打孔开窗形成第二干膜开窗7；步骤6、在有机干膜5、第一干膜开窗6和第二干膜开窗7上通过喷涂方式形成一层EMI屏蔽层8；步骤7、在所述EMI屏蔽层8上扣设盖板9并将所述盖板9与所述基板1通过键合连接形成封装结构。
[0012]进一步地，所述第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽均带有倾斜槽壁结构，并且，所述第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽的倾斜槽壁之间的倾斜角度通过如下约束条件进行确定：66
°
≤α1≤80
°
60
°
≤α2<α130
°
+0.12α2≤α3≤0.75α1其中，α1、α2和α3分别对应表示第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽的倾斜槽壁的倾斜角度；所述第一基板PAD3和第二基板PAD4上分别设置有第一干膜开窗6和第二干膜开窗7；所述第一干膜开窗6和第二干膜开窗7之间的尺寸比例为：0.52L
p
≤L
a
≤0.7L
p
，0.50D
p
≤D
a
≤0.68D
p
L
b
≤(1
‑
H0/D)
×
L
a
D
b
≤D
a
其中，L
a
和D
a
分别表示第一干膜开窗的长边尺寸和短边尺寸；L
b
和D
b
分别表示第二干膜开窗的长边尺寸和短边尺寸；H0表示尺寸调节参数，H0的取值范围为0.23D≤H0≤0.85D；D表示体声波滤波器芯片2的短边对应的长度尺寸；L
p
和D
p
分别表示所述第一基板PAD3的长边长度和短边长度。
[0013]本专利技术有益效果：本专利技术提出的一种体声波滤波器芯片的封装结构和方法能够通过开设干膜开窗和EMI屏蔽层的方式结合喷涂导电环氧树脂形成薄的金属保护层在基板PAD连接的同时起到隔离芯片之间电磁干扰的作用。另一方面，为了在最大限度的缩小滤波器尺寸的同时，能够有效提高各芯片功能线路之间的稳定信号连接性，通过对基板PAD的干膜开窗尺寸进行限定的方式能够在基板PAD设置极小的状态下，设置的干膜开窗能够使EMI屏蔽层快速全面的渗透至有机干膜下方的基板PAD上，防止干膜开窗尺寸过小，在加工过程中导致EMI屏蔽层下渗速度较慢以及下渗率较低使EMI屏蔽层无法与基板PAD全面接触的问题发生，同时，也防止干膜开窗尺寸过大导致基板PAD上表面的有机干膜覆盖率不足导致滤波器工作性能和抗电磁干扰性能降低的问题发生。
附图说明
[0014]图1为本专利技术所述封装结构的结构示意图一；图2为本专利技术所述封装结构的结构示意图二；图3为本专利技术所述封装方法的流程图；（1，基板；2，体声波滤波器芯片；3，第一基板PAD；4，第二基板PAD；5，有机干膜；6，第一干膜开窗；7，第二干膜开窗；8，EMI屏蔽层；9，盖板）。
具体实施方式
[0015]以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0016]本专利技术提出了一种体声波滤波器芯片的封装结构，如图1所示，所述封装结构包括基板1、多个体声波滤波器芯片2；所述多个体声波滤波器芯片2设置在所述基板1上；所述基板1边沿设有第二基板PAD4；所述每相邻两个体声波滤波器芯片2之间设置有第一基板PAD3；所述多个体声波滤波器芯片2、第一基板PAD3和第二基板PAD4上布设有有机干膜5并且，所述第一基板PAD3和第二基板PAD4上设有干膜开窗；所述有机干膜5和干膜开窗上布设EMI屏蔽层8；在所述EMI屏蔽层8上设置有盖板9；所述盖板9与所述基板1键合形成封装结构。其中，所述EMI屏蔽层8采用导电环氧树脂材料制成。
[0017]上述技术方案的原理和效果为：本实施例提出的一种体声波滤波器芯片的封装结构能够通过开设干膜开窗和EMI屏蔽层的方式结合喷涂导电环氧树脂形成薄的金属保护层在基板PAD连接的同时起到隔离芯片之间电磁干扰的作用。
[0018]本专利技术的一个实施例，如图2所示，所述基板1上设置有第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；所述第一凹槽用于设置第二基板PAD4；所述第二凹槽和第三凹槽均用于设置体声波滤波器芯片2；所述第一凹槽的深度小于第二凹槽和第三凹槽，且，所述第二凹槽和第三凹槽的深度相同。
[0019]所述第一凹槽的延所述基板边缘一侧的槽壁为倾斜式槽壁；所述第一凹槽的另一侧边沿与所述第二凹槽的边沿相衔接。
[0020]所述第二凹槽采用直角梯形槽体结构；所述第二凹槽的斜边槽壁与所述第一凹槽的边沿相衔接；所述第二凹槽的垂直深度满足：0.53W≤W1≤0.76W其中，W1表示第二凹槽的垂直深度；W表示所述体声波滤波器芯片2的厚度。
[0021]所述第三凹槽采用等腰梯形槽体结构；所述第三凹槽与所述第二凹槽之间设有基板间隔距离；所述基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括基板（1）、多个体声波滤波器芯片（2）；所述多个体声波滤波器芯片（2）设置在所述基板（1）上；所述基板（1）边沿设有第二基板PAD（4）；每相邻两个体声波滤波器芯片（2）之间设置有第一基板PAD（3）；所述多个体声波滤波器芯片（2）、第一基板PAD（3）和第二基板PAD（4）上布设有有机干膜（5）并且，所述第一基板PAD（3）和第二基板PAD（4）上设有干膜开窗；所述有机干膜（5）和干膜开窗上布设EMI屏蔽层（8）；在所述EMI屏蔽层（8）上设置有盖板（9）；所述盖板（9）与所述基板（1）键合形成封装结构。2.根据权利要求1所述封装结构，其特征在于，所述基板（1）上设置有第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；所述第一凹槽用于设置第二基板PAD（4）；所述第二凹槽和第三凹槽均用于设置体声波滤波器芯片（2）；所述第一凹槽的深度小于第二凹槽和第三凹槽，且，所述第二凹槽和第三凹槽的深度相同。3.根据权利要求2所述封装结构，其特征在于，所述第一凹槽的延所述基板边缘一侧的槽壁为倾斜式槽壁；所述第一凹槽的另一侧边沿与所述第二凹槽的边沿相衔接。4.根据权利要求2所述封装结构，其特征在于，所述第二凹槽采用直角梯形槽体结构；所述第二凹槽的斜边槽壁与所述第一凹槽的边沿相衔接；所述第二凹槽的垂直深度满足：0.53W≤W1≤0.76W其中，W1表示第二凹槽的垂直深度；W表示所述体声波滤波器芯片（2）的厚度。5.根据权利要求2所述封装结构，其特征在于，所述第三凹槽采用等腰梯形槽体结构；所述第三凹槽与所述第二凹槽之间设有基板间隔距离；所述基板间隔距离H1的范围为：0.37H≤H1≤0.55H其中，H表示所述体声波滤波器芯片（2）的长度。6.根据权利要求2所述封装结构，其特征在于，所述第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽的倾斜槽壁之间的倾斜角度通过如下约束条件进行确定：66
°
≤α1≤80
°
60
°
≤α2<α130
°
+0.12α2≤α3≤0.75α1其中，α1、α2和α3分别对应表示第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽的倾斜槽壁的倾斜角度。7.根据权利要求1所述封装结构，其特征在于，所述第一基板PAD（3）和第二基板PAD（4）上分别设置有第一干膜开窗（6）和第二干膜开窗（7）；所述第一干膜开窗（6）和第二干膜开窗（7）之间的尺寸比例为：0.52L
p
≤L
a
≤0.7L
p
，0.50D
p
≤D
a
≤0.68D
p
L
b
≤(1
‑
H0/D)
×
L
a
D
b
≤D
a
其中，L
a
和D
a
分别表示第一干膜开窗的长边尺寸和短边尺寸；L
b
和D
b
分别表示第二干膜开窗的长边尺寸和短边尺寸；H0表示尺寸...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ五一IntClH零三H九一零，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：