滤波器的晶圆封装结构及方法技术

本发明专利技术公开了一种滤波器的晶圆封装结构及方法，该晶圆封装结构包括衬底晶圆和玻璃晶圆，衬底晶圆上设有滤波器部件和第一键合物，玻璃晶圆中采用激光诱导玻璃变性及湿法刻蚀形成TGV孔，在玻璃晶圆的第一表面及TGV孔内电镀形成有第一金属布线层，第一金属布线层在TGV孔内为不完全填充，可有效缩短电镀的时间，提升封装效率达80％以上，并改善第一金属布线层厚度均匀性，提升键合良率。在第一金属布线层上制作第二键合物，并对玻璃晶圆的第二表面进行减薄，使TGV孔底部的第一金属布线层裸露出来，使其与外部信号互连。第一键合物和第二键合物通过固

【技术实现步骤摘要】
滤波器的晶圆封装结构及方法


[0001]本专利技术涉及晶圆级封装领域，特别是一种滤波器的晶圆封装结构及方法。

技术介绍

[0002]体声波滤波器(Bulk acoustic wave,BAW)采用石英晶体/硅作为基板，基本结构是两个金属电极夹着压电薄膜，压电薄膜在2GHz下的厚度只有2μm，超过2GHz，薄膜沉积厚度将更薄。声波在压电层内震荡形成驻波，发生共振的频率由平板的厚度和电极的质量决定。为把声波留在压电层内震荡，震荡结构与外界环境必须有足够的隔离才能得到较小的插入损耗和较高的Q值。为了提供BAW滤波器装置的最佳的性能，BAW滤波器压电层结构应封装在可靠的密闭空腔中，以阻挡湿气的渗入。
[0003]因此，需制作盖帽晶圆，与体声波滤波器晶圆进行键合，以在芯片压电层上形成密封的空腔结构，阻止外界水汽、腐蚀液等侵入造成器件失效。业界常用封装解决方案：如硅
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硅(Silicon
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Silicon)直接键合技术、硅
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玻璃(Silicon
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Glass)阳极键合技术以及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波器的晶圆封装方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供衬底晶圆，所述衬底晶圆的第一表面上设有滤波器部件和第一键合物，所述第一键合物设置在所述滤波器部件的周围；2)提供玻璃晶圆，在所述玻璃晶圆的第一表面上制作TGV孔，在所述玻璃晶圆的第一表面上电镀形成第一金属布线层，所述第一金属布线层还覆盖在所述TGV孔的侧壁和底部且不完全填充在所述TGV孔内；3)在所述玻璃晶圆的第一表面的第一金属布线层上制作第二键合物，将所述玻璃晶圆或所述衬底晶圆倒置后，采用固
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液互扩散低温晶圆级键合的方式将所述第一键合物与所述第二键合物键合并生成金属间化合物；4)将所述玻璃晶圆的第二表面减薄至裸露出所述TGV孔底部的所述第一金属布线层；5)在所述玻璃晶圆的第二表面上制作焊接部，所述焊接部与裸露出的第一金属布线层连接。2.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆封装方法，其特征在于，所述步骤2中通过激光诱导玻璃变性及湿法刻蚀形成所述TGV孔。3.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆封装方法，其特征在于，所述第一键合物为金焊盘，所述第二键合物为Sn焊料，所述第一键合物和所述第二键合物键合后生成AuSn合金相。4.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆封装方法，其特征在于，所述焊接部包括焊球，所述步骤5具体包括：在所述玻璃晶圆的第二表面的裸露出的所述第一金属布线层上方制作焊球。5.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆封装方法，其特征在于，所述焊接部包括第二金属布线层、焊球和阻焊层，所述步骤5具体包括：在所述玻璃晶圆的第二表面上制作第二金属布线层，所述第二金属布线层与裸露出的所述第一金属布线层连接；在所述第二金属布...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈作桓，于大全，阮文彪，张名川，
申请(专利权)人：厦门云天半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：