集成电路组件及其制作方法技术

本申请公开了一种集成电路组件及其制作方法。该制作方法包括：将多个晶圆进行键合，多个晶圆至少包括第一晶圆和第二晶圆，修整第二晶圆的边缘部分形成台阶；填充该台阶形成支撑层；以及对第二晶圆的第一表面进行化学机械抛光获得平整表面，其中，所述第二晶圆的第一表面远离所述第一晶圆。该集成电路组件通过修整去除第二晶圆的边缘部分，并且采用支撑层提供保护以免化学机械抛光工艺期间发生更严重的边缘厚度小于中心厚度的问题，从而可以获得平整表面，在光刻工艺中可以准确聚焦，从而提高集成电路组件的良率和可靠性。集成电路组件的良率和可靠性。集成电路组件的良率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
集成电路组件及其制作方法


[0001]本专利技术属于半导体
，更具体地，涉及集成电路组件及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着芯片制造技术的发展，已经开发出堆叠的集成电路组件。将不同的电路单元形成在多个晶圆上，然后将多个晶圆键合在一起且经由导电通道互连，从而形成集成电路组件。采用堆叠的集成电路组件可以减少芯片占用面积、减小寄生效应、提高响应速度、降低功耗、以及支持异构集成。
[0003]然而，该集成电路组件中的堆叠晶圆有可能导后续致工艺中的困难。例如，在将多个晶圆键合形成集成电路组件之后，对至少一个晶圆的表面进行减薄和光刻以形成布线或焊盘。由于在化学机械抛光工艺减薄过程中，出现晶圆边缘厚度小于中心厚度的问题，不仅在边缘位置导致键合强度降低，而且由于晶圆表面不平整而难以进行对焦。
[0004]期望进一步改进集成电路组件的结构及其制作方法，以提高集成电路组件的良率和可靠性。

技术实现思路

[0005]鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种集成电路组件及其制作方法，其中，将多个晶圆键合在一起，修整第二晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路组件的制作方法，其特征在于，包括：将多个晶圆进行键合，所述多个晶圆至少包括第一晶圆和第二晶圆；修整所述第二晶圆的边缘部分形成台阶；填充所述台阶形成支撑层；以及对所述第二晶圆的第一表面进行化学机械抛光获得平整表面；其中，所述第二晶圆的第一表面远离所述第一晶圆。2.根据权利要求1所述的集成电路组件，其特征在于，所述多个晶圆还包括：多个第三晶圆，位于第一晶圆和第二晶圆之间，其中，所述台阶从所述第二晶圆延伸至所述第一晶圆中。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，修整所述第二晶圆的边缘部分形成台阶包括：沿着所述多个晶圆的圆周方向研磨所述第二晶圆的边缘部分形成彼此连接的台阶侧面和台阶表面。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，修整所述第二晶圆的边缘部分形成台阶还包括：研磨去除所述多个晶圆的第一晶圆的边缘部分的一部分，使得所述边缘部分的剩余部分表面形成所述台阶表面和台阶侧面的一部分。5.根据权利要求1所述的制作方法，其中，所述支撑层由氧化硅或氮化硅组成。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：对所述支撑层的边缘部分进行蚀刻，以获得与所述第一晶圆的圆周面齐平的侧面。7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：采用所述第二晶圆为停止层进行对所述支撑层化学机械抛光，以获得与所述第二晶圆的第一表面齐平的表面。8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第二晶圆的第一表面进行化学机械抛光包括：采用夹持部接触所述支撑层的侧面，从而夹持所述集成电路组件；以及采用抛光垫接触所述第二晶圆的第一表面进行化学机械抛光。9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二晶圆的边缘部分包括晶圆厚度朝着边缘方向减小的部分。10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一晶圆包括存储晶体管阵列，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔龙云，李漾，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：