一种改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法技术

本发明专利技术涉及改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法，在对LTO背封层去边时进行，先进行倒角，将倒角参数设定为300μm以内；而后进行HF腐蚀，HF腐蚀药液的体积为业界常规去边腐蚀液药液体积X的40％～50％，腐蚀时间为业界常规去边腐蚀液时间Y的70％～80％。本发明专利技术具体通过LTO膜去边距离调整、去边区域彩虹区大小调整以及平衡彩虹区与硅渣残留问题，有效降低半导体抛光片RRG水平至1％以下，且不会产生硅渣，有效的找到了一种改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法，极具创新性与实用性。极具创新性与实用性。极具创新性与实用性。

【技术实现步骤摘要】
一种改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法


[0001]本专利技术属于半导体衬底抛光片
，具体涉及一种改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法。

技术介绍

[0002]半导体抛光片作为各类电子产品的基础材料，随着市场竞争日趋严峻，客户对于衬底抛光片质量越来越高，尤其是在背封LTO去边方面，客户对于去边要求越来越严格：去边距离过小，则LTO膜容易残留在倒角面，在外延时容易产生硅渣；去边距离过大会导致外延后自掺杂。
[0003]自掺杂问题直接影响外延片RRG水平(RadialReststivityVariation是指硅片中心点与偏离硅片中心的某一点或若干对称分布的设定值(硅片半径1/2或靠近边缘处)的电阻率之间的差值，径向电阻率变化这种差值可表示为中心值的百分数，又称径向电阻率梯度)。RRG的参数作为半导体硅片生产加工的一个重要参数值，往往会直接影响到下游芯片及器件生产的性能。
[0004]目前业界衬底硅片外延后RRG普遍水平在10％左右。常规LTO膜去边工艺模型参见图1，在去边时腐蚀药液会有渗酸现象出现，一直很难控制，原因在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法，其特征在于，在对LTO背封层去边时进行，先进行倒角，将倒角参数设定为300μm以内；而后进行HF腐蚀，HF腐蚀药液的体积为业界常规去边腐蚀液药液体积X的40％～50％，腐蚀时间为业界常规去边腐蚀液时间Y的70％～80％，HF腐蚀药液中，HF的浓度为49％
±
10％。2.根据权利要求1所述的改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法，其特征在于：其中，倒角参数设定为200～250μm范围内。3.根据权利要求1所述的改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢运增，洪漪，胡久林，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：