薄膜晶体管、OLED显示面板制造技术

本申请实施例公开了一种薄膜晶体管、一种OLED显示面板，该薄膜晶体管包括柔性衬底、屏蔽层、缓冲层、有源层，屏蔽层和缓冲层设置于柔性衬底和有源层之间，其中，缓冲层至少包括第一氧化硅层，第一氧化硅层的介电常数范围为4.04至4.1；通过增大第一氧化硅层的介电常数，降低柔性层与有源层之间的电容，从而缓解柔性层处的电荷对有源层产生的背沟道效应，改善了亮度下降和图像粘粘的问题。亮度下降和图像粘粘的问题。亮度下降和图像粘粘的问题。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、OLED显示面板


[0001]本申请涉及柔性显示
，具体涉及一种薄膜晶体管、一种OLED显示面板。

技术介绍

[0002]现有薄膜晶体管通常采用柔性PI材料作为衬底，在生产制造过程中膜晶体管工作时，柔性衬底PI材料里面的分子受到电场作用发生极化，从而在层界面处聚集电荷，这部分电荷会反作用到有源层，对薄膜晶体管产生背沟道效应影响，造成亮度下降及图像粘粘。
[0003]因此，现有薄膜晶体管存在柔性PI衬底中的电荷产生背沟道效应的技术问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种薄膜晶体管、一种OLED显示面板，可以缓解现有薄膜晶体管存在柔性PI衬底中的电荷产生背沟道效应的技术问题。
[0005]本申请实施例提供一种薄膜晶体管，包括：
[0006]柔性衬底；
[0007]屏蔽层，所述屏蔽层设置于所述柔性衬底上方；
[0008]缓冲层，所述缓冲层设置于所述柔性衬底、所述屏蔽层上方，所述缓冲层至少包括第一氧化硅层；以及
[0009]有源层，所述有源层设置于所述缓冲层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：柔性衬底；屏蔽层，所述屏蔽层设置于所述柔性衬底上方；缓冲层，所述缓冲层设置于所述柔性衬底、所述屏蔽层上方，所述缓冲层至少包括第一氧化硅层；以及有源层，所述有源层设置于所述缓冲层上方；其中，所述第一氧化硅层的介电常数范围为4.04至4.1。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述柔性衬底、所述屏蔽层上还设置有阻隔层，所述阻隔层至少包括第二氧化硅层，所述阻隔层的膜层厚度与所述缓冲层的膜层厚度之和大于或等于11000埃。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一氧化硅层的膜层厚度大于或等于4000埃。4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二氧化硅层的膜层厚度大于或等于6000埃。5.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二氧化硅层的介电常数范围为4.04至4.1。6.如权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨刚，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：