氧化物半导体膜及半导体装置制造方法及图纸

本公开的发明专利技术名称是“氧化物半导体膜及半导体装置”。本发明专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包含In、M及Zn。M表示Al、Ga、Y或Sn。在氧化物半导体膜的In的比例为4的情况下，M的比例为1.5以上且2.5以下且Zn的比例为2以上且4以下。1.5以上且2.5以下且Zn的比例为2以上且4以下。1.5以上且2.5以下且Zn的比例为2以上且4以下。

【技术实现步骤摘要】
氧化物半导体膜及半导体装置


[0001]本专利技术涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组成物(composition of matter)。本专利技术的一个方式尤其涉及一种氧化物半导体膜或者该氧化物半导体膜的制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、它们的驱动方法或它们的制造方法。
[0002]注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管等半导体元件、半导体电路、运算装置及存储装置是半导体装置的一个方式。摄像装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、电光装置、发电装置(包括薄膜太阳能电池和有机薄膜太阳能电池等)及电子设备也可以包括半导体装置。

技术介绍

[0003]在非专利文献1中，公开了以In1‑
x
Ga
1+x
O3(ZnO)
m
(
‑
1≤x≤，m为自然数)表示的同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：衬底上的氧化物半导体膜、栅电极、以及所述氧化物半导体膜和所述栅电极之间的栅绝缘膜，所述氧化物半导体膜具有In、M和Zn，所述M代表Al、Ga、Y或Sn，所述氧化物半导体膜的所述In、所述M以及所述Zn的原子数之比满足In:M:Zn=4:(1.5
‑
2.5):(2
‑
4)，所述氧化物半导体膜具有结晶部。2.一种半导体装置，包括：晶体管，所述晶体管包含衬底上的氧化物半导体膜、栅电极、所述氧化物半导体膜和所述栅电极之间的栅绝缘膜、与所述氧化物半导体膜电连接的源电极和漏电极，所述晶体管上的绝缘膜，所述绝缘膜上的显示元件，所述氧化物半导体膜具有In、M和Zn，所述M代表Al、Ga、Y或Sn，所述氧化物半导体膜的所述In、所述M和所述Zn的原子数之比满足In:M:Zn=4:(1.5
‑
2.5):(2
‑
4)，所述氧化物半导体膜具有结晶部，所述显示元件的像素电极与所述晶体管的所述源电极或所述漏电极之一电连接，所述显示元件是发光元件或液晶元件。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述结晶部具有c轴取向。4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜具有氢浓度小于1
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原子/cm3的区域。5.如权利要求1或2所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：下村明久，肥塚纯一，冈崎健一，山根靖正，佐藤裕平，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：