一种晶体管、制备方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种晶体管、制备方法、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，能够提高TFT的性能，可以满足中大尺寸显示产品的高分辨率和高刷新频率的要求。晶体管包括：衬底层；栅极，所述栅极设置于所述衬底层的一侧，所述栅极包括第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第一金属层设置于所述衬底层与所述第二金属层之间，所述第二金属层设置于所述第一金属层与所述第三金属层之间，所述第一金属层的方阻和所述第三金属层的方阻均大于所述第二金属层的方阻。金属层的方阻。金属层的方阻。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体管、制备方法、显示面板及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种晶体管、制备方法、显示面板及显示装置。

技术介绍

[0002]随着显示产品消费者的时长需求规格的不断提升，尤其对中大尺寸显示产品的要求越来越高，例如高分辨率、高刷新频率等要求越来越高。在显示面板中，TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)作为显示像素的开关，以实现画面的显示。TFT的性能则直接影响着显示面板的显示性能，现有的TFT的性能难以满足中大尺寸显示产品的高分辨率和高刷新频率的要求。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种晶体管、制备方法、显示面板及显示装置，能够提高TFT的性能，可以满足中大尺寸显示产品的高分辨率和高刷新频率的要求。
[0004]本申请实施例的第一方面，提供一种晶体管，包括：
[0005]衬底层；
[0006]栅极，所述栅极设置于所述衬底层的一侧，所述栅极包括第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第一金属层设置于所述衬底层与所述第二金属层之间，所述第二金属层设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其特征在于，包括：衬底层；栅极，所述栅极设置于所述衬底层的一侧，所述栅极包括第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第一金属层设置于所述衬底层与所述第二金属层之间，所述第二金属层设置于所述第一金属层与所述第三金属层之间，所述第一金属层的方阻和所述第三金属层的方阻均大于所述第二金属层的方阻。2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一金属层的稳定性和所述第三金属层的稳定性均高于所述第二金属层的稳定性。3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，还包括：半导体层，所述半导体层设置于所述衬底层与所述栅极之间，或，所述栅极设置于所述衬底层与所述半导体层之间；所述半导体层包括多晶硅或氧化物半导体。4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一金属层的材料与所述第三金属层的材料相同。5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第二金属层的材料包括铝、铜和银中的一种。6.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，在所述第二金属层的材料包括铝的情况下，所述第一金属层的材料包括钼或钛，所述第三金属层的材料包括钼；在所述第二金属层的材料包括铜的情况下，所述第一金属层的材料和所述第三金属层的材料均包括铜的化合物；在所述第二金属层的材料包括银的情况下，所述第一金属层的材料和所述第三金属层的材料均包括氧化铟锡。7.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，在所述第二金属层的材料包括铝，所述第一金属层的材料和所述第三金属层的材料均包括钼的情况下，所述第一金属层的厚度为70
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90nm，所述第二金属层的厚度为290
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310nm，所述第三金属层的厚度为40
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60nm。8.一种晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底层；在所述衬底层的一侧依次设置第一金属层、第二金属层和第三金属层，以形成栅极，其中，所述第一金属层的方阻和所述第三金属层的方阻均大于所述第二金属层的方阻。9.根据权利要求8所述的晶体管的制备方法，其特征在于，还包括：测试所述第二金属层在不同膜层厚度条件下的方阻；结合所述第二金属层的膜层制备工艺能力以及膜层可靠性，确定方阻最小的膜层厚度为所述第二金属层的目标膜层厚度。10.根据权利要求9所述的晶体管的制备方法，其特征在于，还包括：在所述第二金属层的膜层厚度为所述目标膜层厚度的情况下，测试不同膜层厚度搭配条件下的所述栅极的截面形貌，其中，所述膜层厚度搭配条件是所...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫雷，方业周，李峰，姚磊，李凯，苏海东，候林，朱晓刚，杨桦，王成龙，高云，孟浩，孟艳艳，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：