一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板技术

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板，涉及显示技术领域，该薄膜晶体管可以有效的将源漏层与有源层之间聚集的热量进行散发，使得源漏层与有源层搭接处的热聚集减少，从而有效提升薄膜晶体管的性能。该薄膜晶体管包括：衬底；栅极，设置在所述衬底的上方；有源层，设置在所述栅极远离所述衬底的一侧，所述有源层具有沟道区以及位于所述沟道区两侧的导体化区；源漏层，设置在所述有源层远离所述栅极的一侧、且与所述导体化区的有源层直接搭接；所述有源层在所述衬底上的正投影的至少一个边界位于所述栅极在所述衬底上的正投影以内。投影以内。投影以内。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板。

技术介绍

[0002]GOA(Gate Driver on Array，阵列基板行驱动)电路可以设置在显示装置的非显示区，用以实现窄边框。GOA电路一般是由多个晶体管电连接形成的，该晶体管常用TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)，其中，TFT包括氧化物TFT等等。
[0003]但是，目前的氧化物TFT的散热能力较差，热量聚集太多容易导致TFT出现阈值电压漂移等问题，从而严重影响氧化物TFT的性能，进而导致GOA电路无法正常运行，用户体验差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板，该薄膜晶体管可以有效的将源漏层与有源层之间聚集的热量进行散发，使得源漏层与有源层搭接处的热聚集减少，从而有效提升薄膜晶体管的性能，用户体验佳。
[0005]为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：
[0006]一方面，提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板，该薄膜晶体管包括：
[0007]衬底；
[0008]栅极，设置在所述衬底的上方；
[0009]有源层，设置在所述栅极远离所述衬底的一侧，所述有源层具有沟道区以及位于所述沟道区两侧的导体化区；
[0010]源漏层，设置在所述有源层远离所述栅极的一侧、且与所述导体化区的有源层直接搭接；
[0011]所述有源层在所述衬底上的正投影的至少一个边界位于所述栅极在所述衬底上的正投影以内。
[0012]可选的，所述有源层在所述衬底上的正投影位于所述栅极在所述衬底上的正投影以内。
[0013]可选的，所述有源层在所述衬底上的正投影的一个或部分边界位于所述栅极在所述衬底上的正投影以内、且所述有源层在所述衬底上的正投影的其它边界与所述栅极在所述衬底上的正投影的一个或部分边界重合。
[0014]可选的，有源层在衬底上的正投影的边界，与栅极在衬底上的正投影中与有源层在衬底上的正投影的边界位于同侧的边界的间距大于或等于30um。
[0015]可选的，所述间距包括30um
‑
100um。
[0016]可选的，所述有源层的材料包括氧化物。
[0017]可选的，所述薄膜晶体管还包括设置在所述栅极和所述有源层之间的栅绝缘层。
[0018]另一方面，提供了一种显示基板，包括上述的薄膜晶体管。
[0019]可选的，所述显示基板包括显示区和与所述显示区相连的非显示区，所述薄膜晶体管设置在所述非显示区。
[0020]再一方面，提供了一种薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括：
[0021]提供衬底；
[0022]在所述衬底上形成栅极；
[0023]在所述栅极上形成有源层；
[0024]在所述有源层上形成源漏层；其中，所述有源层具有沟道区以及位于所述沟道区两侧的导体化区；所述源漏层与所述导体化区的有源层直接搭接；所述有源层在所述衬底上的正投影的至少一个边界位于所述栅极在所述衬底上的正投影以内。
[0025]本专利技术的实施例提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：衬底；栅极，设置在衬底的上方；有源层，设置在栅极远离衬底的一侧，有源层具有沟道区以及位于沟道区两侧的导体化区；源漏层，设置在有源层远离栅极的一侧、且与导体化区的有源层直接搭接；有源层在衬底上的正投影的至少一个边界位于栅极在衬底上的正投影以内。此时，栅极在衬底上的正投影覆盖有源层在衬底上的正投影的至少一个边界，也即将有源层边界至栅极边界的距离增大，因此栅极可以有效的将源漏层与有源层之间聚集的热量进行散发，即薄膜晶体管工作时产生的热聚集可以通过栅极导出，使得源漏层与有源层搭接处的热聚集减少，从而可以有效减少薄膜晶体管的阈值电压漂移等问题，进而有效提升薄膜晶体管的性能，用户体验佳。
[0026]上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1为本专利技术实施例提供的一种相关技术中的单晶硅薄膜晶体管的结构示意图；
[0029]图2为本专利技术实施例提供的一种相关技术中的氧化物薄膜晶体管的结构示意图；
[0030]图3为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0031]图4为本专利技术实施例提供的另一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0032]图5为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的俯视图；
[0033]图6为本专利技术实施例提供的三种不同薄膜晶体管的电压电流应力图；
[0034]图7
‑
图9为本专利技术实施例提供的图3所示的薄膜晶体管的制备流程图。
具体实施方式
[0035]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他
实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0036]在本专利技术的实施例中，“至少一个”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
[0037]在本专利技术的实施例中，术语“上”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0038]在对本申请实施例进行详细说明之前，首先需要对薄膜晶体管的结构进行简单介绍。
[0039]请参阅图1和图2所示，图1是相关技术中的一种单晶硅薄膜晶体管的结构示意图，图2是相关技术中的一种氧化物薄膜晶体管的局部结构示意图。参考图1所示，在玻璃衬底11上依次层叠设置的有Gate(栅极)12、GI(栅绝缘层)层13、单晶硅有源层14、欧姆接触层15、源极51和漏极52。在图1所示的单晶硅薄膜晶体管中，由于源极51、漏极52分别与单晶硅有源层14之间设置有欧姆接触层15，使得源极51、漏极52分别与单晶硅有源层14搭接区域之间的接触电阻较小，从而有效的避免了在源极51、漏极52分别与单晶硅有源层14搭接的区域出现热聚集等问题，保证了单晶硅薄膜晶体管的性能。
[0040]但是，在氧化物薄膜晶体管中，参考图2所示，源极51、漏极52分别与氧化物有源层16直接接触，电压、电流等流经漏极5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；栅极，设置在所述衬底的上方；有源层，设置在所述栅极远离所述衬底的一侧，所述有源层具有沟道区以及位于所述沟道区两侧的导体化区；源漏层，设置在所述有源层远离所述栅极的一侧、且与所述导体化区的有源层直接搭接；所述有源层在所述衬底上的正投影的至少一个边界位于所述栅极在所述衬底上的正投影以内。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层在所述衬底上的正投影位于所述栅极在所述衬底上的正投影以内。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层在所述衬底上的正投影的一个或部分边界位于所述栅极在所述衬底上的正投影以内、且所述有源层在所述衬底上的正投影的其它边界与所述栅极在所述衬底上的正投影的一个或部分边界重合。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层在所述衬底上的正投影的边界，与所述栅极在所述衬底上的正投影中与所述有源层在所述衬底上的正投影的所述边界位于同侧的边界的间距大于...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄艺芳，谢鑫，丘鹤元，
申请(专利权)人：福州京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：