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本申请实施例公开了一种薄膜晶体管、一种OLED显示面板,该薄膜晶体管包括柔性衬底、屏蔽层、缓冲层、有源层,屏蔽层和缓冲层设置于柔性衬底和有源层之间,其中,缓冲层至少包括第一氧化硅层,第一氧化硅层的介电常数范围为4.04至4.1;通过增大第一...该专利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。
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本申请实施例公开了一种薄膜晶体管、一种OLED显示面板,该薄膜晶体管包括柔性衬底、屏蔽层、缓冲层、有源层,屏蔽层和缓冲层设置于柔性衬底和有源层之间,其中,缓冲层至少包括第一氧化硅层,第一氧化硅层的介电常数范围为4.04至4.1;通过增大第一...