导电结构及其制备方法、晶体管及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术提供了一种导电结构及其制备方法、晶体管及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，避免与水汽发生反应出现腐蚀问题，从而提高抗氧化性和产品性能。导电结构的制备方法包括：在前膜层上形成导电薄膜、以及覆盖导电薄膜的第一导电隔离薄膜；采用第一刻蚀液对第一待刻蚀部和第三待刻蚀部进行湿法刻蚀，去除第一待刻蚀部和第三待刻蚀部；采用第二刻蚀液对第二待刻蚀部进行湿法刻蚀，去除第二待刻蚀部；采用等离子体对第一导电隔离部进行轰击，使得第一导电隔离部中未覆盖导电部的部分至少覆盖导电部的部分侧面。少覆盖导电部的部分侧面。少覆盖导电部的部分侧面。

【技术实现步骤摘要】
导电结构及其制备方法、晶体管及其制备方法、显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种导电结构及其制备方法、晶体管及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]Mini
‑
LED为芯片尺寸在200微米以下的产品。玻璃基或PI基Mini
‑
LED背光因其可实现超薄，能够在现实效果上媲美OLED产品，且在材料成本上又能够较OLED更有竞争优势而被提出使用。
[0003]采用氧化物技术形成的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)凭借均匀性好、迁移率高等特点，在薄膜晶体管领域中占据重要地位。氧化物型薄膜晶体管的源漏极多采用金属铜制作，但是铜容易与侵入的水汽发生反应，从而发生腐蚀，进而影响晶体管的特性。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例提供一种导电结构及其制备方法、晶体管及其制备方法、显示面板，避免与水汽发生反应出现腐蚀问题，从而提高抗氧化性和产品性能。
[0005]为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电结构的制备方法，其特征在于，包括：在前膜层上形成导电薄膜、以及覆盖所述导电薄膜的第一导电隔离薄膜，其中，所述导电薄膜包括第一待刻蚀部、第二待刻蚀部和导电部，所述第一待刻蚀部围绕所述第二待刻蚀部，所述第二待刻蚀部围绕所述导电部；所述第一导电隔离薄膜包括第三待刻蚀部和第一导电隔离部，所述第三待刻蚀部围绕所述第一导电隔离部；所述导电部在所述前膜层上的正投影位于所述第一导电隔离部在所述前膜层上的正投影以内；采用第一刻蚀液对所述第一待刻蚀部和所述第三待刻蚀部进行湿法刻蚀，去除所述第一待刻蚀部和所述第三待刻蚀部；采用第二刻蚀液对所述第二待刻蚀部进行湿法刻蚀，去除所述第二待刻蚀部，其中，所述第二待刻蚀部被所述第二刻蚀液刻蚀的速率大于所述第一导电隔离部被所述第二刻蚀液刻蚀的速率；采用等离子体对所述第一导电隔离部进行轰击，使得所述第一导电隔离部中未覆盖所述导电部的部分至少覆盖所述导电部的部分侧面，形成所述导电结构。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一导电隔离部的材料的抗氧化性大于所述导电部的材料的抗氧化性。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一导电隔离部的材料包括钼、铌、镍、钛中的任一种或者任意组合，所述导电部的材料包括铜或者铝。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述导电部的材料包括铜、所述第一导电隔离部的材料包括钼铌合金的情况下，所述第一刻蚀液包括双氧水，所述第二刻蚀液包括硝酸。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，1＜所述第二待刻蚀部被所述第二刻蚀液刻蚀的速率与所述第一导电隔离部被所述第二刻蚀液刻蚀的速率的比值＜1000。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，1/20＜所述第一导电隔离部沿垂直于所述前膜层方向的厚度与所述导电部沿垂直于所述前膜层方向的厚度的比值＜1/2。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述采用等离子体对所述第一导电隔离部进行轰击包括：在预设温度下，采用氮气等离子体对所述第一导电隔离部进行轰击，其中，250℃＜所述预设温度＜400℃。8.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：谌伟，黄中浩，吴旭，杨宇桐，刘丹，田茂坤，宁智勇，
申请(专利权)人：重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：