充电电路制造技术

因为对蓄电元件的充电需要在光发电元件产生的电动势和防逆流二极管的正方向导通电压以上，所以充电效率差。进而，如果考虑光发电元件的高照度时的电流供给量则面积大。通过使用电源分离通过２个不同电源的电压差检测电流方向的电流方向检测电路的差动放大电路构成充电电路，在充电时和不充电时逻辑通.断开关装置，可以降低充电时的导通电压，而且使逻辑动作的晶体管的大小缩小为比防逆流二极管的面积还小。进而，在全部状态中充电电路中蓄电元件几乎没有能量消耗。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于根据两个不同电源的电压差检测出电流方向来进行高效率充电的充电电路。
技术介绍
已知有如图6所示的使用了蓄电元件2和光发电元件30这两种不同电源和防逆流二极管40的充电电路6。该充电电路6通过蓄电元件2来驱动驱动电路5。当光发电元件30产生的电压比蓄电元件2的电压高时，可以用光发电元件30充电蓄电元件2。充电电路6的正极一侧作为基准电位1，负极一侧作为电源电位。光发电元件30具有接合P型半导体和N型半导体的PN结构造，通过串联连接4个PN结，可以得到约2.8V的电动势。防逆流二极管40被连接在蓄电元件2和光发电元件30之间，使得从光发电元件30向蓄电元件2充电的电流方向，为防逆流二极管的正方向。另外，该充电电路6驱动的驱动电路5，被连接在基准电位1和电源电位之间。以下，说明图6所示的充电电路6的动作。首先，说明蓄电元件2的电压比光发电元件30的电压低的情况。光发电元件30产生的反方向电流，成为蓄电元件2的充电电流。另外，因为该电流方向相当于防逆流二极管40的正方向，所以不妨碍电流的流动，可以充电蓄电元件2。这时，在充电时成为正方向的防逆流二极管40的正方向电压约为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种充电电路，包括：蓄电元件；发电元件；开关装置；用于把上述发电元件作为电源产生基准电流的基准电流产生电路；使用上述基准电流比较上述蓄电元件和上述发电元件的电压的比较控制电路，当上述发电元件的电压大的 情况下把上述开关装置设置为导通，用上述发电元件充电上述蓄电元件，当上述发电元件的电压小的情况下把上述开关装置设置为断开，防止从上述蓄电元件向上述发电元件放电。

【技术特征摘要】
JP 2001-12-10 375112/20011.一种充电电路，包括蓄电元件；发电元件；开关装置；用于把上述发电元件作为电源产生基准电流的基准电流产生电路；使用上述基准电流比较上述蓄电元件和上述发电元件的电压的比较控制电路，当上述发电元件的电压大的情况下把上述开关装置设置为导通，用上述发电元件充电上述蓄电元件，当上述发电元件的电压小的情况下把上述开关装置设置为断开，防止从上述蓄电元件向上述发电元件放电。2.权利要求1所述的充电电路，上述发电元件是光发电元件。3.权利要求1所述的充电电路，上述发电元件是热发电元件。4.权利要求1所述的充电电路，上述发电元件是机械式发电元件。5.权利要求1～4中任一项所述的充电电路，上述比较控制电路是具有公共负载的差动放大电路，上述基准电流产生电路在上述公共负载上流过上述基准电流。6.权利要求1～4中任一项所述的充电电路，上述比较控制电路具有第1晶体管、第2晶体管、第1负载、第2负载以及公共负载，上述公共负载的另一端子和上述发电元件以及上述蓄电元件的一端子连接，上述第1晶体管的第1端子与上述公共负载的一端子连接，第2端子与上述第1负载的一端子连接，以及第3端子和上述蓄电元件的另一端子连接，上述第2晶体管的第1端子与上述公共负载的上述一端子连接，上述第2端子与上述第2负载的一端子连接，以及第3端子和上述发电元件的另一端子连接，上述第1负载的另一端子与上述发电元件的另一端子连接，上述第2负载的另一端子与上述蓄电元件的另一端子连接，把上述第2晶体管的上述第2端子作为上述比较控制电路的输出与上述开关装置连接。7.权利要求6所述的充电电路，上述第1晶体管、上述第2晶体管、上述第1负载以及上述第2负载用MOSFET构成，上述第1晶体管以及上述第2晶体管的导电类型，和上述第1负载以及上述第2负载的导电类型不同。8.权利要求7所述的充电电路，上述第2晶体管中的栅宽度和栅长度的比，比在上述第1晶体管中的栅宽度和栅长度的比大。9.权利要求1～4中任一项所述的充电电路，上述发电元件的一端子和上述蓄电元件的一端子连接，上述发电元件的另一端子和上述开关装置的一端子连接，上述蓄电元件的另一端子和上述开关装置的另一端子连接。10.权利要求9所述的充电电路，上述开关装置由MOSF...

【专利技术属性】
技术研发人员：相原克好，野崎孝明，岩仓良树，
申请(专利权)人：西铁城控股株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]