【技术实现步骤摘要】
本技术主要涉及电真空领域,在真空情况下的电功率馈人器件。技术背景目前在电真空领域的穿墙件中,传递弱电流或低电压信号的器件应用广泛,比较成 熟,种类也很多,如单芯的、多芯的等等。如果期望通过对现有器件的简单放大,来达 到传递大电流或高电压的目的,涉及很多无法解决的工艺问题,不可行。因此研制这样 器件显得十分有意义,解决在真空情况下大的电功率馈人问题。
技术实现思路
本技术的目的在于避免现有技术的不粒处而掛共一种陶瓷-金属封接的高压真空 穿墙件,具有低电感、高耐压、大电流、高真空、^i口、小的特点。本技术的目的可以通过采用以下技术方案来实现: 一种陶瓷-金属封接的高压真 空穿墙件,包括有内导体(7),其两端为电缆接线端,外部设有内陶瓷绝缘套(6),其主 要特点在于在内陶瓷绝缘套(6)的外部设有相固连的外导体大环(4)和外导体小环(5),在外导体大环(4)与接地导体(2)之间设有外陶瓷绝缘环(3),真空法兰(1) 设于接地导体(2)的外环,并与之相连接。所述的陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件,所述的接地导体(2)、外导体大环(4) 和外导体小环(5)为一端是平面的开口匡形,开口匡形的封闭端面在一个平面上。本技术的有益效果是外导体大环(4)和外导体小环(5)与内导体(7)之间 的耐压可达到60KV以上;真空法兰(1)和接地导体(2)与外导体大环(4)和外导体 小环(5)之间的耐压可达到20KV以上;整个陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件的真空 漏率好于1X l(r1QPa 1/s;电感值实测为0.08 u H;大截面的导体结构可以承载数千安培 的电流。3附图说明-图1 ...
【技术保护点】
一种陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件,包括有内导体(7),其两端为电缆接线端,外部设有内陶瓷绝缘套(6),其特征在于:在内陶瓷绝缘套(6)的外部设有相固连的外导体大环(4)和外导体小环(5),在外导体大环(4)与接地导体(2)之间设有外陶瓷绝缘环(3),真空法兰(1)设于接地导体(2)的外环,并与之相连接。
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件,包括有内导体(7),其两端为电缆接线端,外部设有内陶瓷绝缘套(6),其特征在于在内陶瓷绝缘套(6)的外部设有相固连的外导体大环(4)和外导体小环(5),在外导体大环(4)与接地导体(2)之间设有外陶瓷绝缘...
【专利技术属性】
技术研发人员:张小奇,张军辉,马力祯,韩少斐,
申请(专利权)人:中国科学院近代物理研究所,
类型:实用新型
国别省市:62[中国|甘肃]
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