半导体装置包括：芯片；电极，其形成在上述芯片上；无机绝缘层，其包覆上述电极，且具有使上述电极露出的第一开口；有机绝缘层，其包覆上述无机绝缘层，且具有从上述第一开口空出间隔地包围上述第一开口的第二开口，在上述第一开口以及上述第二开口之间的区域使上述无机绝缘层的内周缘露出；以及Ni镀层，其在上述第一开口内包覆上述电极，且在上述第二开口内包覆上述无机绝缘层的上述内周缘。覆上述无机绝缘层的上述内周缘。覆上述无机绝缘层的上述内周缘。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
[0001]本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
[0002]专利文献1(图4)公开了具备半导体基板、铝膜(电极)、聚酰亚胺膜(有机绝缘层)以及Ni镀膜(Ni镀层)的半导体装置。铝膜形成于半导体基板之上。聚酰亚胺膜形成于铝膜之上，并具有使铝膜露出的开口。Ni镀膜形成于从聚酰亚胺膜的开口露出的铝膜之上。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2018/167925A1号
技术实现思路
[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]有机绝缘层具有对Ni的密合性低的性质。因此，在从有机绝缘层的开口露出的电极之上形成有Ni镀层的情况下，Ni镀层在与有机绝缘层之间形成朝向电极延伸的间隙。其结果，Ni镀层相对于电极的连接变得不充分，Ni镀层的可靠性下降。
[0008]本专利技术的一个实施方式提供一种半导体装置，其在从有机绝缘层的开口露出的电极之上形成有Ni镀层的构造中，能够提高Ni镀层的可靠性。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]本专利技术的一个实施方式提供一种半导体装置，其包括：芯片；电极，其形成在上述芯片上；无机绝缘层，其包覆上述电极，且具有使上述电极露出的第一开口；有机绝缘层，其包覆上述无机绝缘层，且具有从上述第一开口空出间隔地包围上述第一开口的第二开口，在上述第一开口以及上述第二开口之间的区域使上述无机绝缘层的内周缘露出；以及Ni镀层，其在上述第一开口内包覆上述电极，且在上述第二开口内包覆上述无机绝缘层的上述内周缘。
[0011]根据该半导体装置，Ni镀层包覆与有机绝缘层比较对Ni的密合性高的无机绝缘层的内周缘。由此，能够使间隙的形成区域远离电极的同时，能够抑制朝向电极延伸的间隙的形成。在与无机绝缘层的内周缘不露出的构造比较的情况下，能够降低与有机绝缘层之间的间隙的形成区域。因而，能够提高Ni镀层的可靠性。
[0012]本专利技术中的上述的或者其它目的、特征以及效果根据参照附图进行的以下叙述的实施方式的说明可清楚。
附图说明
[0013]图1是表示本专利技术的第一实施方式的半导体装置的俯视图。
[0014]图2是与第一方式例的外表面镀层一起表示沿图1所示的II
‑
II线的剖视图的剖视图。
[0015]图3是图2所示的区域III的放大图。
[0016]图4A是图3的对应图，是表示第二方式例的外表面镀层的放大图。
[0017]图4B是图3的对应图，是表示第三方式例的外表面镀层的放大图。
[0018]图4C是图3的对应图，是表示第四方式例的外表面镀层的放大图。
[0019]图4D是图3的对应图，是表示第五方式例的外表面镀层的放大图。
[0020]图5A是用于说明图1所示的半导体装置的制造方法的一例的剖视图。
[0021]图5B是表示图5A之后的工序的剖视图。
[0022]图5C是表示图5B之后的工序的剖视图。
[0023]图5D是表示图5C之后的工序的剖视图。
[0024]图5E是表示图5D之后的工序的剖视图。
[0025]图5F是表示图5E之后的工序的剖视图。
[0026]图5G是表示图5F之后的工序的剖视图。
[0027]图5H是表示图5G之后的工序的剖视图。
[0028]图5I是表示图5H之后的工序的剖视图。
[0029]图5J是表示图5I之后的工序的剖视图。
[0030]图5K是表示图5J之后的工序的剖视图。
[0031]图5L是表示图5K之后的工序的剖视图。
[0032]图5M是表示图5L之后的工序的剖视图。
[0033]图5N是表示图5M之后的工序的剖视图。
[0034]图5O是表示图5N之后的工序的剖视图。
[0035]图6是图2的对应图，是与第一方式例的外表面镀层一起表示本专利技术的第二实施方式的半导体装置的剖视图。
[0036]图7是图6所示的区域VII的放大图。
[0037]图8A是图7的对应图，是表示第二方式例的外表面镀层的放大图。
[0038]图8B是图7的对应图，是表示第三方式例的外表面镀层的放大图。
[0039]图8C是图7的对应图，是表示第四方式例的外表面镀层的放大图。
[0040]图8D是图7的对应图，是表示第五方式例的外表面镀层的放大图。
[0041]图9是表示本专利技术的第三实施方式的半导体装置的俯视图。
[0042]图10是表示图9所示的区域X的放大图。
[0043]图11是沿图10所示的XI
‑
XI线的剖视图。
[0044]图12是沿图9所示的XII
‑
XII线的剖视图。
[0045]图13是图12所示的区域XIII的放大图。
[0046]图14是图12所示的区域XIV的放大图。
[0047]图15是图12的对应图，是表示本专利技术的第四实施方式的半导体装置的剖视图。
[0048]图16是图15所示的区域XVI的放大图。
[0049]图17是图15所示的区域XVII的放大图。
[0050]图18是从一方侧观察组装有第一～第四实施方式的半导体装置的半导体封装件的俯视图。
[0051]图19是从另一方侧观察图18所示的半导体封装件的俯视图。
[0052]图20是图18所示的半导体封装件的立体图。
[0053]图21是图18所示的半导体封装件的分解立体图。
[0054]图22是沿图18所示的XXII
‑
XXII线的剖视图。
[0055]图23是图18所示的半导体封装件的电路图。
具体实施方式
[0056]图1是表示本专利技术的第一实施方式的半导体装置1的俯视图。图2是与第一方式例的外表面镀层42一起表示沿图1所示的II
‑
II线的剖视图的剖视图。图3是图2所示的区域III的放大图。
[0057]参照图1～图3，在该方式(this embodiment)中，半导体装置1由包括SiC芯片2(芯片)的SiC半导体装置构成。SiC芯片2包括由六方晶构成的SiC单晶。由六方晶构成的SiC单晶具有包括2H(Hexagonal)－SiC单晶、4H－SiC单晶、6H－SiC单晶等多种的多晶类型。在该方式中，SiC芯片2由4H－SiC单晶构成，但也可以是其它的多晶类型。
[0058]SiC芯片2形成为长方体形状。SiC芯片2具有一方侧的第一主面3、另一方侧的第二主面4、以及连接第一主面3及第二主面4的侧面5A、5B、5C、5D。在从它们的法线方向Z观察的俯视(以下简称为“俯视”。)中，第一主面3以及第二主面4形成为四边形状(在该方式中为正方形状)。
[0059]SiC芯片2的厚度也可以为40μm以上且300μm以下。SiC芯片2的厚度也可以为40μm以上且本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，包括：芯片；电极，其形成在上述芯片上；无机绝缘层，其包覆上述电极，且具有使上述电极露出的第一开口；有机绝缘层，其包覆上述无机绝缘层，且具有从上述第一开口空出间隔地包围上述第一开口的第二开口，在上述第一开口以及上述第二开口之间的区域使上述无机绝缘层的内周缘露出；以及Ni镀层，其在上述第一开口内包覆上述电极，且在上述第二开口内包覆上述无机绝缘层的上述内周缘。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述Ni镀层在上述第二开口内包覆上述有机绝缘层。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，上述Ni镀层从上述第二开口的开口端向上述无机绝缘层侧空出间隔地形成。4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，上述Ni镀层在上述第二开口内以上述有机绝缘层的露出面积超过上述有机绝缘层的隐蔽面积的方式包覆上述有机绝缘层。5.根据权利要求2～4任一项中所述的半导体装置，其特征在于，上述无机绝缘层的上述内周缘具有上述无机绝缘层的厚度以下的宽度。6.根据权利要求2～5任一项中所述的半导体装置，其特征在于，还包括在上述第二开口内包覆上述Ni镀层的外表面的外表面镀层。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，上述外表面镀层在上述第二开口内包覆上述有机绝缘层。8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，上述外表面镀层从上述第二开口的开口端向上述无机绝缘层侧空出间隔地包覆上述Ni镀层。9.根据权利要求6～8任一项中所述的半导体装置，其特征在于，上述外表面镀层具有小于上述Ni镀层的厚度的厚度。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述Ni镀层在上述第二开口内从上述有机绝缘层空出间隔地包覆上述无...
【专利技术属性】
技术研发人员：山中贵晶，中野佑纪，山本兼司，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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