半导体整流器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体整流器件，包括：分别位于环氧封装体内上部和下部的第一二极管、第二二极管和第三二极管、第四二极管，所述第一二极管的负极与第四二极管的负极相向设置，所述第二二极管的正极与第三二极管的正极相向设置；第一引线条的焊接区与第一二极管的负极、第四二极管的负极电连接，第二引线条的焊接区与第一二极管的正极、第二二极管的负极电连接；第一引线条、第二引线条、第三引线条和第四引线条各自的焊接区与位于环氧封装体外的引脚区之间具有一折弯区。本实用新型专利技术半导体整流器件在减少了连接片的同时，也进一步降低了整流器件的体积，有利于小型化，从而扩展了应用场景。了应用场景。了应用场景。

【技术实现步骤摘要】
半导体整流器件


[0001]本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种半导体整流器件。

技术介绍

[0002]整流桥就是将多个二极管封在一个封装体内，将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，整流桥作为一种功率元器件，非常广泛。应用于各种电源设备。其内部主要是由四个二极管组成的桥路来实现把输入的交流电压转化为输出的直流电压。在整流桥的每个工作周期内，同一时间只有两个二极管进行工作，通过二极管的单向导通功能，把交流电转换成单向的直流脉动电压。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种半导体整流器件，该半导体整流器件在减少了连接片的同时，也进一步降低了整流器件的体积，有利于小型化，从而扩展了应用场景。
[0004]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种半导体整流器件，包括：分别位于环氧封装体内上部和下部的第一二极管、第二二极管和第三二极管、第四二极管，所述第一二极管的负极与第四二极管的负极相向设置，所述第二二极管的正极与第三二极管的正极相向设置；
[0005]第一引线条的焊接区与第一二极管的负极、第四二极管的负极电连接，第二引线条的焊接区与第一二极管的正极、第二二极管的负极电连接，第三引线条的焊接区与第二二极管的正极、第三二极管的正极电连接，第四引线条的焊接区与第三二极管的负极、第四二极管的正极电连接；
[0006]所述第一引线条、第二引线条、第三引线条和第四引线条各自的焊接区与位于环氧封装体外的引脚区之间具有一折弯区。
[0007]上述技术方案中进一步改进的方案如下：
[0008]1、上述方案中，所述第一引线条、第二引线条、第三引线条和第四引线条各自的焊接区与引脚区之间的夹角为100
°
~120
°
。
[0009]2、上述方案中，所述第一引线条、第二引线条、第三引线条和第四引线条各自的焊接区与相应的二极管通过一焊锡层电连接。
[0010]3、上述方案中，所述第一引线条、第二引线条、第三引线条和第四引线条各自的引脚区外表面均镀覆有锌层。
[0011]由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：
[0012]本技术半导体整流器件，其分别位于环氧封装体内上部和下部的第一二极管、第二二极管和第三二极管、第四二极管，所述第一二极管的负极与第四二极管的负极相向设置，所述第二二极管的正极与第三二极管的正极相向设置，在减少了连接片的同时，也进一步降低了整流器件的体积，有利于小型化，从而扩展了应用场景。
附图说明
[0013]附图1为本技术半导体整流器件的结构示意图。
[0014]以上附图中：1、环氧封装体；2、第一二极管；3、第二二极管；4、第三二极管；5、第四二极管；6、第一引线条；7、第二引线条；8、第三引线条；9、第四引线条；10、焊接区；11、引脚区；12、折弯区；13、焊锡层。
具体实施方式
[0015]实施例1：一种半导体整流器件，包括：分别位于环氧封装体1内上部和下部的第一二极管2、第二二极管3和第三二极管4、第四二极管5，所述第一二极管2的负极与第四二极管5的负极相向设置，所述第二二极管3的正极与第三二极管4的正极相向设置；
[0016]第一引线条6的焊接区10与第一二极管2的负极、第四二极管5的负极电连接，第二引线条7的焊接区10与第一二极管2的正极、第二二极管3的负极电连接，第三引线条8的焊接区10与第二二极管3的正极、第三二极管4的正极电连接，第四引线条9的焊接区10与第三二极管4的负极、第四二极管5的正极电连接；
[0017]所述第一引线条6、第二引线条7、第三引线条8和第四引线条9各自的焊接区10与位于环氧封装体1外的引脚区11之间具有一折弯区12。
[0018]上述第一引线条6、第二引线条7、第三引线条8和第四引线条9各自的焊接区10与引脚区11之间的夹角为105
°
。
[0019]上述第一引线条6、第二引线条7、第三引线条8和第四引线条9各自的引脚区11外表面均镀覆有锌层。
[0020]实施例2：一种半导体整流器件，包括：分别位于环氧封装体1内上部和下部的第一二极管2、第二二极管3和第三二极管4、第四二极管5，所述第一二极管2的负极与第四二极管5的负极相向设置，所述第二二极管3的正极与第三二极管4的正极相向设置；
[0021]第一引线条6的焊接区10与第一二极管2的负极、第四二极管5的负极电连接，第二引线条7的焊接区10与第一二极管2的正极、第二二极管3的负极电连接，第三引线条8的焊接区10与第二二极管3的正极、第三二极管4的正极电连接，第四引线条9的焊接区10与第三二极管4的负极、第四二极管5的正极电连接；
[0022]所述第一引线条6、第二引线条7、第三引线条8和第四引线条9各自的焊接区10与位于环氧封装体1外的引脚区11之间具有一折弯区12。
[0023]上述第一引线条6、第二引线条7、第三引线条8和第四引线条9各自的焊接区10与引脚区11之间的夹角为110
°
。
[0024]上述第一引线条6、第二引线条7、第三引线条8和第四引线条9各自的焊接区10与相应的二极管通过一焊锡层13电连接。
[0025]采用上述半导体整流器件时，其分别位于环氧封装体内上部和下部的第一二极管、第二二极管和第三二极管、第四二极管，所述第一二极管的负极与第四二极管的负极相向设置，所述第二二极管的正极与第三二极管的正极相向设置，在减少了连接片的同时，也进一步降低了整流器件的体积，有利于小型化，从而扩展了应用场景。
[0026]上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限制本技术的保护范围。
凡根据本技术精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体整流器件，其特征在于：包括：分别位于环氧封装体（1）内上部和下部的第一二极管（2）、第二二极管（3）和第三二极管（4）、第四二极管（5），所述第一二极管（2）的负极与第四二极管（5）的负极相向设置，所述第二二极管（3）的正极与第三二极管（4）的正极相向设置；第一引线条（6）的焊接区（10）与第一二极管（2）的负极、第四二极管（5）的负极电连接，第二引线条（7）的焊接区（10）与第一二极管（2）的正极、第二二极管（3）的负极电连接，第三引线条（8）的焊接区（10）与第二二极管（3）的正极、第三二极管（4）的正极电连接，第四引线条（9）的焊接区（10）与第三二极管（4）的负极、第四二极管（5）的正极电连接；所述第一引线条（6）、第二引线条（7）、第三引线条（8）和第四引线条（9）各...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱淼，李飞帆，邱显羣，
申请(专利权)人：苏州锝耀电子有限公司，
类型：新型
国别省市：