【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法、封装器件和电子装置
[0001]本公开涉及半导体的
，具体而言，涉及一种半导体器件及其制造方法、封装器件和电子装置。
技术介绍
[0002]CoWoS(Chip
‑
on
‑
Wafer
‑
on
‑
Substrate)封装，即基板上晶片上芯片封装，是一种先将芯片连接至晶片再把连接有芯片的晶片连接至基板的封装方式。这种封装方式能将多颗芯片封装在一起，此情况下晶片可以作为中介片(interposer)通过内置重布线层(Redistribution Layer，简称RDL)使多颗芯片实现互联，最终达到增强芯片间互联性的效果。然而，由于晶片和芯片间通过微凸球(uBump)实现连接，微凸球是分别附着在晶片和芯片上的一对铜球(Cu pillar)焊接(Solder)后形成的结构，尺寸较大(在40um以上)，因而芯片单位面积上设置的微凸球数量有限，这样使得使用中介片的封装器件无法顺应电子设计领域高频高密的趋势。
技术实现思路
[0003]有鉴于此，本公开的目的是提供一种半导体器件及其制造方法、封装器件和电子装置，该封装器件中芯片和晶片的连接方式与现有技术不同。
[0004]根据本公开的第一方面，提供一种半导体器件，包括：
[0005]中介片；
[0006]多个芯片，所述芯片的第二表面通过连接结构耦接到所述中介片的第一表面；
[0007]其中，所述中介片用于实现多个所述芯片的互联；>[0008]所述连接结构包括形成于所述中介片第一表面的第一介质层和形成于所述中介片第一表面且从所述第一介质层露出的第一导电引脚，还包括形成于所述芯片第二表面的第二介质层、和形成于所述芯片第二表面且从所述第二介质层露出的第二导电引脚；
[0009]并且，所述第一介质层和所述第二介质层之间以及所述第一导电引脚与所述第二导电引脚之间，是在所述第一介质层和所述第二介质层预键合后通过退火过程实现各自的依赖范德瓦尔斯力的结合。
[0010]可选地，所述中介片内设置有纵向的第一信号过孔，所述第一信号过孔包括第一端和第二端；
[0011]所述中介片还内置第一重布线层，所述第一重布线层用于实现多个所述芯片的互联；
[0012]所述第一端位于所述中介片内且连接到所述第一重布线层；
[0013]所述第二端位于所述中介片第一表面的第一位置，所述第一导电引脚在所述中介片第一表面的形成位置包括所述第一位置。
[0014]可选地，所述中介片内设置有纵向的第二信号过孔，所述第二信号过孔包括第三端和第四端；
[0015]所述中介片的与所述中介片第一表面相对的一面设置有连接件，所述第三端用于连接所述连接件；
[0016]所述第四端位于所述中介片第一表面的第二位置，所述第一导电引脚在所述中介片第一表面的形成位置包括所述第二位置。
[0017]可选地，所述第三端位于所述中介片的与所述中介片第一表面相对的一面上且直接连接到所述连接件。
[0018]可选地，所述中介片内设置有纵向的第三信号过孔，所述第三信号过孔包括第五端和第六端，所述第五端位于所述中介片的与所述中介片第一表面相对的一面且连接所述连接件，所述第六端位于所述中介片内；
[0019]所述中介片还内置第二重布线层；
[0020]所述第三端位于所述中介片内，且通过所述第二重布线层和所述第六端连接。
[0021]可选地，所述第一介质层和所述第二介质层的材料皆为二氧化硅。
[0022]可选地，所述第一导电引脚和所述第二导电引脚的材料皆为铜。
[0023]根据本公开的第二方面，提供一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括中介片和多个芯片，所述中介片用于实现多个所述芯片的互联，所述制造方法包括：
[0024]在所述中介片的第一表面形成第一介质层和第一导电引脚，所述第一导电引脚相对于所述第一介质层凹陷；
[0025]在所述芯片的第二表面形成第二介质层和第二导电引脚，所述第二导电引脚相对于所述第二介质层凹陷；
[0026]将所述第一介质层和所述第二介质层预键合，且将所述第一介质层和所述第二介质层之间、以及将所述第一导电引脚和所述第二导电引脚之间，通过退火过程实现各自的依赖范德瓦尔斯力的结合。
[0027]可选地，所述中介片内设置有纵向的目标信号过孔，所述目标信号过孔的目标端用于连接连接件，所述连接件用于连接所述中介片和基板；
[0028]所述制造方法还包括：在所述第一介质层和所述第二介质层连接以及所述第一导电引脚与所述第二导电引脚连接后，从所述中介片的与所述中介片第一表面相对的一面减薄所述中介片，以露出所述目标端；在露出的所示目标端上连接所述连接件。
[0029]根据本公开的第三方面，提供一种半导体器件，包括：
[0030]中介片，所述中介片的第一表面设置有第一导电引脚；
[0031]芯片，所述芯片的第二表面设置有第二导电引脚，所述芯片的第二表面耦接到所述中介片的第一表面且所述第二导电引脚和所述第一导电引脚连接；
[0032]连接件，设置在所述中介片的与所述中介片第一表面相对的一面上；
[0033]其中，所述中介片内置有纵向的第二信号过孔、第二重布线层和纵向的第三信号过孔；
[0034]所述第二信号过孔包括第三端和第四端，所述第四端位于所述中介片的第一表面以连接所述第一导电引脚；
[0035]所述第三信号过孔包括第五端和第六端，所述第五端位于所述中介片的与所述中介片第一表面相对的一面以连接所述连接件；
[0036]所述第三端和所述第六端各自位于所述中介片内且通过所述第二重布线层连接。
[0037]根据本公开的第四方面，提供一种封装器件，包括：
[0038]基板，具有第三表面；
[0039]第一方面所述的任一种半导体器件，或者，第三方面所述的半导体器件；
[0040]其中，所述半导体器件所包括中介片的与所述中介片第一表面相对的一面耦接到所述基板的第三表面。
[0041]根据本公开的第五方面，提供一种电子装置，包括：外部电路板和第四方面所述的任一种封装器件，所述封装器件设置在所述外部电路板上。
[0042]本公开实施例中，半导体器件包括中介片和多个芯片，芯片的第二表面通过连接结构耦接到中介片的第一表面，中介片用于实现多个芯片的互联，其中，连接结构包括形成于中介片第一表面的第一介质层、和形成于中介片第一表面且从第一介质层露出的第一导电引脚，连接结构还包括形成于芯片第二表面的第二介质层、和形成于芯片第二表面且从第二介质层露出的第二导电引脚，且第一介质层和第二介质层之间以及第一导电引脚与第二导电引脚之间，是在第一介质层和第二介质层预键合后通过退火过程实现各自的依赖范德瓦尔斯力的结合，因而第一导电引脚和第二导电引脚的尺寸能够远远小于现有的微凸球，从而芯片单位面积上的互连密度本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：中介片；多个芯片，所述芯片的第二表面通过连接结构耦接到所述中介片的第一表面；其中，所述中介片用于实现多个所述芯片的互联；所述连接结构包括形成于所述中介片第一表面的第一介质层和形成于所述中介片第一表面且从所述第一介质层露出的第一导电引脚，还包括形成于所述芯片第二表面的第二介质层、和形成于所述芯片第二表面且从所述第二介质层露出的第二导电引脚；并且，所述第一介质层和所述第二介质层之间以及所述第一导电引脚与所述第二导电引脚之间，是在所述第一介质层和所述第二介质层预键合后通过退火过程实现各自的依赖范德瓦尔斯力的结合。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述中介片内设置有纵向的第一信号过孔，所述第一信号过孔包括第一端和第二端；所述中介片还内置第一重布线层，所述第一重布线层用于实现多个所述芯片的互联；所述第一端位于所述中介片内且连接到所述第一重布线层；所述第二端位于所述中介片第一表面的第一位置，所述第一导电引脚在所述中介片第一表面的形成位置包括所述第一位置。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述中介片内设置有纵向的第二信号过孔，所述第二信号过孔包括第三端和第四端；所述中介片的与所述中介片第一表面相对的一面设置有连接件，所述第三端用于连接所述连接件；所述第四端位于所述中介片第一表面的第二位置，所述第一导电引脚在所述中介片第一表面的形成位置包括所述第二位置。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第三端位于所述中介片的与所述中介片第一表面相对的一面上且直接连接到所述连接件。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述中介片内设置有纵向的第三信号过孔，所述第三信号过孔包括第五端和第六端，所述第五端位于所述中介片的与所述中介片第一表面相对的一面且连接所述连接件，所述第六端位于所述中介片内；所述中介片还内置第二重布线层；所述第三端位于所述中介片内，且通过所述第二重布线层和所述第六端连接。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介质层和所述第二介质层的材料皆为二氧化硅。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电引脚和所述第二导电引脚的材料皆...
【专利技术属性】
技术研发人员：符会利，刘辉，
申请(专利权)人：阿里巴巴中国有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。