一种单片式晶圆的清洗方法技术

本发明专利技术涉及一种单片式晶圆的清洗方法，包括：将需要清洗的晶圆置于清洗槽内，所述晶圆通过所述清洗槽底部提供的负压吸附固定；向所述晶圆的表面喷淋碱性清洗液；向所述晶圆的表面喷淋纯水；向所述晶圆的表面喷淋酸性清洗液；向所述晶圆的表面喷淋纯水；对所述晶圆的表面进行干燥处理，并进行表面颗粒检测。本发明专利技术的清洗方法相较于传统的清洗工艺，舍弃了接触式的机械夹持，而采用非接触式的负压吸附固定，从而避免了机械夹持过程中的颗粒粘附；本发明专利技术采用喷淋清洗的方式，从而避免了晶圆在清洗过程中被清洗液过度蚀刻，进而能够相应地节约清洗过程中纯水的用量。约清洗过程中纯水的用量。

【技术实现步骤摘要】
一种单片式晶圆的清洗方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种单片式晶圆的清洗方法。

技术介绍

[0002]晶圆在抛光的过程中，可能会吸附颗粒、油污或杂质等，因此需要化学清洗剂或是物理过程对晶圆的表面进行清洗，而所采用的化学清洗剂又可能会对晶圆的表面产生蚀刻，故又需要大量的纯水对晶圆的表面进行冲洗，从而获得具有洁净表面的晶圆。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是针对现有技术中的不足，提供一种单片式晶圆的清洗方法。
[0004]为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案是：
[0005]本专利技术提供一种单片式晶圆的清洗方法，包括：
[0006]S1、将需要清洗的晶圆置于清洗槽内，所述晶圆通过所述清洗槽底部提供的负压吸附固定；
[0007]S2、向所述晶圆的表面喷淋碱性清洗液；
[0008]S3、向所述晶圆的表面喷淋纯水；
[0009]S4、向所述晶圆的表面喷淋酸性清洗液；
[0010]S5、向所述晶圆的表面喷淋纯水；
[0011]S6、对所述晶圆的表面进行干燥处理，并进行表面颗粒检测；若检测结果符合预定要求，则清洗完成，否则将所述晶圆重新置于清洗槽内，并重复步骤S2
‑
S5；
[0012]步骤S2
‑
S5中，向所述晶圆表面喷淋的液体在所述清洗槽底部提供的负压作用下，通过所述清洗槽底部开设的排液槽排出。
[0013]优选地，步骤S2中，所述碱性清洗液为NH3·
H2O、H2O2以及H2O的混合溶液。
[0014]优选地，所述碱性清洗液的质量配比为NH3·
H2O:H2O2:H2O＝(1
‑
3)：(1
‑
3)：(10
‑
30)。
[0015]优选地，所述碱性清洗液的温度为40℃
‑
80℃，所述碱性清洗液的喷淋时间为3min
‑
7min。
[0016]优选地，步骤S3中，所述纯水的喷淋时间为1min
‑
3min。
[0017]优选地，步骤S4中，所述酸性清洗液为HCl、H2O2以及H2O的混合溶液。
[0018]优选地，所述酸性清洗液的质量配比为HCl:H2O2:H2O＝(1
‑
3)：(1
‑
3)：(20
‑
40)。
[0019]优选地，所述酸性清洗液的温度为10℃
‑
50℃，所述碱性清洗液的喷淋时间为3min
‑
7min。
[0020]优选地，步骤S5中，所述纯水的喷淋时间为1min
‑
3min。
[0021]本专利技术采用以上技术方案，与现有技术相比，具有如下技术效果：
[0022]本专利技术的清洗方法相较于传统的清洗工艺，舍弃了接触式的机械夹持，而采用非接触式的负压吸附固定，从而避免了机械夹持过程中的颗粒粘附；本专利技术采用喷淋清洗的
方式，从而避免了晶圆在清洗过程中被清洗液过度蚀刻，进而能够相应地节约清洗过程中纯水的用量。
具体实施方式
[0023]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0025]下面结合具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。
[0026]实施例1
[0027]本实施例提供一种单片式晶圆的清洗方法，包括：
[0028]S1、将需要清洗的晶圆置于清洗槽内，所述晶圆通过所述清洗槽底部提供的负压吸附固定；
[0029]S2、向所述晶圆的表面喷淋碱性清洗液，所述碱性清洗液为NH3·
H2O、H2O2以及H2O的混合溶液，其质量配比为NH3·
H2O:H2O2:H2O＝1:1:10；所述碱性清洗液的温度为40℃，所述碱性清洗液的喷淋时间为7min；
[0030]S3、向所述晶圆的表面喷淋纯水，所述纯水的喷淋时间为3min；
[0031]S4、向所述晶圆的表面喷淋酸性清洗液，所述酸性清洗液为HCl、H2O2以及H2O的混合溶液，其质量配比为HCl:H2O2:H2O＝1:1:20；所述酸性清洗液的温度为10℃，所述碱性清洗液的喷淋时间为7min；
[0032]S5、向所述晶圆的表面喷淋纯水，所述纯水的喷淋时间为3min；
[0033]S6、对所述晶圆的表面进行干燥处理，并进行表面颗粒检测：合格率为96％，粗糙度(Ra)为0.11μm；
[0034]步骤S2
‑
S5中，向所述晶圆表面喷淋的液体在所述清洗槽底部提供的负压作用下，通过所述清洗槽底部开设的排液槽排出。
[0035]实施例2
[0036]本实施例提供一种单片式晶圆的清洗方法，包括：
[0037]S1、将需要清洗的晶圆置于清洗槽内，所述晶圆通过所述清洗槽底部提供的负压吸附固定；
[0038]S2、向所述晶圆的表面喷淋碱性清洗液，所述碱性清洗液为NH3·
H2O、H2O2以及H2O的混合溶液，其质量配比为NH3·
H2O:H2O2:H2O＝1:1.5:20；所述碱性清洗液的温度为60℃，所述碱性清洗液的喷淋时间为5min；
[0039]S3、向所述晶圆的表面喷淋纯水，所述纯水的喷淋时间为2min；
[0040]S4、向所述晶圆的表面喷淋酸性清洗液，所述酸性清洗液为HCl、H2O2以及H2O的混合溶液，其质量配比为HCl:H2O2:H2O＝1:1:30；所述酸性清洗液的温度为25℃，所述碱性清洗液的喷淋时间为5min；
[0041]S5、向所述晶圆的表面喷淋纯水，所述纯水的喷淋时间为2min；
[0042]S6、对所述晶圆的表面进行干燥处理，并进行表面颗粒检测：合格率为94％，粗糙度(Ra)为0.12μm；
[0043]步骤S2
‑
S5中，向所述晶圆表面喷淋的液体在所述清洗槽底部提供的负压作用下，通过所述清洗槽底部开设的排液槽排出。
[0044]实施例3
[0045]本实施例提供一种单片式晶圆的清洗方法，包括：
[0046]S1、将需要清洗的晶圆置于清洗槽内，所述晶圆通过所述清洗槽底部提供的负压吸附固定；
[0047]S2、向所述晶圆的表面喷淋碱性清洗液，所述碱性清洗液为NH3·
H2O、H2O2以及H2O的混合溶液，其质量配比为NH3·
H2O:H2O2:H2O＝1:3:30；所述碱性清洗液的温度为80℃，所述碱性清洗液的喷淋时间为3min；
[0048]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单片式晶圆的清洗方法，其特征在于，包括：S1、将需要清洗的晶圆置于清洗槽内，所述晶圆通过所述清洗槽底部提供的负压吸附固定；S2、向所述晶圆的表面喷淋碱性清洗液；S3、向所述晶圆的表面喷淋纯水；S4、向所述晶圆的表面喷淋酸性清洗液；S5、向所述晶圆的表面喷淋纯水；S6、对所述晶圆的表面进行干燥处理，并进行表面颗粒检测；若检测结果符合预定要求，则清洗完成，否则将所述晶圆重新置于清洗槽内，并重复步骤S2
‑
S5；步骤S2
‑
S5中，向所述晶圆表面喷淋的液体在所述清洗槽底部提供的负压作用下，通过所述清洗槽底部开设的排液槽排出。2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，步骤S2中，所述碱性清洗液为NH3·
H2O、H2O2以及H2O的混合溶液。3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述碱性清洗液的质量配比为NH3·
H2O:H2O2:H2O＝(1
‑
3)：(1
‑
3)：(10
‑
30)。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：廖世保，邓信甫，杨嘉斌，林忠宝，
申请(专利权)人：至微半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：