一种晶圆洗边蚀刻方法技术

本发明专利技术提供一种晶圆洗边蚀刻方法，包括：步骤S1，获取一晶圆并将晶圆放置于一放置台上；步骤S2，控制放置台进行旋转，并控制多个喷淋管依次喷淋溶液对晶圆的边缘进行复层洗边蚀刻。有益效果是本方法采用多个喷淋管依次喷淋第一溶液、第二溶液和第三溶液对晶圆的边缘进行洗边蚀刻，以完全清除晶圆边缘的表面物质并有效提升清洗蚀刻效果。并有效提升清洗蚀刻效果。并有效提升清洗蚀刻效果。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆洗边蚀刻方法


[0001]本专利技术涉及晶圆洗边蚀刻
，尤其涉及一种晶圆洗边蚀刻方法。

技术介绍

[0002]在晶圆进行制备工艺之前需要对晶圆进行清洗，大多采用水或一般的清洗液对晶圆的表面进行快速的清洗，清洗完成后立即进行晶圆的表面蚀刻。
[0003]但是这样的清洗方式无法完整地清除晶圆边缘的表面物质，对后续晶圆蚀刻会造成影响，无法对晶圆进行有效保护。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种晶圆洗边蚀刻方法，具体包括以下步骤：
[0005]步骤S1，获取一晶圆并将所述晶圆放置于一放置台上；
[0006]步骤S2，控制所述放置台进行旋转，并控制多个喷淋管依次喷淋溶液对所述晶圆的边缘进行洗边蚀刻。
[0007]优选的，所述步骤S2中，通过一洗边蚀刻装置对所述晶圆的边缘进行洗边蚀刻，所述洗边蚀刻装置包括：
[0008]一第一喷淋管，用于喷淋一第一溶液至所述晶圆的边缘以清除表面物质；
[0009]一第二喷淋管，用于喷淋一第二溶液至所述晶圆的边缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆洗边蚀刻方法，其特征在于，具体包括以下步骤:步骤S1，获取一晶圆并将所述晶圆放置于一放置台上；步骤S2，控制所述放置台进行旋转，并控制多个喷淋管依次喷淋溶液对所述晶圆的边缘进行洗边蚀刻。2.根据权利要求1所述的晶圆洗边蚀刻方法，其特征在于，所述步骤S2中，通过一洗边蚀刻装置对所述晶圆的边缘进行洗边蚀刻，所述洗边蚀刻装置包括：一第一喷淋管，用于喷淋一第一溶液至所述晶圆的边缘以清除表面物质；一第二喷淋管，用于喷淋一第二溶液至所述晶圆的边缘以清除剩余的所述第一溶液；一第三喷淋管，用于喷淋一第三溶液至所述晶圆的边缘以对所述晶圆的边缘进行蚀刻；一第四喷淋管，用于喷淋一第四溶液至所述晶圆的边缘以清除剩余的所述第三溶液。3.根据权利要求2所述的晶圆洗边蚀刻方法，其特征在于，所述步骤S2包括：步骤S21，控制所述放置台进行旋转，并控制所述第一喷淋管喷淋所述第一溶液至所述晶圆的表面进行洗边；步骤S22，于所述第一喷淋管喷淋结束时控制所述第二喷淋管喷淋所述第二溶液至所述晶圆的边缘以清除剩余的所述第一溶液；步骤S23，于所述第二喷淋管喷淋结束时控制所述第三喷淋管喷淋所述第三溶液至所述晶圆的边缘进行蚀刻；步骤S24，于所述第三喷淋管喷淋结束时控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖世保，徐铭，邓信甫，
申请(专利权)人：至微半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：