用于降低功率器件内应力的外延片制作方法及外延片技术

本发明专利技术涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种用于降低功率器件内应力的外延片制作方法及外延片，包括：一种用于降低功率器件内应力的外延片制作方法，包括：形成一衬底，所述衬底为第一材质；于所述衬底的表面蚀刻形成多个第一沟槽；于所述衬底上方形成一缓冲层，所述缓冲层为第二材质；于所述缓冲层的表面蚀刻形成多个第二沟槽；于所述缓冲层表面形成一外延层，以形成一外延片。本发明专利技术的有益效果在于：通过设置缓冲层避免了现有技术中衬底和外延层应力释放不充分的问题，并通过设置第一沟槽和第二沟槽进一步地释放了器件的内应力，提高了器件的良品率。高了器件的良品率。高了器件的良品率。

【技术实现步骤摘要】
用于降低功率器件内应力的外延片制作方法及外延片


[0001]本专利技术涉及半导体器件制造
，具体涉及一种用于降低功率器件内应力的外延片制作方法及外延片。

技术介绍

[0002]衬底，指基于半导体单晶材料，如单晶硅制备而成的晶圆片，其在半导体器件中通常作为基底承载上方的有源器件。通常情况下，衬底的制作方法主要是对单晶材料进行切片、打磨、抛光形成。外延层，指基于外延工艺在衬底上方形成的结构。其通常是在加工好的单晶衬底上方生长形成一层新的单晶层，进而改善整体结构的电气特性。一般来说，通过制备外延层可以实现集电区高击穿电压，小串联电阻，小饱和压降要小的要求，因此外延层的生产过程在半导体器件的制造中起到极为重要的作用。
[0003]现有技术中，已存在有相应的在衬底上方制备单晶材料外延层的相关制备工艺。但是，在实际实施过程中，专利技术人发现，为实现较好的电气性能，在制作外延层的过程中往往需要选择异质外延。由于异质外延与衬底之间晶格不匹配，进而使得衬底与外延层之间存在有较高的应力。这导致了器件良品率和寿命较低的问题。
>
技术实现思路
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于降低功率器件内应力的外延片制作方法，其特征在于，包括：形成一衬底，所述衬底为第一材质；于所述衬底的表面蚀刻形成多个第一沟槽；于所述衬底上方形成一缓冲层，所述缓冲层为第二材质；于所述缓冲层的表面蚀刻形成多个第二沟槽；于所述缓冲层表面形成一外延层，以形成一外延片；所述外延层为第三材质。2.根据权利要求1所述的外延片制作方法，其特征在于，所述第一沟槽与所述第二沟槽在垂直方向上相互错开。3.根据权利要求1所述的外延片制作方法，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽均采用湿法蚀刻方法形成；所述湿法蚀刻方法具体包括：于器件的部分表面涂覆光刻胶，以暴露预设的沟槽形成区域；对所述器件进行湿法蚀刻以形成沟槽；去除所述光刻胶，对所述器件进行清洗。4.根据权利要求1所述的外延片制作方法，其特征在于，所述第一材质为硅或蓝宝石或氮化镓铝。5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓信甫，黄茂烘，唐宝国，
申请(专利权)人：至微半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：