一种避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法技术

本发明专利技术公开了一种避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法，涉及到半导体技术领域，包括：S1、进行晶圆的分布式阶段性控制，进行所述晶圆的中心、所述晶圆的外缘以及所述晶圆与所述清洗腔体之间的间隔三个不同位置的差异优化；S2、进行晶圆的差异化热流分布，通过纯净空气吹送单元向所述晶圆的上表面输送热风吹送进行气流增速，将液体的流动与处理能力集中在所述晶圆外缘位置并促进阶梯化强对流的方式进行流动；S3、进行晶圆的三维方向的表面温度控制。本发明专利技术中通过对晶圆的流场的优化控制，利用热风喷向晶圆表面及边缘区域，控制晶圆的表面及边缘区域温度，破坏结晶的基础条件，从而避免晶圆的表面及边缘区域出现结晶现象，提高清洗效果。提高清洗效果。提高清洗效果。

【技术实现步骤摘要】
一种避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法


[0001]本专利技术涉及到半导体
，尤其涉及到一种避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法。

技术介绍

[0002]现有技术中清洗晶圆时采用特种酸液，如磷酸、硫酸、硝酸等喷洒在晶圆的表面，由于酸液释放在开放式环境进行输出，温度骤降，相对浓度与粘度急速上升容易出现结晶现象，从而影响清洗效果。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法，用于解决上述技术问题。
[0004]本专利技术采用的技术方案如下：
[0005]一种避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法，包括：
[0006]S1、进行晶圆的分布式阶段性控制，将所述晶圆放置在清洗腔体内的晶圆承载平台上，进行所述晶圆的中心、所述晶圆的外缘以及所述晶圆与所述清洗腔体之间的间隔三个不同位置的差异优化，产生不同强度的排气分布，以形成梯度强度流场；
[0007]S2、进行晶圆的差异化热流分布，通过纯净空气吹送单元向所述晶圆的上表面输送热风吹送进行气流增速，并保持所述晶圆底部中心位置处于常温状态，所述晶圆的边缘位置进行增温，以将液体的流动与处理能力集中在所述晶圆外缘位置并促进阶梯化强对流的方式进行流动；
[0008]S3、进行晶圆的三维方向的表面温度控制，通过全面性的晶圆接触与气氛环境的加温气流进行所述晶圆的上表面、所述晶圆的下表面以及所述晶圆的边缘区域进行加温的动作。
[0009]作为优选，通过可输出热气流的交错式的非接触式空气动力组件对所述晶圆的边缘区域进行加温动作，确保所述晶圆边缘区域的温度范围。
[0010]作为优选，在所述晶圆的下表面的所述晶圆承载平台中心位置配置热气流喷流，以及对应所述晶圆承载平台在相对所述晶圆内径区域3/4相对位置配置环型排列的倾斜角喷流孔。
[0011]作为优选，在所述晶圆的边缘位置配置可进行两段式简谐式移动的晶圆喷淋装置，并在所述晶圆喷淋装置上配置加热装置，以确保所述晶圆外缘以及所述晶圆外缘临近区域的加温保持，使所述晶圆外缘区域的瞬时接触的边际线能使温度集中且保持温度。
[0012]作为进一步优选，所述晶圆喷淋装置倾斜设置。
[0013]作为优选，所述清洗腔体由上至下分为三个相互独立的层腔，每一个层腔内均设有排气装置，所述晶圆承载平台的底部设有升降机构。
[0014]上述技术方案具有如下优点或有益效果：
[0015]本专利技术中通过对晶圆的流场的优化控制，利用热风喷向晶圆表面及边缘区域，控制晶圆的表面及边缘区域温度，破坏结晶的基础条件，从而避免晶圆的表面及边缘区域出现结晶现象，提高清洗效果。
附图说明
[0016]图1是本专利技术中避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法的流程图。
具体实施方式
[0017]下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0018]在本专利技术的描述中，需要说明的是，如出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等，其所指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，如出现术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0019]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，如出现术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0020]图1是本专利技术中避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法的流程图，请参见图1所示，示出了一种较佳的实施例，示出的一种避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法，包括：
[0021]S1、进行晶圆的分布式阶段性控制，将晶圆放置在清洗腔体内的晶圆承载平台上，进行晶圆的中心、晶圆的外缘以及晶圆与清洗腔体之间的间隔三个不同位置的差异优化，产生不同强度的排气分布，以形成梯度强度流场。本实施例中，晶圆的外缘的流场强度大于晶圆的外缘以及晶圆与清洗腔体之间流场强度，晶圆的外缘以及晶圆与清洗腔体之间流场强度大于晶圆的中心的流场强度，如此形成梯度强度流场，促进晶圆外缘的阶梯化工艺的流场分布集中与效果增强，且颗粒不易残留在晶圆边际。
[0022]S2、进行晶圆的差异化热流分布，通过纯净空气吹送单元向晶圆的上表面输送热风吹送进行气流增速，并保持晶圆底部中心位置处于常温状态，晶圆的边缘位置进行增温，以将液体的流动与处理能力集中在晶圆外缘位置并促进阶梯化强对流的方式进行流动。
[0023]S3、进行晶圆的三维方向的表面温度控制，通过全面性的晶圆接触与气氛环境的加温气流进行晶圆的上表面、晶圆的下表面以及晶圆的边缘区域进行加温的动作。晶圆在蚀刻的过程中，化学药液喷流集中在晶圆的表面位置，因此在晶圆进行喷淋过程的颗粒控制与流场分布，需要增强在晶圆中心区域的流场阶段性控制。而本实施例中，通过对晶圆表面进行分布式阶段性控制、差异化热流分布的控制以及三维方向的表面温度控制，能够有效的避免化学药液在晶圆的表面以及边缘区域出现结晶情况。可根据不同堆积结晶位置用
热风破坏结晶的基础条件。
[0024]进一步，作为一种较佳的实施方式，通过可输出热气流的交错式的非接触式空气动力组件对晶圆的边缘区域进行加温动作，确保晶圆边缘区域的温度范围。本实施例中，非接触式空气动力组件位于晶圆的边缘区域的上下表面，实现晶圆边缘区域上下表面的温度的控制，避免边缘处出现结晶现象，提高边缘处的清洗效果。
[0025]进一步，作为一种较佳的实施方式，在晶圆的下表面的晶圆承载平台中心位置配置热气流喷流，以及对应晶圆承载平台在相对晶圆内径区域3/4相对位置配置环型排列的倾斜角喷流孔，可对应晶圆下表面的整体增温加热，加强热空气堆积与对流在外缘区域。
[0026]进一步，作为一种较佳的实施方式，在晶圆的边缘位置配置可进行两段式简谐式移动的晶圆喷淋装置，并在晶圆喷淋装置上配置加热装置，以确保晶圆外缘以及晶圆外缘临近区域的加温保持，使晶圆外缘区域的瞬时接触的边际线能使温度集中且保持温度。
[0027]进一步，作为一种较佳的实施方式，晶圆喷淋装置倾斜设置。
[0028]进一步，作为一种较佳的实施方式，清洗腔体由上至下分为三个相互独立的层腔，每一个层腔内均设有排气装置，晶圆承载平台的底部设有升降机构。本实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法，其特征在于，包括：S1、进行晶圆的分布式阶段性控制，将所述晶圆放置在清洗腔体内的晶圆承载平台上，进行所述晶圆的中心、所述晶圆的外缘以及所述晶圆与所述清洗腔体之间的间隔三个不同位置的差异优化，产生不同强度的排气分布，以形成梯度强度流场；S2、进行晶圆的差异化热流分布，通过纯净空气吹送单元向所述晶圆的上表面输送热风吹送进行气流增速，并保持所述晶圆底部中心位置处于常温状态，所述晶圆的边缘位置进行增温，以将液体的流动与处理能力集中在所述晶圆外缘位置并促进阶梯化强对流的方式进行流动；S3、进行晶圆的三维方向的表面温度控制，通过全面性的晶圆接触与气氛环境的加温气流进行所述晶圆的上表面、所述晶圆的下表面以及所述晶圆的边缘区域进行加温的动作。2.如权利要求1所述的避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法，其特征在于，通过可输出热气流的交错式的非接触式空气动力组件对所述晶圆的边缘区域进行加温动作，确保所...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓信甫，黄茂烘，张九勤，
申请(专利权)人：至微半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：