【技术实现步骤摘要】
扇出式封装方法及封装结构
[0001]本专利技术属于半导体封装
,具体涉及一种扇出式封装方法及封装结构。
技术介绍
[0002]目前在半导体封装业界,扇出型晶圆级封装作为应用于众多移动应用的成熟技术,主要有两种方式分别为先晶圆和后晶圆。其中先晶圆工艺的优势在于具有较成熟的制程和较低的成本,但在制程过程中仍然存在晶粒芯片偏移、芯片/塑封层界面平整度不佳以及晶圆翘曲问题,导致良率低下。
[0003]目前在扇出型封装工艺中进行芯片重组粘合工序时,通过在载体上贴上双面胶,拾取合格的芯片放置于双面胶上,由于受到贴/装片机自身精度以及双面胶黏性的限制,使用环氧树脂封胶压合成型后芯片会产生偏移或者被封胶冲走,这种风险的存在对后续的重布线制程等都会造成不良影响,如此一来,不仅生产良率大幅下降,也浪费时间及物料成本。
[0004]针对上述问题,有必要提出一种设计合理且可以有效解决上述问题的一种扇出式封装方法及封装结构。
技术实现思路
[0005]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种扇出式封装方法,其特征在于,所述封装方法包括:提供芯片、第一临时载盘和第二临时载盘;其中,所述第二临时载盘的第一表面设置有第一金属种子层;在所述芯片的第一表面形成导电连接件,并将所述芯片的第一表面固定到所述第一临时载盘上;在所述芯片的第二表面依次形成第二金属种子层和金属层;将所述芯片与所述第一临时载盘分离;将所述芯片第二表面的金属层与所述第二临时载盘的所述第一金属种子层进行热压键合;在所述芯片的第一表面形成塑封层,将所述芯片与所述第二临时载盘分离;在所述芯片的导电连接件上形成重布线层。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述芯片第二表面的金属层与所述第二临时载盘的所述第一金属种子层进行热压键合,包括:采用热压焊工艺,通过施加预设的压力和温度,将所述芯片第二表面的金属层与所述第二临时载盘的所述第一金属种子层的表面原子形成键合。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述金属层为锡
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银金属层,所述第一金属种子层为钛
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铜种子层。4.根据权利要求1至3任一项所述的方法,其特征在于,所述将所述芯片的第一表面固定到所述第一临时载盘上,包括:在所述第一临时载盘上形成第一剥离层和粘合层,将所述芯片的第一表面上的导电连接件固定在所述粘合层上;所述将所述芯片与所述第一临时载盘分离,包括:去除所述第一剥离...
【专利技术属性】
技术研发人员:李尚轩,郑子企,仇阳阳,
申请(专利权)人:南通通富微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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