封装管壳及半导体晶粒的失效分析方法技术

本申请提供一种封装管壳及半导体晶粒的失效分析方法。该用于半导体晶粒测试的封装管壳包括：壳体和连接引脚；其中，壳体用于将半导体晶粒收容在其内；壳体包括对应半导体晶粒的正面的第一观测窗和对应半导体晶粒的反面的第二观测窗；连接引脚用于与收容在壳体内的半导体晶粒形成连接，在封装管壳通过连接引脚在第一方向上插设在插槽中进行测试时，通过第一观测窗定位半导体晶粒正面的热点；在封装管壳通过连接引脚在第二方向上插设在插槽中进行测试时，通过第二观测窗定位半导体晶粒反面的热点。该封装管壳能够使定位半导体晶粒正反面的热点的过程较为简单，耗时较短，有效缩短了产品的测试周期，提高了产品的测试成功率。提高了产品的测试成功率。提高了产品的测试成功率。

【技术实现步骤摘要】
封装管壳及半导体晶粒的失效分析方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种封装管壳及半导体晶粒的失效分析方法。

技术介绍

[0002]后摩尔定律时代，集成电路从传统平面集成方式向立体集成方式延伸，例如，采用两片或两片以上晶圆堆叠形成半导体器件，切割成晶粒(die)后封装形成半导体封装件，这些半导体晶粒至少包括第一芯片和第二芯片。在对这些半导体晶粒进行可靠性测试的过程中，经常需要定位失效产品正面的热点和反面的热点，以进行失效分析。
[0003]目前，针对客户退回的半导体封装件，一般是通过掰去半导体封装件的引脚，并对其进行研磨直至露出第一芯片的衬底(例如硅衬底)，即半导体晶粒的反面，然后将半导体封装件倒扣放在插槽(socket)上，露出第一芯片的衬底，利用微光显微镜(Emission Microscope，EMMI)机台抓取半导体晶粒的反面的动态热点(dynamic hotspot)；完成背面动态热点抓取之后，通过使用发烟硝酸将半导体封装件完全开封并取出半导体晶粒，并将获取的半导体晶粒连接至双列直插封装(dual in...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体晶粒测试的封装管壳，其特征在于，包括：壳体，用于将所述半导体晶粒收容在其内；所述壳体包括对应所述半导体晶粒的正面的第一观测窗和对应所述半导体晶粒的反面的第二观测窗；连接引脚，用于与收容在所述壳体内的所述半导体晶粒形成连接，在所述封装管壳通过所述连接引脚在第一方向上插设在插槽中进行测试时，通过所述第一观测窗定位所述半导体晶粒正面的热点；在所述封装管壳通过所述连接引脚在第二方向上插设在所述插槽中进行测试时，通过所述第二观测窗定位所述半导体晶粒反面的热点。2.根据权利要求1所述的封装管壳，其特征在于，所述壳体具有相背的第一表面和第二表面，所述第一观测窗和所述第二观测窗分别设置在所述第一表面和所述第二表面上；其中，所述第一观测窗和所述第二观测窗是透明的；或者，所述第一表面和所述第二表面整体是透明的，以分别构成所述第一观测窗和所述第二观测窗；或者，所述第一观测窗是镂空的，暴露出所述半导体晶粒的正面。3.根据权利要求1所述的封装管壳，其特征在于，所述连接引脚包括：第一组引脚，设置在所述壳体的下半部分，所述封装管壳通过所述第一组引脚而在第一方向上插设在所述插槽中，从而使所述第一观测窗背离所述插槽，以通过所述第一观测窗定位所述半导体晶粒正面的热点；第二组引脚，设置在所述壳体的上半部分，所述封装管壳通过所述第二组引脚而在第二方向上插设在所述插槽中，从而使所述第二观测窗背离所述插槽，以通过所述第二观测窗定位所述半导体晶粒反面的热点。4.根据权利要求1所述的封装管壳，其特征在于，所述连接引脚包括：第一组引脚和第二组引脚，所述第一组引脚和所述第二组引脚在一个平面内设置；所述封装管壳通过所述第一组引脚在第一方向上插设在所述插槽中，从而使所述第一观测窗背离所述插槽，以通过所述第一观测窗定位所述半导体晶粒正面的热点；所述封装管壳通过所述第二组引脚在第二方向上插设在所述插槽中，从而使所述第二观测窗背离所述插槽，以通过所述第二观测...

【专利技术属性】
技术研发人员：方力，高慧敏，李桂花，方明海，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：