一种桥式整流器芯片框架制造技术

本实用新型专利技术提供了一种桥式整流器芯片框架，包括：多个支架结构，每一所述支架结构包括：与芯片焊接连接的头部；与所述头部相连接的引脚；在所述头部上错开设计框架凸点和/或框架地拖，所述框架凸点为方形结构，且与芯片P面的方形焊接面相匹配，所述框架地拖为列阵式沟槽结构。通过本实用新型专利技术的技术方案，可以将锡膏在融化沸腾焊接过程中产生的气泡排出，而且对芯片进行有效限位，芯片位置准确，不易偏移，增大了芯片与框架的接触焊接面积，保障了牢靠性，增大了浪涌电流，提高了抗电路应用突波，浪涌能力。浪涌能力。浪涌能力。

【技术实现步骤摘要】
一种桥式整流器芯片框架


[0001]本技术涉及电子元器件
，具体而言，涉及一种桥式整流器芯片框架。

技术介绍

[0002]相关技术中，框架为矩阵形式分布，二极管封装框架，包括上料片和下料片，框架焊盘上设有框架焊盘圆凸点，框架焊盘上设有框架焊盘凸点的一面与下芯片的P面焊接，另一面与上芯片的N面焊接，下芯片的N面与下跳线焊接，上芯片的P面与上跳线焊接，上跳线上冲压有上跳线圆凸点，具有以下技术缺陷：
[0003](1)矩阵形式框架在作业时，由于设备精度不够，定位不准确，容易出现芯片偏位情况。
[0004](2)点胶后锡膏呈现圆形状态，锡膏高温融化后高温沸腾后产生气泡，芯片受到气力后易发生旋转，偏移。

技术实现思路

[0005]本技术旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
[0006]为此，本技术的目的在于提供一种桥式整流器芯片框架，可以将锡膏在融化沸腾焊接过程中产生的气泡排出，而且对芯片进行有效限位，芯片位置准确，不易偏移，增大了芯片与框架的接触焊接面积，保障了牢靠性，增大了浪涌电流，提高了抗电路应用突波，浪涌能力。
[0007]为了实现上述目的，本技术的技术方案提供了一种桥式整流器芯片框架，包括：多个支架结构，每一所述支架结构包括：与芯片焊接连接的头部；与所述头部相连接的引脚；在所述头部上错开设计框架凸点和/或框架地拖，所述框架凸点为方形结构，且与芯片P面的方形焊接面相匹配，所述框架地拖为列阵式沟槽结构。
[0008]优选地，所述框架凸点上设有十字型沟槽，其边长为0.65mm
±
0.03mm。
[0009]优选地，所述框架地拖呈方形，其边长为1.4mm
±
0.03mm。
[0010]优选地，所述支架结构的头部上错开设计一个所述框架凸点和一个所述框架地拖，其中，所述框架凸点靠近端部设计，所述框架地拖靠近所述引脚设计，记作第一支架结构。
[0011]优选地，所述支架结构的头部上错开设计两个所述框架凸点或者错开设计两个框架地拖，记作第二支架结构。
[0012]优选地，所述第二支架结构中的所述框架凸点位置与所述第一支架结构中的所述框架地拖位置相匹配，所述第二支架结构中的所述框架地拖位置与所述第一支架结构中的框架凸点位置相匹配，四个芯片焊接在所述第二支架结构与所述第一支架结构之间，每一芯片的P面与所述框架凸点焊接，N面与所述框架地拖焊接，四个芯片与所述第一支架结构、第二支架结构焊接后呈周向错开位置分布。
[0013]本技术提出的一种桥式整流器芯片框架具有以下有益技术效果：
[0014](1)本技术提出的一种桥式整流器芯片框架增大了与芯片之间的焊接面积，而且焊接位置设计为方形，焊接过程以及应用中芯片不易偏移，从而，有利于提高产品的抗浪涌能力，提高产品的可靠性，可靠性指标可以达到汽车电子器件可靠性试验标准。
[0015](2)本技术提出的一种桥式整流器芯片框架中框架凸点、框架地拖均采用沟槽结构，焊锡融化后产生的气泡可以顺沟槽结构排出，有效减少了焊接气泡，提高了焊接效果，进而也提高了产品的良率。
[0016](3)采用本技术提出的一种桥式整流器芯片框架，可以与芯片完美对接，可以对焊接位置进行矫正，芯片偏移角度得到更正，减少了应用中芯片偏移、旋转后产生电弧等现象的发生。
[0017]本技术的附加方面和优点将在下面的描述部分中给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0018]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0019]图1示出了根据本技术的一个实施例的一种桥式整流器芯片框架的结构示意图；
[0020]图2示出了根据本技术的一个实施例的一种桥式整流器芯片框架的侧视结构示意图；
[0021]图3示出了图1一种桥式整流器芯片框架中的第一支架结构的结构示意图；
[0022]图4示出了图1一种桥式整流器芯片框架中的第二支架结构的结构示意图；
[0023]图5示出了芯片的结构示意图，
[0024]其中，图1至图5中附图标记与部件之间的对应关系为：
[0025]102第一支架结构，104第二支架结构，106头部，108引脚，110框架凸点，112框架地拖，114芯片，1142方形焊接面。
具体实施方式
[0026]为了能够更清楚地理解本技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本技术进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0027]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是，本技术还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本技术的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0028]下面结合图1至图5对根据本技术的实施例的一种桥式整流器芯片框架进行具体说明。
[0029]如图1至图5所示，根据本技术的实施例的一种桥式整流器芯片114框架包括：多个支架结构，分别为第一支架结构102和第二支架结构104，每一支架结构包括：与芯片114焊接连接的头部106、与头部106相连接引脚108。在头部106上错开设计框架凸点110和/或框架地拖112，框架凸点110为方形结构，且与芯片114P面的方形焊接面1142相匹配，框架
地拖112为列阵式沟槽结构。芯片114的P面与框架凸点110焊接，框架凸点110采用方形结构，可以与芯片114P面的方形焊接面1142，完美对接，两者紧密焊接，完成对焊接位置的矫正，而且不易偏移。芯片114的N面与框架地拖112焊接，框架地拖112为列阵式沟槽结构，可以使得焊锡融化后产生的气泡顺沟槽结构排出，有效减少了焊接气泡，提高了焊接质量，而且焊接面积较大，进而有利于提高产品的抗浪涌能力，提高产品的可靠性，可靠性指标达到汽车电子器件可靠性试验标准，同时，也有利于提高生产良率、降低制造成本。
[0030]进一步地，如图3和图4所示，框架凸点110上设有十字型沟槽，其边长为0.65mm
±
0.03mm，一方面可以与芯片114的P面的方形焊接面1142完美对接，增大焊接面积，保障焊接稳定性，另一方面可以通过沟槽将焊锡融化后产生的气泡排出，保障焊接质量。
[0031]进一步地，如图3和图4所示，框架地拖112呈方形，其边长为1.4mm
±
0.03mm，可以与芯片114的N面完美对接，增大焊接面积，保障焊接稳定性。
[0032]进一步地，如图3所示，第一支架结构102的头部106上错开设计一个框架凸点110和一个框架地拖112，其中，框架凸点110靠近端部设计，框架地拖112靠近引脚108设计。如图4所示，第二支架结构104的头部106上错开设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种桥式整流器芯片框架，其特征在于，包括：多个支架结构，每一所述支架结构包括：与芯片焊接连接的头部；与所述头部相连接的引脚；在所述头部上错开设计框架凸点和/或框架地拖，所述框架凸点为方形结构，且与芯片P面的方形焊接面相匹配，所述框架地拖为列阵式沟槽结构。2.根据权利要求1所述的桥式整流器芯片框架，其特征在于，所述框架凸点上设有十字型沟槽，其边长为0.65mm
±
0.03mm。3.根据权利要求1所述的桥式整流器芯片框架，其特征在于，所述框架地拖呈方形，其边长为1.4mm
±
0.03mm。4.根据权利要求1至3中任一项所述的桥式整流器芯片框架，其特征在于，所述支架结构的头部上错开设计一个所述框架...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨威，
申请(专利权)人：金鑫电子山东有限公司，
类型：新型
国别省市：