存储器的检测方法技术

本公开提供一种存储器的检测方法，涉及半导体技术领域，用于解决无法测试存储器预充电时间的技术问题，该存储器的检测方法先在第一对角线和第二对角线上写入第一存储数据，之后再写入第二存储数据，按照第一读取顺序读取位于第一对角线和第二对角线上的存储单元的存储数据，并在每读取一个存储单元的存储数据之前，缩短与该存储单元连接的位线和参考位线预充电时间，以增加该存储单元读取时出错的几率，若是该存储单元的存储数据与第一存储数据不同或者与第二存储数据不同，则证明出错时的第一预设时间为该存储器对应的行预充电时间的边界值，缩短了测试时间，此外，对角线周边为未知数据，拓宽了测试环境的设定范围，可对不同的存储器进行测试。同的存储器进行测试。同的存储器进行测试。

【技术实现步骤摘要】
存储器的检测方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种存储器的检测方法。

技术介绍

[0002]在动态随机存储器(Dynamic random access memory，简称DRAM)中，存储器阵列是由多个存储体(bank)组成，而每个存储体(blank)又由多个重复的存储单元(cell)组成，需要读取存储单元中的存储数据时，首先需要完成对需要存储单元(cell)的选址，即，通常选中其中一条字线，以激活该条字线，然后通过打开同时与该条字线上的存储单元连接的位线，通过感应放大器(SA)放大位线与参考位线之间压差，并将该压差输送到IO线路中，以完成存储器的读取操作，在关闭该字线之后，打开另一条字线之前，需要对位线和参考位线进行预充电操作，以使得位线电位和参考位线的电位回到同一参考值，以保证与另一条位线连接存储单元的存储数据的真实性，因此，预充电时间的大小直接影响存储器的质量，但是，相关技术中并没有有效的手段来检测存储器的预充电时间。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，本公开实施例提供一种存储器的检测方法，用于对存储器的预充电时间进行测试。
[0004]为了实现上述目的，本公开实施例提供如下技术方案：
[0005]本公开实施例提供一种存储器的检测方法，其中，所述存储器包括多个存储体，每个所述存储体包括第一存储阵列和第二存储阵列，且所述第一存储阵列具有第一对角线，所述第二存储阵列具有第二对角线，所述第一对角线和所述第二对角线的朝向相同，所述检测方法包括如下步骤：
[0006]步骤a，向位于所述第一对角线和所述第二对角线上的所有的存储单元写入第一存储数据；
[0007]步骤b，按照第一读取顺序分别读取位于所述第一对角线和所述第二对角线上的存储单元上的存储数据，并在每读取一个所述存储单元的所述存储数据之前，对与该存储单元连接的位线和参考位线进行第一预设时间的预充电，所述第一预设时间小于所述预充电时间，判断所述存储单元的存储数据与所述第一存储数据是否相同；
[0008]步骤c，向位于所述第一对角线上和所述第二对角线上的所有存储单元写入第二存储数据，所述第二存储数据与所述第一存储数据不同；
[0009]步骤d，重复步骤b，判断所述存储单元的存储数据与所述第二存储数据是否相同。
[0010]在一些实施例中，在所述步骤b之后，在所述步骤c之前，所述检测方法还包括
[0011]步骤e，按照第二读取顺序读取位于所述第一对角线和所述第二对角线上的所述存储单元上的存储数据，并在每读取一个所述存储单元的存储数据之前，对与该存储单元连接的所述位线和所述参考位线进行第一预设时间的预充电，判断所述存储单元的存储数据与所述第一存储数据是否相同。
[0012]在一些实施例中，在所述步骤d中包括，重复步骤b、步骤c和步骤e，判断所述存储单元的存储数据与所述第二存储数据是否相同。
[0013]在一些实施例中，还包括：若步骤b中的所述存储数据与所述第一存储数据相同，以及步骤d中所述存储数据与所述第二存储数据相同，则调整步骤b中第一预设时间的数值，并重复步骤b至步骤d，直至步骤b中的所述存储数据与所述第一存储数据不同，或者步骤d中的所述存储数据与所述第二存储数据不同，则读取的存储数据出错时，所对应的第一预设时间为行预充电时间的边界值。
[0014]在一些实施例中，在步骤a之后，在步骤b之前，所述检测方法还包括：降低所述存储器的均衡电压。
[0015]在一些实施例中，向每个所述存储体写入第一电压，所述第一电压小于所述存储体中的字线的开启电压。
[0016]在一些实施例中，向每个所述存储体写入第二电压，所述第二电压大于与所述存储体中字线连接的晶体管的关闭电压。
[0017]在一些实施例中，所述第一存储数据为“1”，所述第二存储数据为“0”。
[0018]在一些实施例中，所述存储器还包括设置在所述位线和所述参考位线之间的均衡器单元；通过所述均衡器单元向所述存储单元施加所述均衡电压。
[0019]在一些实施例中，所述均衡器单元包括第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管；
[0020]所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极以及所述第三晶体管的栅极连接；
[0021]所述第一晶体管的源极与所述位线连接，所述第一晶体管的漏极与所述参考位线连接；
[0022]所述第二晶体管的源极与所述位线连接，所述第二晶体管的漏极与所述第三晶体管的源极连接；
[0023]所述第三晶体管的漏极与所述参考位线连接。
[0024]在一些实施例中，所述均衡器单元还包括第一信号线，所述第一信号线分别与所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极以及所述第三晶体管的栅极连接，所述第一信号线用于给所述均衡器单元提供电压，以打开或者关闭所述均衡器单元。
[0025]在一些实施例中，所述第二晶体管的漏极和所述第三晶体管的源极还与第二信号线连接，所述第二信号线用于给所述位线和所述参考位线提供重置电压。
[0026]在一些实施例中，所述存储器包括读取电路和外围电路，所述读取电路与所述位线连接，用于将与该位线连接的存储数据传输至所述外围电路中。
[0027]在一些实施例中，所述读取电路包括：读取晶体管，所述读取晶体管的栅极与第三信号线连接，所述第三信号线用于控制所述读取晶体管的打开或者关闭；
[0028]所述读取晶体管的源极与所述位线连接，所述读取晶体管的漏极通过第四信号线与所述外围电路连接。
[0029]在一些实施例中，所述存储器中还包括感应放大器，所述感应放大器设置在所述位线与该位线对应的所述参考位线之间，用于放大所述位线与该位线对应的所述参考位线之间的压差。
[0030]在一些实施例中，所述感应放大器包括第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第
七晶体管；
[0031]所述第四晶体管的栅极与所述参考位线连接，所述第四晶体管的源极与所述位线连接；
[0032]所述第五晶体管的栅极与所述位线连接，所述第五晶体管的源极与所述参考位线连接，所述第五晶体管的漏极与所述第四晶体管的漏极连接，并与第一电源线连接，所述第一电源线用于提供低电位电压；
[0033]所述第六晶体管的栅极与所述参考位线连接，所述第六晶体管的源极与所述位线连接；
[0034]所述第七晶体管的栅极与所述位线连接，所述第七晶体管的源极与所述参考位线连接，所述第七晶体管的漏极与所述第六晶体管的漏极连接，并与第二电源线连接，所述第二电源线用于提供高电位电压。
[0035]本公开实施例所提供的存储器的检测方法中，先在存储体的第一对角线和第二对角线上写入第一存储数据，并降低存储器的均衡电压，在得知会增加位线的电位和参考位线的电位均重置为参考电位所需时间的前提下，按照第一读取顺序读取位于第一对角线和第二对角线上的存储单元的存储数据，并在每读取一个存储单元的存储数据之前，缩短与该存储单元连接的位线和参考位线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的检测方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储体，每个所述存储体包括第一存储阵列和第二存储阵列，且所述第一存储阵列具有第一对角线，所述第二存储阵列具有第二对角线，所述第一对角线和所述第二对角线的朝向相同，所述检测方法包括如下步骤：步骤a，向位于所述第一对角线和所述第二对角线上的所有的存储单元写入第一存储数据；步骤b，按照第一读取顺序分别读取位于所述第一对角线和所述第二对角线上的存储单元上的存储数据，并在每读取一个所述存储单元的所述存储数据之前，对与该存储单元连接的所述位线和所述参考位线进行第一预设时间的预充电，所述第一预设时间小于所述预充电时间，判断所述存储单元的存储数据与所述第一存储数据是否相同；步骤c，向位于所述第一对角线上和所述第二对角线上的所有存储单元写入第二存储数据，所述第二存储数据与所述第一存储数据不同；步骤d，重复步骤b，判断所述存储单元的存储数据与所述第二存储数据是否相同。2.根据权利要求1所述的存储器的检测方法，其特征在于，在所述步骤b之后，在所述步骤c之前，所述检测方法还包括步骤e，按照第二读取顺序读取位于所述第一对角线和所述第二对角线上的所述存储单元上的存储数据，并在每读取一个所述存储单元的存储数据之前，对与该存储单元连接的所述位线和所述参考位线进行第一预设时间的预充电，判断所述存储单元的存储数据与所述第一存储数据是否相同。3.根据权利要求2所述的存储器的检测方法，其特征在于，在所述步骤d中包括，重复步骤b、步骤c和步骤e，判断所述存储单元的存储数据与所述第二存储数据是否相同。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的存储器的检测方法，其特征在于，还包括：若步骤b中的所述存储数据与所述第一存储数据相同，以及步骤d中所述存储数据与所述第二存储数据相同，则逐步缩短步骤b中第一预设时间的数值，并重复步骤b至步骤d，直至步骤b中的所述存储数据与所述第一存储数据不同，或者步骤d中的所述存储数据与所述第二存储数据不同，则读取的存储数据出错时，所对应的第一预设时间为行预充电时间的边界值。5.根据权利要求1
‑
3任一项所述的存储器的检测方法，其特征在于，在步骤a之后，在步骤b之前，所述检测方法还包括：降低所述存储器的均衡电压。6.根据权利要求1
‑
3任一项所述的存储器的检测方法，其特征在于，向每个所述存储体写入第一电压，所述第一电压小于所述存储体中的字线的开启电压。7.根据权利要求6所述的存储器的检测方法，其特征在于，向每个所述存储体写入第二电压，所述第二电压大于与所述存储体中字线连接的晶体管的关闭电压。8.根据权利要求1
‑
3任一项所述的存储器的检测方法，其特征在于，所述第一存储数据为“1...

【专利技术属性】
技术研发人员：楚西坤，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：