晶圆平坦度的预测制造技术

本公开内容的方面提供了用于确定晶圆平坦度和用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：存储在光刻工艺期间沿着平行于第一晶圆的工作表面的第一方向收集的第一晶圆的第一晶圆膨胀。光刻工艺用于在第一晶圆的工作表面上对结构进行图案化。在具有晶圆平坦度要求的制造步骤之前，使用被配置为预测晶圆平坦度的平坦度预测模型、并基于在光刻工艺期间收集的第一晶圆膨胀来确定第一晶圆的晶圆平坦度。在示例中，在第一晶圆的背面上沉积具有基于所确定的第一晶圆的晶圆平坦度的厚度的层。的第一晶圆的晶圆平坦度的厚度的层。的第一晶圆的晶圆平坦度的厚度的层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶圆平坦度的预测


[0001]本申请描述了总体上涉及半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造的实施例。

技术介绍

[0002]半导体器件可以通过在晶圆上执行的各种制造步骤来形成。制造步骤可影响晶圆的平坦度(例如，弯曲)。某些制造步骤，例如第一晶圆和第二晶圆的晶圆级键合，可以具有晶圆的平坦度的平坦度要求。然而，第一晶圆和/或第二晶圆可以具有相对大的弯曲，使得对于晶圆级键合具有挑战性。需要测量晶圆的弯曲，并随后减小弯曲以满足平坦度要求。

技术实现思路

[0003]本公开内容的各方面提供了一种用于确定晶圆平坦度的方法。该方法可包括存储在用于在第一晶圆的工作表面上对结构进行图案化的光刻工艺期间沿着平行于第一晶圆的工作表面的第一方向收集的第一晶圆的第一晶圆膨胀(expansion)。在具有晶圆平坦度要求的制造步骤之前，可以使用被配置为预测晶圆平坦度的平坦度预测模型、并基于在光刻工艺期间收集的第一晶圆膨胀来确定第一晶圆的晶圆平坦度。
[0004]在实施例中，该方法包括在第一晶圆的背面上沉积具有基于所确定的第一晶圆的晶圆平坦度的厚度的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于确定晶圆平坦度的方法，包括：存储第一晶圆的第一晶圆膨胀，所述第一晶圆的所述第一晶圆膨胀是在用于在所述第一晶圆的工作表面上对结构进行图案化的光刻工艺期间、沿着平行于所述第一晶圆的所述工作表面的第一方向收集的；以及在具有晶圆平坦度要求的制造步骤之前，使用被配置为预测所述晶圆平坦度的平坦度预测模型、并基于在所述光刻工艺期间收集的所述第一晶圆膨胀来确定所述第一晶圆的晶圆平坦度。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第一晶圆的背面上沉积具有基于所确定的所述第一晶圆的晶圆平坦度的厚度的层。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中：所述方法还包括：测量沿着平行于所述第一晶圆的所述工作表面的第二方向的第二晶圆膨胀，所述第一方向垂直于所述第二方向；并且所述确定包括：使用所述平坦度预测模型、并基于所述第一晶圆膨胀和所述第二晶圆膨胀来确定所述第一晶圆的所述晶圆平坦度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中：所述方法还包括：在所述光刻工艺之后并且在所述确定步骤之前，通过使用多个制造步骤在所述第一晶圆的所述工作表面上形成所述结构来修改所述第一晶圆；并且所述确定包括：使用所述平坦度预测模型、并基于所述第一晶圆膨胀和所述多个制造步骤中的两个制造步骤之间的等待时间来确定所述第一晶圆的所述晶圆平坦度。5.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中：所述晶圆平坦度由所述第一晶圆的弯曲指示，所述平坦度预测模型是预测所述第一晶圆的所述弯曲的弯曲预测模型，并且所述确定包括：使用所述弯曲预测模型、并基于所述第一晶圆膨胀来确定所述第一晶圆的所述弯曲。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中：所述平坦度预测模型基于机器学习算法；并且所述方法还包括：在用于在第二晶圆的工作表面上对结构进行图案化的光刻工艺期间测量所述第二晶圆沿着平行于所述第二晶圆的所述工作表面的方向的晶圆膨胀；在对所述第二晶圆执行具有所述晶圆平坦度要求的所述制造步骤之前，使用所述平坦度预测模型、并基于所述第二晶圆的所述晶圆膨胀来确定所述第二晶圆的晶圆平坦度；以及测量所述第二晶圆的实际晶圆平坦度；以及基于所测量的所述第二晶圆的晶圆平坦度和所确定的所述第二晶圆的晶圆平坦度来更新所述平坦度预测模型。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述光刻工艺是在时间上最接近具有所述晶圆平坦度要求的制造步骤执行的光刻工艺。8.根据权利要求4所述的方法，其中，所述确定包括：
使用所述平坦度预测模型、并基于所述多个制造步骤中的一个制造步骤的处理温度或处理时间来确定所述第一晶圆的所述晶圆平坦度，所述平坦度预测模型取决于所述多个制造步骤中的一个制造步骤的所述处理温度和所述处理时间中的一个、所述第一晶圆膨胀、以及所述等待时间。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，在形成触点结构和字线触点之后执行具有所述晶圆平坦度要求的所述制造步骤。10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，所述结构包括触点结构和字线触点，并且所述光刻工艺对所述触点结构和所述字线触点进行图案化。11.一种用于制造半导体器件的方法，包括：获得第一晶圆的第一晶圆膨胀，所述第一晶圆膨胀是在用于在所述第一晶圆的工作表面上对所述半导体器件的结构进行图案化的光刻工艺期间沿着平行于所述第一晶圆的工作表面的第一方向收集的；在具有晶圆平坦度要求的键合步骤之前，使用被配置为预测所述晶圆平坦度的平坦度预测模型、并基于所述第一晶圆膨胀来确定所述第一晶圆的晶圆平坦度，在所述第一晶圆的背面上沉积具有基于所确定的所述第一晶圆的晶圆平坦度而确定的厚度的层；以及将所述第一晶圆与第二晶圆面对面地键合。12.根据权利要求11所述的方法，其中，在沉积所述层之后，所述第一晶圆的所述晶圆平坦度满足所述晶圆平坦度要求。13.根据权利要求11或12所述的方法，其中：所述方法还包括：测量沿着平行于所述第一晶圆的所述工作表面的第二方向的第二晶圆膨胀，所述第一方向垂直于所述第二方向，并且所述确定包括：使用...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷鑫，周盈，宋豪杰，鲍琨，王璠，金国秀，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：