系列类碲镉汞红外材料及其制备方法和用途技术

系列类碲镉汞红外材料及其制备方法和用途，涉及系列类碲镉汞红外材料及其合成。本发明专利技术的目的是要找到一种能带具有较大的可“剪裁”性的半导体材料。选择了ⅥＡ族元素Ｓｅ，ⅦＡ族元素Ｂｒ和ⅡＢ族的Ｃｄ和Ｈｇ，用固相反应法，合成出新型系列类碲镉汞红外材料化合物ＣｄＨｇ↓［４］Ｑ↓［４］Ｘ↓［６］（Ｑ＝Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ；Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）。该材料用于红外探测器和发射器、热电材料和红外激光器等技术领域。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新型红外材料及其制备方法，尤其涉及系列类碲镉汞红外材料及其合成。
技术介绍
半导体是现代信息技术的基础材料，也是现代国防的关键材料。半导体材料的发展和应用，极大地提高了人类的生活质量。从1958年碲镉汞(Hg1-xCdxTe)晶体(即MCT)被专利技术以来，经过40多年的发展，MCT材料已成为仅次于Si和GaAs之后的第三种最重要的半导体材料。硅锗半导体因其禁带不够宽，而且其半导体能隙为间接跃迁型而长期置身光电子学领域之外，GaAs导热率低不能用于高功率的电力电子器件，而MCT则具有众多的优点本征激发、高的吸收系数和高的量子效率(大于80％)而具有高的探测率。MCT工作温度较高，可工作的温度范围也宽，适合于军事上多变的工作温度。目前，在红外器件市场中以MCT为基础的产品占了一半以上。全球每年仅红外探测器的销售额就达数十亿美圆以上，至于红外仪器和红外系统等产业的规模就更大了。然而，MCT也有其缺点，如晶体结构完整性差，合金组分不均匀，难以制备大尺寸的单晶，等等。由于MCT的基础地位和用途，发达国家往往采取严格的出口限制。因此，设计合成可以替代MCT的新型半导体材料，对于本文档来自技高网...

【技术保护点】
系列类碲镉汞红外材料，其特征在于：其化学式为ＣｄＨｇ↓［４］Ｑ↓［４］Ｘ↓［６］，其中Ｑ＝Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ；Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ；其空间群为Ｃｍｍ２（Ｎｏ３５）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文通，郭国聪，徐玲，李强，黄锦顺，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：35[中国|福建]