【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity SurfaceEmitting Laser,VCSEL)或微腔,特别涉及有机微腔激光器或有机VCSEL。更具体说,本专利技术涉及有机激光腔的各种阵列。
技术介绍
基于无机半导体(如AlGaAs)制成的垂直腔面发射激光器(VCSEL)自八十年代中叶起已开发出来(见Kinoshita等人,IEEEJournal of Quantum Electronics,Vol.QE-23,No.6,1987年6月)。现已达到这样的水平,很多家公司制造的发射850nm的基于AlGaAs的VCSEL,其寿期超过100年(Choquette等人,Proceedings of the IEEE,Vol.85,No11,1997年11月)。随着这些近红外激光器的开发成功,近年来注意力已转向用其他无机材料系统来生产发射可见光波长范围内的VCSEL(Wilmsen,Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers,剑桥大学出版社,剑桥,2001年)。可见光激光器有很多潜在的用途,如显示、光学 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:J·P·斯布恩豪尔,J·A·曼尼科,E·考凡农,D·L·帕顿,
申请(专利权)人:伊斯曼柯达公司,
类型:发明
国别省市:
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