基板处理装置包含处理腔室、上部电极、下部电极、基板安装元件及可变电容器。上部电极设置于处理腔室内侧的上部中并设置为与处理腔室的上表面分隔开。下部电极设置为以离上部电极固定距离分离于上部电极。基板安装元件电性接地且设置为以离下部电极固定距离面对下部电极，在基板安装元件中安装有基板。可变电容器连接于下部电极及接地层之间或连接于下部电极及射频电源供应器的输出端之间。部电极及射频电源供应器的输出端之间。部电极及射频电源供应器的输出端之间。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置
[0001]本专利技术关于基板处理装置，尤其关于从单一的射频电源供应器分配(divide)射频电源以便在不同区域中产生第一等离子体及第二等离子体的基板处理装置。
技术介绍
[0002]传统的基板处理装置包含基板安装元件及上部电极，基板安装元件作为支撑基板的电极，上部电极垂直地与基板安装元件分隔开以面对基板安装元件。当射频电源被施加于上部电极时，在上部电极及基板安装元件之间会产生感应耦合等离子体(inductively coupled plasma)。设置于基板安装元件上的基板经等离子体处理。等离子体可将反应气体分解以在基板上沉积薄膜。上部电极作为气体供应单元，从上部电极提供的包含多种气体的混合气体通过多个喷嘴被喷射出，其中所述多个喷嘴形成于上部电极的下表面。因此，多个喷嘴可均匀地将气体注射至大面积的基板。上部电极同时作为注入结构及电极。调整上部电极的表面的外形以及喷嘴的外形，以提供大面积的膜质量及膜形成均匀性的控制效果。然而，在上部电极及基板安装元件之间产生的大量等离子体因扩散特性而在控制大面积膜质量及膜形成均匀性方面受到限制。
[0003]随着近来对大面积平板显示器(FPD)的需求增加，需要形成高质量的有机膜。此外，在大面积封装工艺或氧化物半导体沉积工艺中，对于通过交替注入两种气体来形成薄膜的原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)的需求不断增长。
技术实现思路
[0004]技术问题
[0005]本专利技术的示例实施例提供一种基板处理装置，在基板处理装置中射频电源在彼此堆叠的上部电极和下部电极之间被分配以分别在不同区域中产生第一等离子体及第二等离子体。基板处理装置可为平行板电容耦合等离子体装置(parallel plate capacitively coupled plasma apparatus)，所述平行板电容耦合等离子体装置包含上部电极、下部电极及接地的基板安装元件，上部电极具有凸部，下部电极具有对齐于凸部的开口。第一气体通过形成于上部电极的第一气体路径被供应至基板，在上部电极的凸部及基板安装元件之间会产生第一等离子体。此外，第二气体通过位于上部电极及下部电极之间的第二气体路径被供应至基板，在下部电极及基板安装元件之间会产生第二等离子体。可通过从单一的射频电源供应器分配电源以及接收所分配的电源来产生第一等离子体及第二等离子体。可通过调整可变电容器的电容值来实现产生第一等离子体及第二等离子体的电源的分配比例，其中可变电容器连接于下部电极及接地层或上部电极之间，以及连接于射频电源供应器的输出端及下部电极之间。
[0006]本专利技术的示例实施例提供一种基板处理装置，在基板处理装置中射频电源任意地被分配至各上部电极及下部电极以执行等离子体辅助原子层沉积(plasma enhanced atomic layer deposition)。
[0007]技术方案
[0008]根据一示例实施例的基板处理装置包含处理腔室、上部电极、下部电极、基板安装元件及可变电容器。上部电极具有多个凸部，所述凸部与处理腔室的上部的上表面分隔开以向下凸出。下部电极设置于上部电极之下。基板安装元件电性接地且设置为面对下部电极，且基板安装元件供基板安装。可变电容器连接于下部电极及接地层之间或连接于下部电极及射频电源供应器之间。
[0009]在一示例实施例中，上部电极可连接于射频电源供应器以在凸部及基板安装元件之间产生第一等离子体，并且射频电源供应器的射频电源可在下部电极及基板安装元件之间产生第二等离子体。
[0010]在一示例实施例中，第一气体可通过第一喷嘴被供应至基板安装元件，第一喷嘴形成于凸部中，并且第二气体可通过开口由第二喷嘴被供应至基板安装元件，第二喷嘴形成于上部电极的下表面中。
[0011]在一示例实施例中，凸部及多个第一喷嘴可以矩阵形式周期性地设置，并且多个第二喷嘴可与第一喷嘴分隔开以便以矩阵形式周期性地设置。
[0012]在一示例实施例中，基板处理装置可更包含电抗元件，电抗元件连接于上部电极及下部电极之间。
[0013]在一示例实施例中，射频电源供应器的输出端可连接于上部电极，射频电源供应器的射频电源可通过位于上部电极及下部电极之间的寄生电容器被转移至下部电极，并且可变电容器可连接于下部电极及接地层之间。
[0014]在一示例实施例中，射频电源供应器的输出端可连接于上部电极，可变电容器可连接于上部电极及下部电极之间，并且射频电源供应器的射频电源可通过可变电容器和位于上部电极及下部电极之间的寄生电容器被转移至下部电极。
[0015]在一示例实施例中，基板处理装置可更包含固定电感器，固定电感器连接于上部电极及下部电极之间。
[0016]根据本专利技术一示例实施例的基板处理装置包含上部电极、下部电极、基板安装元件及可变电容器。上部电极设置于处理腔室的上部并设置为与处理腔室的上表面分隔开。下部电极以离上部电极固定距离设置于上部电极之下并设置为相对于上部电极。基板安装元件电性接地且以离上部电极固定距离设置于下部电极之下并设置为面对下部电极，且基板安装元件上供基板安装。可变电容器连接于下部电极及接地层之间或连接于下部电极及射频电源供应器的输出端之间。上部电极具有多个凸部，所述多个凸部沿下部电极的方向凸出，多个凸部分别对齐于形成于下部电极中的多个开口。一种操作此基板处理装置的方法包含以下步骤：通过第一喷嘴将第一气体供应至基板安装元件，第一喷嘴形成于凸部中；将第二气体通过开口由第二喷嘴供应至基板安装元件，第二喷嘴形成于下部电极的下表面中；通过射频电源供应器将射频电源供应至上部电极以在凸部及基板安装元件之间产生第一等离子体；以及通过射频电源供应器将供应至上部电极射频电源分配至下部电极以在下部电极及基板安装元件之间产生第二等离子体。
[0017]在一示例实施例中，第一等离子体及第二等离子体可同时产生。
[0018]在一示例实施例中，此方法可更包含改变可变电容器的电容值。
[0019]根据一示例实施例的基板处理装置包含处理腔室、上部电极、下部电极及基板安
装元件。上部电极设置于处理腔室内侧并具有喷嘴，喷嘴沿下部长度方向凸出。下部电极设置于上部电极之下。基板安装元件设置为面对下部电极，且基板安装元件上供基板安装。下部电极电性浮动(floated)。
[0020]有益效果
[0021]如上所述，根据一示例实施例的等离子体基板处理装置可通过调整施加于第一等离子体的射频电源与施加于第二等离子体的射频电源的比例来改变薄膜的特性，其中第一等离子体产生于具有凸部的上部电极及基板安装元件之间，第二等离子体产生于具有对齐于凸部的开口的下部电极及基板安装元件之间。
[0022]此外，根据一示例实施例的等离子体基板处理装置可通过由不同路径分开地注入两种气体并使用两种气体其中一个分别在不同区域中产生第一等离子体及第二等离子体来执行原子层沉积(ALD)。
[0023]此外，根据一示例实施例的等离子体基板处本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，包含：处理腔室；上部电极，具有多个凸部，所述多个凸部与所述处理腔室的上部的上表面分隔开以向下凸出；下部电极，设置于所述上部电极之下；基板安装元件，电性接地且设置为面对所述下部电极，且所述基板安装元件上供基板安装；以及可变电容器，连接于所述下部电极及接地层之间或连接于所述下部电极及射频电源供应器之间。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中所述上部电极连接于所述射频电源供应器以在所述凸部及所述基板安装元件之间产生第一等离子体，并且所述射频电源供应器的射频电源在所述下部电极及基板安装元件之间产生第二等离子体。3.如权利要求1所述的基板处理装置，其中第一气体通过第一喷嘴被供应至所述基板安装元件，所述第一喷嘴形成于所述凸部中，并且第二气体通过开口由第二喷嘴供应至所述基板安装元件，所述第二喷嘴形成于所述上部电极的下表面中。4.如权利要求2所述的基板处理装置，其中所述凸部及多个第一喷嘴以矩阵形式周期性地设置，并且多个第二喷嘴与所述第一喷嘴分隔开以便以矩阵形式周期性地设置。5.如权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置更包含：电抗元件，连接于所述上部电极及所述下部电极之间。6.如权利要求1所述的基板处理装置，其中所述射频电源供应器的输出端连接于所述上部电极，所述射频电源供应器的射频电源通过位于所述上部电极及所述下部电极之间的寄生电容器被转移至所述下部电极，并且所述可变电容器连接于所述下部电极及接地层之间。7.如权利要求1所述的基板处理装置，其中所述射频电源供应器的输出端连接于所述上部电极，所述可变电容器连接于所述上部电极及所述下部电极之间，并且所述射频电源供应器的射频电源通过所述可变电容器和位于所述上部电极及所述下部电极之间的寄生电容器被转移至所述下部电极。8.如权利要求7所述的基板处...
【专利技术属性】
技术研发人员：全富一，朴鐘仁，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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