制造半导体器件的方法和使用EtherCAT的衬底处理设备技术

一种制造半导体器件的方法的示例包括：在使用等离子体处理衬底时，通过Ether CAT实时从反应器获取RF波形，RF波形是与要施加到RF板的电功率相关的波形；以及通过使用RF波形来调节要施加到RF板的电功率。节要施加到RF板的电功率。节要施加到RF板的电功率。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法和使用Ether CAT的衬底处理设备


[0001]描述了与制造半导体器件的方法和衬底处理设备相关的示例。

技术介绍

[0002]在常规PEALD设备中，一种被称为PLC记录器的器件用来监测与等离子体发射相关的模拟数据。换句话说，与等离子体发射相关的数据可以说是与RF相关的数据。例如，关于等离子体发射的强度(电压)的数据仅由PLC记录器获取。
[0003]该PLC记录器捕获与等离子体发射相关的模拟数据，例如其中时间分辨率为50毫秒，然后将监测数据报告给过程模块控制器(PMC)。PMC将数据保存在日志文件中。该系统不能向作为主机控制器的唯一平台控制器(UPC)实时报告要监测的模拟数据，并导致集中报告每个过程的数据。因此，除了稍后通过时间戳检查等离子体发射的强度等，别无选择。
[0004]正因为如此，UPC不能将与等离子体发射相关的模拟数据与趋势数据实时关联。换句话说，不能给配方控制提供反馈。
[0005]此外，由于在PLC记录器中捕获数据并确定警报的必要性，所以在常规的衬底处理设备中需要用于PLC记录器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在使用等离子体处理衬底时，通过Ether CAT实时从反应器获取RF波形，RF波形是与要施加到RF板的电功率相关的波形；以及通过使用RF波形来调节要施加到RF板的电功率。2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述RF波形的获取包括通过所述Ether CAT实时获取RF波形，RF波形是从开始向所述RF板施加电功率起直到预先确定的第一时间施加到RF板的RF波形；以及所述调节包括将RF波形与预先确定的目标波形进行比较，并且当RF波形的功率值小于目标波形的功率值时，增加施加到RF板的电功率，使得在所述第一时间之后施加到RF板的电功率接近目标。3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，每次在PEALD过程中向所述RF板施加电功率时，执行所述RF波形的获取和所述调节。4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，以短于50毫秒的时间分辨率获取所述RF波形。5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括当通过所述Ether CAT实时从所述反应器获取的RF波形超过预先确定的范围时发出警报。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：大森拓，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：