一种金刚石膜自动制作方法和微波等离子体控制系统技术方案

本发明专利技术实施例提出一种金刚石膜自动制作方法和微波等离子体控制系统，通过微波等离子体控制系统响应用户操作，从预设的抽取真空流程、启辉流程、升温流程、晶种刻蚀流程、单晶生长流程、降温流程、设备关机流程、晶体清洁流程、腔体清洁流程和排空流程中选择一种，或选择多种任意组合；根据选择的流程进行金刚石膜制作。微波等离子体控制系统根据预设的工艺流程进行金刚石膜制作，能够保证籽晶生长过程的温度、压力和真空值满足设定值，进而保证籽晶表面均匀沉积，并提高生产效率。并提高生产效率。并提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种金刚石膜自动制作方法和微波等离子体控制系统


[0001]本专利技术涉及微波等离子体
，具体而言，涉及一种金刚石膜自动制作方法和微波等离子体控制系统。

技术介绍

[0002]微波等离子体化学气相沉积装置适合于金刚石生产，通过等离子化的反应气体在托盘的籽晶表面沉积以形成金刚石膜。为实现批量生产，托盘上会按照阵列放置籽晶。如何保证籽晶表面均匀沉积和提高生产效率为目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种金刚石膜自动制作方法和微波等离子体控制系统，其能够保证籽晶表面均匀沉积，并提高生产效率。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案如下：
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种金刚石膜自动制作方法，应用于微波等离子体控制系统，所述方法包括：
[0006]响应用户操作；
[0007]从预设的抽取真空流程、启辉流程、升温流程、晶种刻蚀流程、单晶生长流程、降温流程、设备关机流程、晶体清洁流程、腔体清洁流程和排空流程中选择一种，或选择多种任意组合；
[0008]根据选择的流程进行金刚石膜制作。
[0009]进一步地，所述根据选择的流程进行金刚石膜制作的步骤包括：
[0010]若选择的流程为抽取真空流程，则启动机械泵，并打开设置为开启的阀门，以及将蝶阀切换到全开状态；
[0011]判断腔体内实时真空度是否达到第一目标真空度；
[0012]若实时真空度小于第一目标真空度，则启动分子泵；
[0013]若实时真空度大于第一目标真空度，则维持实时真空度大于第一目标真空度第一预设时间。
[0014]进一步地，所述根据选择的流程进行金刚石膜制作的步骤包括：
[0015]若选择的流程为启辉流程，则启动机械泵，并打开设置为开启的阀门，以及将蝶阀切换到控制状态；
[0016]将样品台和腔板伺服移动到设定位置；
[0017]将压强、功率和气体流量控制到设定的第一目标值。
[0018]进一步地，所述根据选择的流程进行金刚石膜制作的步骤包括：
[0019]若选择的流程为升温流程，则启动机械泵，并打开设置为开启的阀门，以及将蝶阀切换到控制状态；
[0020]将气体流量控制到设定的第二目标值；
[0021]将功率或压强控制到设定的第三目标值，以使升温完成。
[0022]进一步地，所述根据选择的流程进行金刚石膜制作的步骤包括：
[0023]若选择的流程为晶种刻蚀流程，则启动机械泵，并打开设置为开启的阀门，以及将蝶阀切换到控制状态；
[0024]将气体流量控制到设定的第四目标值；
[0025]将功率、压强或温度控制到设定的第五目标值；
[0026]在预设维持时间内，将所述功率、压强或温度控制在第一预设范围内。
[0027]进一步地，所述根据选择的流程进行金刚石膜制作的步骤包括：
[0028]若选择的流程为单晶生长流程，则启动机械泵，并打开设置为开启的阀门，以及将蝶阀切换到控制状态；
[0029]将功率、压强或温度控制到设定的第六目标值；
[0030]在预设维持时间内，将所述功率、压强或温度控制在第二预设范围内。
[0031]进一步地，所述根据选择的流程进行金刚石膜制作的步骤包括：
[0032]若选择的流程为降温流程，则启动机械泵，并打开设置为开启的阀门，以及将蝶阀切换到控制状态；
[0033]将气体流量控制到设定的第七目标值；
[0034]将功率或压强控制到设定的第八目标值，以使降温完成。
[0035]进一步地，所述根据选择的流程进行金刚石膜制作的步骤包括：
[0036]若选择的流程为晶体清洁流程和腔体清洁流程，则依次进入抽取真空流程、启辉流程、升温流程、晶种刻蚀流程、降温流程和设备关机流程。
[0037]进一步地，所述根据选择的流程进行金刚石膜制作的步骤包括：
[0038]若选择的流程为排空流程，则启动机械泵，并打开设置为开启的阀门，以及将蝶阀切换到全开状态；
[0039]判断腔体内实时真空度是否达到第二目标真空度；
[0040]若实时真空度小于第二目标真空度，则启动分子泵；
[0041]若实时真空度大于第二目标真空度，则维持实时真空度大于第二目标真空度第二预设时间。
[0042]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种微波等离子体控制系统，包括主控装置和人机交互装置，所述主控装置与所述人机交互装置通信连接；
[0043]所述主控装置用于响应用户对所述人机交互装置的操作；
[0044]所述主控装置还用于根据所述用户的操作，从预设的抽取真空流程、启辉流程、升温流程、晶种刻蚀流程、单晶生长流程、降温流程、设备关机流程、晶体清洁流程、腔体清洁流程和排空流程中选择一种，或选择多种任意组合；
[0045]所述主控装置还用于根据选择的流程进行金刚石膜制作。
[0046]本专利技术实施例提供的金刚石膜自动制作方法和微波等离子体控制系统的有益效果为：通过微波等离子体控制系统响应用户操作，从预设的抽取真空流程、启辉流程、升温流程、晶种刻蚀流程、单晶生长流程、降温流程、设备关机流程、晶体清洁流程、腔体清洁流程和排空流程中选择一种，或选择多种任意组合；根据选择的流程进行金刚石膜制作。通过微波等离子体控制系统自带的多种工艺流程，可以进行自动工艺灵活配置，满足不同用户
工艺需求；且微波等离子体控制系统根据预设的工艺流程进行金刚石膜制作，能够保证籽晶生长过程的温度、压力和真空值满足设定值，进而保证籽晶表面均匀沉积，并提高生产效率。
[0047]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0048]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0049]图1示出了本专利技术实施例提供的一种微波等离子体控制系统的结构示意图；
[0050]图2示出了本专利技术实施例提供的一种金刚石膜自动制作方法的流程示意图；
[0051]图3示出了本专利技术实施例提供的另一种金刚石膜自动制作方法的流程示意图；
[0052]图4示出了本专利技术实施例提供的又一种金刚石膜自动制作方法的流程示意图；
[0053]图5示出了本专利技术实施例提供的又一种金刚石膜自动制作方法的流程示意图；
[0054]图6示出了本专利技术实施例提供的又一种金刚石膜自动制作方法的流程示意图；
[0055]图7示出了本专利技术实施例提供的又一种金刚石膜自动制作方法的流程示意图；
[0056]图8示出了本专利技术实施例提供的又一种金刚石膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金刚石膜自动制作方法，其特征在于，应用于微波等离子体控制系统，所述方法包括：响应用户操作；从预设的抽取真空流程、启辉流程、升温流程、晶种刻蚀流程、单晶生长流程、降温流程、设备关机流程、晶体清洁流程、腔体清洁流程和排空流程中选择一种，或选择多种任意组合；根据选择的流程进行金刚石膜制作。2.如权利要求1所述的金刚石膜自动制作方法，其特征在于，所述根据选择的流程进行金刚石膜制作的步骤包括：若选择的流程为抽取真空流程，则启动机械泵，以将蝶阀切换到全开状态，打开设置为开启的阀门；判断腔体内实时真空度是否达到第一目标真空度；若实时真空度小于第一目标真空度，则启动分子泵；若实时真空度大于第一目标真空度，则维持实时真空度大于第一目标真空度第一预设时间。3.如权利要求2所述的金刚石膜自动制作方法，其特征在于，所述根据选择的流程进行金刚石膜制作的步骤包括：若选择的流程为启辉流程，则启动机械泵，并打开设置为开启的阀门，以及将蝶阀切换到控制状态；将样品台和腔板伺服移动到设定位置；将压强、功率和气体流量控制到设定的第一目标值。4.如权利要求1所述的金刚石膜自动制作方法，其特征在于，所述根据选择的流程进行金刚石膜制作的步骤包括：若选择的流程为升温流程，则启动机械泵，并打开设置为开启的阀门，以及将蝶阀切换到控制状态；将气体流量控制到设定的第二目标值；将功率或压强控制到设定的第三目标值，以使升温完成。5.如权利要求1所述的金刚石膜自动制作方法，其特征在于，所述根据选择的流程进行金刚石膜制作的步骤包括：若选择的流程为晶种刻蚀流程，则启动机械泵，并打开设置为开启的阀门，以及将蝶阀切换到控制状态；将气体流量控制到设定的第四目标值；将功率、压强或温度控制到设定的第五目标值；在预设维持时间内，将所述功率、压强或温度控制在第一预设范围内。6.如权利要求1所述的金刚石膜自动...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊宏，何磊，刘文科，韦明勉，李家瑞，李东亚，
申请(专利权)人：成都沃特塞恩电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：