等离子处理设备制造技术

本申请实施例公开了一种等离子处理设备，等离子体发生器用于朝第一方向输出等离子体；等离子体发生器、基板载台、框形载台沿第一方向依次设置，等离子体通过基板载台的等离子处理开口输出至基板的待处理表面；其中，容纳腔包括基板载台分割而成的第一腔体和第二腔体，第一腔体和第二腔体通过等离子处理开口连通；其中，当基板设置于基板载台上时，框形载台接触基板载台的表面和基板远离基板载台的表面，以使得第一腔体和第二腔体隔离，从而防止等离子体向待处理基板的待处理表面的背面逸散，可以限定等离子处理的范围，从而提升显示面板的性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
等离子处理设备


[0001]本申请涉及显示领域，具体涉及一种等离子处理设备。

技术介绍

[0002]有机发光显示面板(Organic Light Emitting Diode，OLED)由于具有结构简单、自发光、响应速度快、超轻薄、低功耗等优点，有机发光显示面板正被各大显示器厂商大力开发。有机发光显示面板生产过程中需要对基板表面进行等离子(plasma)处理来降低接触角，如图1所示，图1为现有技术的等离子处理设备的示意图，图1示意了现有技术中对基板进行等离子处理的过程，等离子体发生器20通过第一进气口21导入气体，通过第一出气口22沿第一方向y向外输出等离子体40，等离子体40轰击在基板30的待处理表面(基板30朝向等离子发生器20的表面)，然而会有一部分等离子体40会通过路径41逸散至基板30的非处理表面(基板30远离等离子发生器20的表面)，即等离子体发生器不能限定等离子处理的范围，当基板30为阵列基板，基板30的非处理表面上设置有发光器件层时，等离子体40会损坏发光器件层的特性，导致有机发光显示面板的器件效率和寿命下降。
[0003]因此，当前等离子处理设备存在等离子体会向基板的待处理表面的背面逸散，不能限定等离子处理的范围，降低显示面板的性能。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种等离子处理设备，可以解决现有等离子处理设备存在等离子体会向基板的待处理表面的背面逸散，不能限定等离子处理的范围的问题，导致降低显示面板性能的问题。
[0005]本申请实施例提供了一种等离子处理设备，所述等离子处理设备包括壳体和所述壳体内的容纳腔，所述等离子处理设备还包括设置于所述容纳腔内的：
[0006]等离子体发生器，设置于所述容纳腔内的一端，所述等离子体发生器用于朝第一方向输出等离子体；
[0007]基板载台，沿第一方向设置于所述等离子体发生器的一侧，所述基板载台包括至少一个等离子处理开口，所述等离子体通过所述等离子处理开口输出至基板的待处理表面；
[0008]框形载台，沿所述第一方向设置于所述基板载台远离所述等离子体发生器的一侧；
[0009]其中，所述容纳腔包括所述基板载台分割而成的第一腔体和第二腔体，所述第一腔体位于所述基板载台和所述等离子体发生器之间，所述第二腔体位于所述基板载台远离所述第一腔体的一侧，所述第一腔体和所述第二腔体通过所述等离子处理开口连通；
[0010]其中，当所述基板设置于所述基板载台上时，所述框形载台接触所述基板载台的表面和所述基板远离所述基板载台的表面，以使得所述第一腔体和所述第二腔体隔离。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述框形载台包括第一开口和设置于所述第
一开口外侧的第一密封圈和第二密封圈，所述第一密封圈和所第二密封圈朝向所述等离子体发生器的一侧设置；
[0012]当基板设置于所述基板载台上时，所述第一密封圈接触所述基板远离所述基板载台的表面，所述第二密封圈接触所述基板载台的表面。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二密封圈设置于所述第一密封圈远离所述第一开口的外侧。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一密封圈包括朝向所述等离子发生器设置的第一隔垫件圈；
[0015]所述第二密封圈包括朝向所述等离子发生器设置的至少一个第二隔垫件圈；
[0016]当基板设置于所述基板载台上时，所述第一隔垫件圈接触所述基板远离所述基板载台的表面，所述第二隔垫件圈接触所述基板载台的表面。
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二密封圈包括多个所述第二隔垫件圈，多个所述第二隔垫件圈按照依次远离所述第一开口的方向排布。
[0018]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一隔垫件圈和所述第二隔垫件圈均包括弹性材料。
[0019]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二密封圈包括朝向所述基板载台一侧的至少一个凹槽，所述第二隔垫件圈设置于所述凹槽内。
[0020]可选的，在本申请的一些实施例中，所述壳体包括沿所述第一方向延伸的侧壁，以及连接所述侧壁的顶壁和底壁，所述顶壁位于所述框形载台远离所述基板载台的一侧，所述底壁位于所述基板载台远离所述框形载台的一侧；
[0021]所述基板载台固定设置于所述容纳腔内，所述基板载台的外边缘接触所述侧壁；
[0022]所述等离子处理设备还包括多个第一螺杆，所述第一螺杆的一端固定连接所述框形载台，所述第一螺杆的另一端活动连接所述顶壁。
[0023]可选的，在本申请的一些实施例中，所述等离子处理设备还包括支撑载台，所述支撑载台沿所述第一方向的设置于所述基板载台远离所述框形载台的一侧；
[0024]所述支撑载台可沿第一方向移动的设置于所述容纳腔内，所述支撑载台包括至少一个所述支撑开口，所述等离子处理开口和所述支撑开口重叠。
[0025]可选的，在本申请的一些实施例中，所述基板载台包括多个通孔；
[0026]所述等离子处理设备还包括对应多个所述通孔设置的多个第二螺杆，所述第二螺杆的一端固定连接所述支撑载台，所述第二螺杆另一端活动连接所述顶壁，所述第二螺杆穿过对应的所述通孔。
[0027]本申请实施例中，提供了一种等离子处理设备，等离子处理设备包括壳体和壳体内的容纳腔，等离子处理设备还包括设置于容纳腔内的等离子体发生器、基板载台、框形载台，等离子体发生器用于朝第一方向输出等离子体；等离子体发生器、基板载台、框形载台沿第一方向依次设置，基板载台包括至少一个等离子处理开口，等离子体通过等离子处理开口输出至基板的待处理表面；其中，容纳腔包括基板载台分割而成的第一腔体和第二腔体，第一腔体位于基板载台和等离子体发生器之间，第二腔体位于基板载台远离第一腔体的一侧，第一腔体和第二腔体通过等离子处理开口连通；其中，当基板设置于基板载台上时，框形载台接触基板载台的表面和基板远离基板载台的表面，以使得第一腔体和第二腔
体隔离。本实施例通过设置框形载台密封基板和基板载台，将第一腔体和第二腔体隔离，防止等离子体通过离子处理开口扩散至基板的非处理表面，从而防止等离子体向待处理基板的待处理表面的背面逸散，可以限定等离子处理的范围，从而提升显示面板的性能。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1是现有技术中等离子处理设备的等离子处理过程的示意图；
[0030]图2是本申请一实施例提供的一种等离子处理设备的截面结构示意图；
[0031]图3是本申请一实施例提供的一种等离子处理设备放置基板后的截面结构示意图；
[0032]图4是本申请一实施例提供的一种等离子处理设备防止等离子体扩散至基板的非处理表面的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子处理设备，所述等离子处理设备包括壳体和所述壳体内的容纳腔，其特征在于，所述等离子处理设备还包括设置于所述容纳腔内的：等离子体发生器，设置于所述容纳腔内的一端，所述等离子体发生器用于朝第一方向输出等离子体；基板载台，沿第一方向设置于所述等离子体发生器的一侧，所述基板载台包括至少一个等离子处理开口，所述等离子体通过所述等离子处理开口输出至基板的待处理表面；框形载台，沿所述第一方向设置于所述基板载台远离所述等离子体发生器的一侧；其中，所述容纳腔包括所述基板载台分割而成的第一腔体和第二腔体，所述第一腔体位于所述基板载台和所述等离子体发生器之间，所述第二腔体位于所述基板载台远离所述第一腔体的一侧，所述第一腔体和所述第二腔体通过所述等离子处理开口连通；其中，当所述基板设置于所述基板载台上时，所述框形载台接触所述基板载台的表面和所述基板远离所述基板载台的表面，以使得所述第一腔体和所述第二腔体隔离。2.如权利要求1所述的等离子处理设备，其特征在于，所述框形载台包括第一开口和设置于所述第一开口外侧的第一密封圈和第二密封圈，所述第一密封圈和所第二密封圈朝向所述等离子体发生器的一侧设置；当基板设置于所述基板载台上时，所述第一密封圈接触所述基板远离所述基板载台的表面，所述第二密封圈接触所述基板载台的表面。3.如权利要求2所述的等离子处理设备，其特征在于，所述第二密封圈设置于所述第一密封圈远离所述第一开口的外侧。4.如权利要求3所述的等离子处理设备，其特征在于，所述第一密封圈包括朝向所述等离子发生器设置的第一隔垫件圈；所述第二密封圈包括朝向所述等离子发生器设置的至少一个第二隔垫件圈；当基板设置于所述基板载台上时，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡瀚霆，匡友元，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：