铝合金部件制造方法及半导体反应腔技术

本发明专利技术提供了铝合金部件制造方法及半导体反应腔，包含：将铝合金进行锻造或热轧；在所述锻造或所述热轧的过程中，藉由控制变形度及/或制造温度以构成复数个铝合金部件，所述等铝合金部件至少为配置于所述半导体反应腔中的一上极板、一下极板、一档板、输送氟离子的一管路及所述半导体反应腔之内壁的其中之一者；其中，在一使用所述氟离子清洗半导体反应腔的过程中，所述等铝合金部件的表面与所述氟离子反应形成氟化铝。本发明专利技术能有效减少氟化铝的增长速度，使铝合金部件有更长的使用寿命。此外，本发明专利技术还提供了一种半导体反应腔。本发明专利技术还提供了一种半导体反应腔。本发明专利技术还提供了一种半导体反应腔。

【技术实现步骤摘要】
铝合金部件制造方法及半导体反应腔


[0001]本专利技术涉及半导体装备领域，特别指铝合金部件以及包含铝合金部件的半导体反应腔。

技术介绍

[0002]常见的半导体反应腔中的部件一般由铝合金材质所构成(以下统称：铝合金部件)，其中半导体反应腔中常用的加热盘，主要用途是作为加热介质为其上面承载的物品(例如：晶圆)进行加热，在半导体反应腔中除了给其上方的承载物进行加热外，还在等离子工艺中担当着下电极，其与喷淋部件的上电极配合射频电源使其在上下电极之间的气体进行等离子化，等离子化的气体相互反应沉积到加热盘承载物的表面，形成薄膜。由于半导体反应腔在上述处理过程中，会于铝合金部件的表面沉积形成一些聚合物，因此半导体反应腔使用一定的周期就需要进行清洗来消除前述聚合物。通常的清洗手段是在半导体反应腔中填充氟离子进行清洗，在含氟的环境下，铝合金部件的表面会和氟离子发生反应并生成氟化铝，根据先前技术之专利技术专利(中国专利公告号为CN106555157A)所揭示的内容，表面生成氟化铝可以帮助降低异常放电的现象。然而，厚度不断增长的氟化铝会影响射频、传热的性能，影响工艺表现。当氟化铝的厚度过大时，氟化铝有可能会发生剥落，从而影响薄膜质量，此时铝合金部件也会报废而需要更换。为了获得高质量的薄膜和延长铝合金部件的使用寿命，可以通过去除氟化铝或者抑制氟化铝的增长速率来控制铝合金部件表面上氟化铝的厚度。由于其他去除氟化铝的方法都会带来一些衍生的问题。因此要如何抑制氟化层的增长速度，便是本领域具通常知识者值得去思量的。

技术实现思路

>[0003]本专利技术的目的在于提供了一种铝合金部件制造方法及半导体反应腔，以解决现有技术中存在的延长铝合金部件的使用寿命的问题。
[0004]为达到上述之目的，本专利技术提供了一种铝合金部件的使用寿命的制造方法，所述铝合金部件应用于半导体反应腔中，包含：将铝合金进行锻造或热轧；在所述锻造或所述热轧的过程中，藉由控制变形度及/或制造温度以构成复数个铝合金部件，所述等铝合金部件至少为配置于所述半导体反应腔中的一上极板、一下极板、一档板、输送氟离子的一管路及所述半导体反应腔之内壁的其中之一者；其中，在一使用所述氟离子清洗半导体反应腔的过程中，所述等铝合金部件的表面与所述氟离子反应形成氟化铝。
[0005]如上所述的加热装置，其中所述控制变形度及/或制造温度用于控制所述铝合金的晶格尺寸，以构成所述等铝合金部件，所述铝合金部件是由长晶粒、短晶界的铝合金所构成。
[0006]如上所述的加热装置，还包含一机械加工，以调整所述等铝合金部件的晶格方向。
[0007]为达到上述之目的，本专利技术还提供了一种半导体反应腔，包含：至少一铝合金部件，配置于所述半导体反应腔内，所述铝合金部件为一上极板、一下极板、一档板、输送氟离
子的一管路及所述半导体反应腔之内壁的其中之一者；其中所述铝合金部件由锻造或热轧手段所构成，使在一使用氟离子清洗半导体反应腔的过程中，所述铝合金部件的表面与所述氟离子反应形成氟化铝。
附图说明
[0008]图1为本专利技术铝合金部件之制造流程图。
[0009]图2为氟化铝在传统铸造的表面与锻造/热轧的表面之增长速度比较图。
具体实施方式
[0010]请参考图1所示之本专利技术铝合金部件之制造流程图，如步骤S11，
[0011]首先对铝合金进行锻造或热轧，其中锻造的流程包含有算料和下料、加热、预锻、锻成型、切边、热处理、校正等；热轧的流程包含有铸锭、均匀化、铣面、加热、热轧、定尺、剪切、矫直等。接着，如步骤S12，在上述锻造或热轧的流程中控制变形度及/或制造温度以构成特定物理性质(晶粒尺寸)的铝合金部件。再如步骤S13，将特定物理性质的铝合金部件进行机械加工，以调整铝合金部件晶格方向。最后如S14，最终形成在半导体反应腔清洗阶段中，能减缓氟化铝于表面增长的铝合金部件。上述之铝合金部件为用于半导体反应腔的部件，例如为一上电极板、一下电极板、一档板、输送氟离子的一管路及所述半导体反应腔之内壁等，会在半导体反应腔的清洗过程中，与清洗的氟离子气体反应，使部件表面生成氟化铝的铝合金部件。所述上电极板在本专利技术的具体实施例子中为喷淋板，所述下电极板为加热盘，所述档板为内衬。此外，半导体反应腔可以为用于电浆增强化学气相沉积(Plasma
‑
Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)、高密度电浆化学气相沉积(High
‑
Density Plasma Chemical Vapor Deposition，HDP
‑
CVD)、半大气压式化学气相沉积(Sub
‑
Atmospheric Chemical Vapor Deposition，SACVD)等技术的反应腔。
[0012]上述特定物理性质的铝合金部件是由长晶粒、少晶界的铝合金所构成，其晶粒的范围介于300μm
‑
5000μm，而机械加工可以调整铝合金部件的一表面的晶格的方向，使在含氟的环境下，铝合金部件会生成致密的氟化铝来阻挡氟离子向铝合金部件内部扩散，进而减少氟化铝的增长速度。
[0013]接着，请参考图2所示之氟化铝在传统铸造的表面与热轧的表面之增长速度比较图，由图式中可以看到利用热轧及锻造制造的铝合金下电极板，在氟离子清洗的过程中，随着时间增加(100小时至400小时)，氟化铝的增长的厚度，相较于传统的铸造部件只有些微的增加，反观传统铸造的铝合金下电极板，在氟离子清洗小于100小时下，氟化铝增长的厚度已大于热轧制造的铝合金下电极板。在氟离子清洗大于200小时后，铸造铝合金下电极板的氟化铝增长厚度已达热轧铝合金下电极板的氟化铝增长厚度的三倍以上，且在氟离子清洗接近于400小时，甚至达到四倍。因此由图式中可以得知本专利技术利用锻造或热轧制造特定物理特性的铝合金部件可以有效减少氟化铝的增长速度，使铝合金部件有更长的使用寿命，且也根据氟化铝可以帮助降低异常放电的现象，以致使半导体反应腔整体上具有更稳定的生产效率。
[0014]需注意的是，本专利技术所提之前述实施例仅用于例示说明本专利技术，而非用于限制本
专利技术之范围。熟习本专利技术所属
中具通常技艺之人对于本专利技术所进行之诸般修饰和变化皆不脱离本专利技术之精神与范畴。不同实施例中相同或相似的构件、或不同实施例中以相同组件符号表示的构件具有相同的物理或化学特性。此外，在适当的情况下，本专利技术之上述实施例可互相组合或替换，而非仅限于上文所描述的特定实施例。在一实施例中所描述的特定构件与其他构件的连接关亦可应用于其他实施例中，其皆落于本专利技术如附申请专利范围之范畴。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铝合金部件的制造方法，所述铝合金部件应用于半导体反应腔中，其特征在于，包含：将铝合金进行锻造或热轧；在所述锻造或所述热轧的过程中，藉由控制变形度和/或制造温度以形成一铝合金部件，所述铝合金部件至少为配置于所述半导体反应腔中的一上电极板、一下电极板、一档板、输送氟离子的一管路及所述半导体反应腔之内壁的其中之一者；其中，在一使用所述氟离子清洗半导体反应腔的过程中，所述铝合金部件的表面与所述氟离子反应形成氟化铝。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述控制变形度及/或制造温度用于控制所述铝合金的晶格尺寸，以构成所述等铝合金部件...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓晨，谈太德，郭月，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：