用于处理基板的装置和用于测量消耗性部件的磨损程度的方法制造方法及图纸

一种用于处理基板的装置，包括：处理室，其具有处理空间；支撑单元，其在处理空间中支撑基板；升降销模块，其具有升降销，该升降销沿上/下方向移动支撑单元上的消耗性部件；和测量单元，其测量消耗性部件的磨损程度并具有光接收构件，该光接收构件接收沿水平方向发射的光。光。光。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和用于测量消耗性部件的磨损程度的方法


[0001]本文描述的本专利技术构思的实施方式涉及一种用于处理基板的装置和一种用于测量消耗性部件的磨损程度的方法。

技术介绍

[0002]等离子体是指包含离子、自由基和电子的物质的电离气态。等离子体是通过将中性气体加热到非常高的温度或将中性气体置于强电场或RF电磁场中而产生的。半导体构件制造工艺可以包括使用等离子体去除诸如晶片的基板上的薄膜的侵蚀工艺。通过等离子体中包含的离子和/或自由基与基板上的薄膜的碰撞或反应来执行侵蚀工艺。
[0003]一种用于使用等离子体处理基板的装置包括真空气氛下的处理室、在处理室中支撑基板的支撑卡盘、以及围绕安置于支撑卡盘上的基板的聚焦环。聚焦环被安装用于将等离子体均匀分布在基板表面，并与基板一起被等离子体侵蚀。由于在基板上重复进行侵蚀工艺，聚焦环也一起被侵蚀，使得聚焦环的形状逐渐改变。由于聚焦环形状的改变，离子和/或自由基入射到基板上的方向发生了变化，从而改变了对于基板的侵蚀特性。因此，当对预定数量或更多的基板进行侵蚀工艺时，或者当聚焦环的形状改变而偏离允许范围时，必须更换聚焦环。
[0004]为了在适当的时间更换聚焦环，重要的是识别聚焦环的磨损程度(例如，侵蚀量)。通常，操作者直接打开处理室并识别聚焦环的磨损程度，或者将测量仪器，例如测量夹具直接接触聚焦环并识别聚焦环的磨损程度。然而，在前一种情况下，可能难以在需要的时间适当地识别聚焦环的磨损程度，而在后一种情况下，聚焦环可能会因聚焦环和测量仪器之间的物理接触而损坏(例如，划伤)。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的实施方式提供一种用于有效测量消耗性部件的磨损程度的基板处理装置和一种消耗性部件磨损测量方法。
[0006]本专利技术构思的实施方式提供一种用于有效地测量环构件例如聚焦环的侵蚀量的基板处理装置和一种消耗性部件磨损测量方法。
[0007]本专利技术构思要解决的技术问题不限于上述问题，本专利技术构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
[0008]根据一个实施方式，一种用于处理基板的装置包括处理室，所述处理室具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元在所述处理空间中支撑所述基板；升降销模块，所述升降销模块具有升降销，所述升降销沿上/下方向移动所述支撑单元上的消耗性部件；和测量单元，所述测量单元测量所述消耗性部件的磨损程度并具有光接收构件，所述光接收构件接收沿水平方向发射的光。
[0009]根据一个实施方式，所述装置还可以包括控制器，并且在测量所述消耗性部件的
所述磨损程度时，所述控制器可以控制所述升降销模块以将所述消耗性部件移动至所述消耗性部件与所述光发生干涉的位置。
[0010]根据一个实施方式，所述控制器可以基于测量高度来计算所述消耗性部件的所述磨损程度，所述测量高度是当所述光接收构件接收的光量减少时所述升降销的高度。
[0011]根据一个实施方式，所述控制器可以控制所述升降销模块，使得所述升降销将新的消耗性部件移动至所述新的消耗性部件与所述光发生干涉的位置，可以存储参考高度，所述参考高度是当所述新的消耗性部件与所述光发生干涉并且所述光接收构件接收的光量减少时所述升降销的高度，并且可以基于所述参考高度和所述测量高度之差，计算所述消耗性部件的所述磨损程度。
[0012]根据一个实施方式，所述处理室可以包括观察口，所述光接收构件安装在所述观察口上，并且发射所述光的照射构件可以附接至基板型传感器，所述基板型传感器被运送到所述处理空间中并监控在所述处理室中执行的基板处理工序。
[0013]根据一个实施方式，所述处理室可以包括多个观察口。所述光接收构件可以安装在所述观察口中的一个上，并且发射所述光的照射构件可以安装在所述观察口中的另一个上。
[0014]根据一个实施方式，所述装置还可以包括传送室，所述传送室包括将所述基板传送到所述处理空间中的传送机械手。所述处理室可以包括观察口，所述光接收构件安装在所述观察口上。发射所述光的照射构件可以安装在所述传送室中。
[0015]根据一个实施方式，所述照射构件和所述光接收构件可以设置在相同的高度。
[0016]根据一个实施方式，所述处理室可以具有形成在其中的入口/出口开口，所述基板通过所述入口/出口开口进入和离开所述处理室，并且当俯视时，所述入口/出口开口、所述照射构件和所述光接收构件可沿着虚拟直线布置。
[0017]根据一个实施方式，所述消耗性部件可以具有环形形状。
[0018]根据一个实施方式，一种用于处理基板的装置包括处理室，所述处理室具有处理空间；气体供应单元，所述气体供应单元向所述处理空间中供应工艺气体；电源单元，所述电源单元将所述工艺气体激发成等离子体；支撑单元，所述支撑单元在所述处理空间中支撑所述基板；升降销模块，所述升降销模块包括升降销，所述升降销沿上/下方向移动在所述支撑单元上的所述基板或环构件；和升降单元，所述升降单元升高和降低所述升降销；以及测量单元，所述测量单元测量所述环构件的侵蚀量并具有光接收构件，所述光接收构件被配置为接收沿水平方向发射的光。
[0019]根据一个实施方式，所述装置还可以包括控制器，当测量所述环构件的所述侵蚀量时，所述控制器可以控制所述升降销模块以将所述环构件移动至所述环构件与所述光发生干涉的位置。
[0020]根据一个实施方式，所述控制器可以基于测量高度来计算所述环构件的所述侵蚀量，所述测量高度是当所述光接收构件接收的光量减少时所述升降销的高度。
[0021]根据一个实施方式，控制器可以控制所述升降销，以将新的环构件移动至所述新的环构件与所述光发生干涉的位置，可以存储参考高度，所述参考高度是当所述新的环构件与所述光发生干涉并且所述光接收构件接收的光量减少时所述升降销的高度，并且可以基于参考高度和测量高度之差来计算环构件的侵蚀量。
[0022]根据一个实施方式，处理室可以包括观察口，所述光接收构件安装在所述观察口上，发射所述光的照射构件可以附接至基板型传感器，所述基板型传感器被运送到所述处理空间中并监控在所述处理室中执行的基板处理工艺。
[0023]根据一个实施方式，所述处理室可以包括多个观察口。所述光接收构件可以安装在所述观察口中的一个上，并且发射所述光的照射构件可以安装在所述观察口中的另一个上。
[0024]根据一个实施方式，所述装置还可以包括传送室，所述传送室包括将所述基板传送到所述处理空间中的传送机械手。所述处理室可以包括观察口，所述光接收构件安装在所述观察口上。发射所述光的照射构件可以安装在所述传送室中。
[0025]根据一个实施方式，一种用于测量设置在用于使用等离子体处理基板的基板处理装置中的消耗性部件的磨损程度的方法包括：沿水平方向发射具有预定宽度的激光，通过安装在所述基板处理装置中的光接收构件接收所述激光；通过所述基板处理装置的升降销模块的升降销，使所述消耗性部件沿上/下方向移动，以使所述消耗性部件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：处理室，所述处理室具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元被配置为在所述处理空间中支撑所述基板；升降销模块，所述升降销模块具有升降销，所述升降销被配置为沿上/下方向移动所述支撑单元上的消耗性部件；和测量单元，所述测量单元被配置为测量所述消耗性部件的磨损程度，所述测量单元具有光接收构件，所述光接收构件被配置为接收沿水平方向发射的光。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置还包括控制器，并且其中在测量所述消耗性部件的所述磨损程度时，所述控制器控制所述升降销模块以将所述消耗性部件移动至所述消耗性部件与所述光发生干涉的位置。3.根据权利要求2所述的装置，其中所述控制器基于测量高度来计算所述消耗性部件的所述磨损程度，所述测量高度是当所述光接收构件接收的光量减少时所述升降销的高度。4.根据权利要求3所述的装置，其中所述控制器：控制所述升降销模块，使得所述升降销将新的消耗性部件移动至所述新的消耗性部件与所述光发生干涉的位置，其中所述控制器存储参考高度，所述参考高度是当所述新的消耗性部件与所述光发生干涉并且所述光接收构件接收的光量减少时所述升降销的高度；并且基于所述参考高度和所述测量高度之差，计算所述消耗性部件的所述磨损程度。5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述处理室包括观察口，所述光接收构件安装在所述观察口上，并且其中配置为发射所述光的照射构件附接至基板型传感器，所述基板型传感器被运送到所述处理空间中并配置为监控在所述处理室中执行的基板处理工序。6.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述处理室包括多个观察口，并且其中所述光接收构件安装在所述观察口中的一个上，并且被配置为发射所述光的照射构件安装在所述观察口中的另一个上。7.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述装置还包括传送室，所述传送室包括被配置为将所述基板传送到所述处理空间中的传送机械手，其中所述处理室包括观察口，所述光接收构件安装在所述观察口上，并且其中被配置为发射所述光的照射构件安装在所述传送室中。8.根据权利要求7所述的装置，其中所述照射构件和所述光接收构件设置在相同的高度。9.根据权利要求8所述的装置，其中所述处理室具有形成在其中的入口/出口开口，所述基板通过所述入口/出口开口进入和离开所述处理室，并且当俯视时，所述入口/出口开口、所述照射构件和所述光接收构件沿着虚拟直线布置。10.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述消耗性部件具有环形形状。11.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：处理室，所述处理室具有处理空间；气体供应单元，所述气体供应单元被配置为向所述处理空间中供应工艺气体；
电源单元，所述电源单元被配置为将所述工艺气体激发成等离子体；支撑单元，所述支撑单元被配置为在所述处理空间中支撑所述基板；升降销模块，所述升降销模块包括：升降销，所述升降销被配置为沿上/下方向移动在所述支撑单元上的所述基板或环构件；和升降单元，所述升降单元被配置为升高和降低所述升降销；以及测量单元，所述测量单元被配置为测量所述环构件的侵蚀量，所述测量单元具有光接收构件，所述光接收构件被配置为接...

【专利技术属性】
技术研发人员：元喆浩，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：