制造激光器件的方法技术

本发明专利技术公开了一种制造激光器件的方法，其包括在高于具有低熔点的金属的熔点的温度下使金属熔化，从而通过金属将激光器芯片固定到支架上，在低于所述熔点的加热温度下加热固定了激光器芯片的支架，之后，采用管壳覆盖固定了激光器芯片的支架，由此密封激光器芯片。可以在产生臭氧的环境内，或者产生氧等离子体的环境下执行加热步骤。此外，在干空气或惰性气体中采用管壳覆盖固定了激光器芯片的支架，从而制作密封封闭封装，之后在加热的同时向封装内照射紫外线。本发明专利技术在不劣化激光器芯片所采用的焊料和电极的情况下去除附着在包括激光器芯片、芯柱和管壳的封装元件上的污染物，并在激光器芯片工作时抑制光化学反应物质在发光端面上沉积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，所述激光器件用作光盘驱动器、测试仪、照明装置、分析仪等装置的光源。具体而言，本专利技术涉及用于制造诸如氮化镓半导体激光器件的短波长激光器件的方法，其发射处于短波长范围的蓝色、紫色、近紫外或紫外激光束。
技术介绍
诸如GaN、AlGaN、GaInN和AlGaInN的III族氮化物半导体(下文简称为“氮化镓系半导体”)比AlGaInAs系半导体或AlGaInP系半导体具有更宽的能带带隙。因此，这样的半导体材料能够发射具有短波长的光，并且由于其属于直接跃迁型，因此在发光效率方面更加优越。具有这些特征的氮化镓系半导体作为构成半导体光发射元件的材料已经引起了注意，例如能够发射从紫外到绿色的宽波长范围的光的半导体激光器，或者覆盖从紫外到红色的宽发光范围的发光二极管(LED)。其应用领域覆盖范围广，包括高密度光盘驱动器、全彩色显示器、环境领域和医学领域。氮化镓系半导体比GaAs系半导体等具有更高的导热性，因此，希望将其用作在高温和高输出运转下工作的元件。此外，AlGaAs系半导体含有有害的砷(As)，ZnCdSSe含有有害的镉(Cd)，而氮化镓系半导体则不含有这样的有害材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造激光器件的方法，其包括的步骤有：在高于具有低熔点的金属的所述熔点的温度下使所述金属熔化，从而通过所述金属将激光器芯片固定到支架上；在低于所述熔点的热处理温度下加热固定了所述激光器芯片的所述支架；以及在所述加热 步骤之后，采用管壳覆盖固定了所述激光器芯片的所述支架，由此密封所述激光器芯片。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：石田真也，小河淳，花冈大介，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]