【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)，特别是，具有改进结构的VECSEL装置，以具有周期性增益结构的多重量子势阱层改善每个量子势阱层的增益。
技术介绍
垂直腔表面发射激光器(VCSEL)以非常窄的光谱范围内发射单纵向光束。光束的发射角度小，从而耦合效率高。同样，因为表面发光的特性使带有其他装置的单片集成电路变得容易，所以VCSEL适合作为泵浦激光光源。然而，传统的VCSEL不能像边发射激光二极管(LD)一样容易地发射单横向光束。同样，对于通常的单横向模式操作，发射区域应该为10μm或者更小，而甚至于由于热透镜效应，随着输出光的增加，VCSEL便进入多重模式。因而，单横向光的最大输出功率是5mW。垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)提供了上述VCSEL的优点，并且同时实现了大功率运行。VECSEL采用外部反射镜替代VCSEL的上部衍射布拉格反射器(DBR)，从而具有增加的增益面积，并且可以获得100mW甚至更高的输出功率。近来，因为较边发射激光器有较少的增益量，所以表面激光发射器(SEL)不能像边发射激光器获得一样多的增益，而开发了具有周期设置...
【技术保护点】
一种垂直外腔表面发射激光器装置，包括：基板；底部衍射布拉格反射镜，形成在所述基板上；多重量子势阱层，形成在所述衍射布拉格反射镜上，并且包括：多个量子势阱层；和第一和第二应变补偿层，依次形成在每个量子势阱层之上和之下，以逐步释放所述量子势阱层的应变；顶盖层，形成在所述多重量子势阱层上；光泵，发射泵浦束到所述顶盖层的表面上；和外腔反射镜，与所述底部衍射布拉格反射镜隔开并且面向所述底部衍射布拉格反射镜。
【技术特征摘要】
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