半导体激光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术构成发光特性佳、高效率且高输出的半导体激光装置。该半导体激光装置具备第一ＬＤ结构（１４），该结构具备：ｎ－ＧａＡｓ衬底（１２）上依次配设的第一ｎ型包层；包含量子阱层的第一激活层（１８）；该第一激活层（１８）上配设的第一ｐ型包层（２０）；该第一ｐ型包层（２０）上配设、具有与第一ｐ型包层（２０）相同构成元素的ｐ型的信号层（２２）；以及该信号层（２２）上条纹台面状配设，具有与信号层（２２）相同构成元素且其中互补关系的两种构成元素的组分比不同于信号层（２２）的ｐ型的脊波导（２４）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，具体地说，涉及信息电子设备中使用的。
技术介绍
作为高速且大容量的存储装置之一的最近需求高涨的DVD装置，在复合型装置中内置DVD-R/RW装置以及CD-R/RW装置，使用DVD装置用的半导体激光器(发光波长在650nm附近的激光二极管(以下激光二极管称为LD))和CD装置用的半导体激光器(发光波长在780nm附近的LD)这2种半导体激光器。这样的以例如2种波长发光的半导体激光器不是通过形成具有特定波长的单体半导体激光器并多个组装而成的，而是通过同一衬底上在一个芯片上搭载的单片2波长半导体激光元件(以下称为单片型2波长LD)的开发而成的。从而，不同发光波长的半导体激光器的发光点位置的对齐可高精度进行，且可减少光学系统的部件数。该单片型2波长LD的制造方法的概略说明如下。首先在n型GaAs衬底(以下″n型″表示为″n-″，″p型″表示为″p-″，无杂质添加表示为″i-″。)上通过MOCVD法或MBE法进行依次外延生长并层叠n-AlGaInP包层、阻挡层及阱层组成的多重量子阱(Multiple Quantum Well，以下表示为″MQW″。)激活层；第一p-AlGa本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光装置，具备第一导电型的衬底和在该衬底上配设的第一半导体激光器结构，该结构在上述衬底上依次配设：第一导电型的第一第一包层；该第一第一包层上配设的包含量子阱层的第一激活层；该第一激活层上配设的第二导电型的第一第二包层；该第一第二包层上配设的具有与上述第一第二包层相同构成元素的第二导电型的刻蚀结束检出层；以及该刻蚀结束检出层上条纹台面状配设，具有与刻蚀结束检出层相同的构成元素，其中互补关系的两种构成元素的组分比不同于上述刻蚀结束检出层的第二导电型的第一第三包层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：堀江淳一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]