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本发明构成发光特性佳、高效率且高输出的半导体激光装置。该半导体激光装置具备第一ＬＤ结构（１４），该结构具备：ｎ－ＧａＡｓ衬底（１２）上依次配设的第一ｎ型包层；包含量子阱层的第一激活层（１８）；该第一激活层（１８）上配设的第一ｐ型包层（２０）...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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